武漢新芯閃存芯片廠動工 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來居上？

　　中國正打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國政府所有。

　　武漢新芯去年與美國閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor Corp.， CY)收購。

　　存儲芯片用于在電子產(chǎn)品中儲存數(shù)據(jù)，目前中國還沒有真正意義上的存儲芯片生產(chǎn)能力。在推動經(jīng)濟從低端制造向更先進產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的過程中，半導(dǎo)體行業(yè)總體上已成為中國決策層扶持的一個主要目標(biāo)。

　　中國政府成立了一只國家級基金，用以扶持半導(dǎo)體行業(yè);此外，自斯諾登(Edward Snowden)曝光美國國家安全局(National Security Agency)利用一些美國科技產(chǎn)品的后門監(jiān)聽外國政府后，中國也在推動科技方面的自給自足。網(wǎng)絡(luò)安全專家稱，存儲芯片并不是黑客的主要目標(biāo)，但理論上也 可能被入侵。

　　去年，中國國有企業(yè)紫光集團有限公司(Tsinghua Unigroup)試圖投資多家美國芯片生產(chǎn)商，美國政府對這類舉動相當(dāng)警覺。到目前為止，這家迅速崛起的中國科技公司的這一嘗試一直未獲成功。

　　武漢新芯的工廠將生產(chǎn)閃存和動態(tài)隨機存取存儲器芯片(DRAM芯片)。武漢新芯發(fā)言人稱，該廠資金主要來自中國國家半導(dǎo)體基金和湖北省政府。

　　總 部位于加州 何塞的柏士半導(dǎo)體去年實現(xiàn)收入16億美元。該公司一直以靜態(tài)隨機存取存儲器芯片(SRAM芯片)而聞名。通過與Spansion合并，柏士半導(dǎo)體獲得了智 能手機和其他產(chǎn)品閃存技術(shù)的專業(yè)技術(shù)。Spansion原本是高級微設(shè)備公司(Advanced Micro Devices Inc.， AMD， 又名：超威半導(dǎo)體)和富士通(Fujitsu Ltd.)成立的合資企業(yè)。

　　武漢新芯發(fā)言人稱，240億美元的投資將分三個階段部署，第一家工廠專注NAND閃存生產(chǎn)，第二家工廠專注DRAM芯片生產(chǎn)，第三個階段的設(shè)施將專為供應(yīng)商服務(wù)。武漢新芯和Spansion去年在建立合作關(guān)系的聯(lián)合聲明中稱，首批產(chǎn)品將于2017年上市銷售。

　　柏士半導(dǎo)體發(fā)言人周四未立即置評。

　　總部位于臺灣的集邦科技(TrendForce)旗下的存儲行業(yè)研究機構(gòu)DRAMeXchange研究主管楊文得(Sean Yang)表示，這是一個標(biāo)志性的突破，是中國公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

　　據(jù) 政府網(wǎng)站介紹，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府設(shè)立，作為一個重大戰(zhàn)略投資項目的載體，資金投入額超過15億美元，湖北省科技投資集團 (Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯一所有人。該公司主要生產(chǎn)各種類型的NOR閃存，許多高管此前都在中國主要的芯片代工生產(chǎn)商中芯國際(Semiconductor Manufacturing International Corp. )任職。

　　雖然武漢新芯的最新項目得到了中央政府的支持，但許多分析人士對該公司的前景仍表示懷疑。這家芯片生產(chǎn)商的知名度較低，而且此前中國在打造具有競爭力的半導(dǎo)體行業(yè)方面所取得的成功有限。

　　武 漢新芯的起步較韓國三星電子(Samsung Electronics Co. ，005930.SE)落后很多年，同時，由于投資成本高昂，加上規(guī)模經(jīng)濟的需要，存儲芯片行業(yè)對于陪跑者來說是一種頗具懲罰性的業(yè)務(wù)。十多年來，臺灣已 向DRAM芯片生產(chǎn)投入數(shù)百億美元，但未獲成功，結(jié)果是許多公司被競爭對手收購。

　　Bernstein Research分析師紐曼(Mark Newman)稱，他對武漢新芯的轉(zhuǎn)型并不看好。他說，該公司在存儲芯片方面的技術(shù)十分有限，較同行業(yè)的其他企業(yè)落后了數(shù)年。

　　一些海外公司已同意在中國建立先進的存儲芯片廠，盡管這些投資或許并不能滿足中國政府希望開發(fā)自有技術(shù)的愿望。去年4月份，三星電子位于中國西安的存儲芯片 工廠投入生產(chǎn)，英特爾公司(Intel Co. ，INTC)則于去年10月份表示，將為現(xiàn)有的大連工廠引入新的芯片制造機器。

　　中國對存 儲芯片的興趣隨著去年紫光集團加大投資力度而變得明朗化。這家擁有政府背景的公司意圖收購美國存儲芯片制造商美光科技公司(Micron Technology Inc.， MU)，并投資西部數(shù)據(jù)股份有限公司(Western Digital Corporation， WDC)，當(dāng)時西部數(shù)據(jù)正尋求收購閃存芯片制造商閃迪(SanDisk Co.， SNDK)。這些交易最后均未達(dá)成，原因之一是擔(dān)心美國政府反對。

　　武 漢新芯打算生產(chǎn)名為“3D NAND”的下一代閃存芯片，預(yù)計這種芯片將成為未來數(shù)年計算機設(shè)備的主流數(shù)據(jù)存儲工具。據(jù)首席執(zhí)行長楊士寧(Simon Yang)描述，智能手機及其他產(chǎn)品目前使用的是所謂的“二維NAND”，相比之下，二維NAND就像是停車場，而3D NAND則是一個立體的停車場。

　　三 星電子是多層次存儲技術(shù)的探路先鋒(這一技術(shù)可以提高芯片的存儲效率)，其他企業(yè)跟在后面亦步亦趨，也包括美國的英特爾和美光科技。Bernstein Research的紐曼稱，三星電子是目前唯一實現(xiàn)量產(chǎn)3D NAND的制造商，不過，今年這種芯片的生產(chǎn)成本已經(jīng)降到比常規(guī)NAND芯片更低，因此將會很快普及。

　　對這項技術(shù)的掌握程度也是參差不齊：三星電子的技術(shù)可達(dá)64層，而據(jù)分析師說，武漢新芯只有8層。

　　當(dāng)被問及層數(shù)時，武漢新芯發(fā)言人不予披露。

　　武漢新芯網(wǎng)站顯示，首席營運長洪沨在去年11月份的演講中指出，只要公司現(xiàn)在著手做，就很可能追趕上并有機會躋身世界一流企業(yè)行列。