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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

作者: 時(shí)間:2016-04-12 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏
編者按:國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái),也值。

  Intel/美光:容量最高的閃存

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201604/289533.htm

  這幾家廠商中,Intel、美光的閃存來(lái)的最晚,去年才算正式亮相,不過(guò)好菜不怕晚,雖然進(jìn)度上落后了點(diǎn),但I(xiàn)MFT的有很多獨(dú)特之處,首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術(shù)量產(chǎn)的,所以在成本及容量上更有優(yōu)勢(shì),其MLC類型閃存核心容量就有256Gb,而TLC閃存則可以做到384Gb,是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的

  384Gb容量還不終點(diǎn),今年的ISSCC大會(huì)上美光還公布了容量高達(dá)768Gb的3D NAND閃存論文,雖然短時(shí)間可能不會(huì)量產(chǎn),但已經(jīng)給人帶來(lái)了希望。

  Intel的殺手锏:3D XPoint閃存

  IMFT在3D NAND閃存上進(jìn)展緩慢已經(jīng)引起了Intel的不滿,雖然雙方表面上還很和諧,但不論是16nm閃存還是3D閃存,Intel跟美光似乎都有分歧,最明顯的例子就是Intel都開(kāi)始采納友商的閃存供應(yīng)了,最近發(fā)布的540s系列硬盤就用了SK Hynix的16nm TLC閃存,沒(méi)有用IMFT的。

  Intel、美光不合的證據(jù)還有最明顯的例子——那就是Intel甩開(kāi)美光在中國(guó)大連投資55億升級(jí)晶圓廠,準(zhǔn)備量產(chǎn)新一代閃存,很可能就是3D XPoint閃存,這可是Intel的殺手锏。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  3D XPoint閃存是Intel掌控未來(lái)NAND市場(chǎng)的殺手锏

  這個(gè)3D XPoint閃存我們之前也報(bào)道過(guò)很多了,根據(jù)Intel官方說(shuō)法,3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內(nèi)存及閃存,性能是普通顯存的1000倍,可靠性也是普通閃存的1000倍,容量密度是內(nèi)存的10倍,而且是非易失性的,斷電也不會(huì)損失數(shù)據(jù)。

  由于還沒(méi)有上市,而且Intel對(duì)3D XPoint閃存口風(fēng)很嚴(yán),所以我們無(wú)法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么,不過(guò)比較靠譜的說(shuō)法是基于PCM相變存儲(chǔ)技術(shù),Intel本來(lái)就是做存儲(chǔ)技術(shù)起家的,雖然現(xiàn)在的主業(yè)是處理器,但存儲(chǔ)技術(shù)從來(lái)沒(méi)放松,在PCM相變技術(shù)上也研究了20多年了,現(xiàn)在率先取得突破也不是沒(méi)可能。

  相比目前的3D NAND閃存,3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內(nèi)存的命,因?yàn)樗瑫r(shí)具備這兩方面的優(yōu)勢(shì),所以除了做各種規(guī)格的SSD硬盤之外,Intel還準(zhǔn)備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤,現(xiàn)在還不能取代DDR內(nèi)存,但未來(lái)一切皆有可能。

  最后再回到我們開(kāi)頭提到的問(wèn)題上——中國(guó)大陸現(xiàn)在也把存儲(chǔ)芯片作為重點(diǎn)來(lái)抓,武漢新芯科技(XMC)已經(jīng)在武漢開(kāi)工建設(shè)12英寸晶圓廠,第一個(gè)目標(biāo)就是NAND閃存,而且是直接切入3D NAND閃存,他們的3D NAND技術(shù)來(lái)源于飛索半導(dǎo)體(Spansion),而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門合并而來(lái),后來(lái)他們又被賽普拉斯半導(dǎo)體以40億美元的價(jià)格收購(gòu)。

  2015年新芯科技與飛索半導(dǎo)體達(dá)成了合作協(xié)議,雙方合作研發(fā)、生產(chǎn)3D NAND閃存,主要以后者的MirrorBit閃存技術(shù)為基礎(chǔ)。不過(guò)小編搜遍了網(wǎng)絡(luò)也沒(méi)找到多少有關(guān)MirrorBit的技術(shù)資料。這兩家公司的閃存技術(shù)多是NOR領(lǐng)域的,3D NAND顯然是比不過(guò)三星、SK Hynix及東芝等公司的,有一種說(shuō)法是MirrorBit的堆棧層數(shù)只有8層,如果真是這樣,相比主流的32-48層堆棧就差很遠(yuǎn)了,成本上不會(huì)有什么優(yōu)勢(shì)。


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