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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

作者: 時(shí)間:2016-04-12 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏
編者按:國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ),各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小,但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái),也值。

  上個(gè)月底武漢新芯科技主導(dǎo)的國(guó)家級(jí)產(chǎn)業(yè)基地正式動(dòng)工,在大基金的支持下該項(xiàng)目將投資240億美元建設(shè)國(guó)內(nèi)最大、最先進(jìn)的芯片基地。應(yīng)該注意的是國(guó)內(nèi)公司這次進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片的起點(diǎn)不低,新建的12寸晶圓廠投產(chǎn)后直接生產(chǎn)閃存,這可是當(dāng)前閃存市場(chǎng)的大熱門(mén),來(lái)勢(shì)兇猛。那么閃存市場(chǎng)現(xiàn)在到底是個(gè)什么樣呢?

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201604/289533.htm


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  從三星的840系列硬盤(pán)再到Intel剛發(fā)布的DC P3520硬盤(pán),三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/美光這四大NAND豪門(mén)都已經(jīng)涉足閃存了,而且可以預(yù)見(jiàn)這種趨勢(shì)還會(huì)繼續(xù)下去,越來(lái)越多的閃存及SSD硬盤(pán)都會(huì)轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)。今天的超能課堂中我們就簡(jiǎn)單說(shuō)下3D NAND閃存,匯總一下目前四大NAND豪門(mén)的3D NAND閃存的規(guī)格及特色。

  什么是3D NAND閃存?

  從新聞到評(píng)測(cè),我們對(duì)3D NAND閃存的報(bào)道已經(jīng)非常多了,首先我們要搞懂什么是3D NAND閃存。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  從2D NAND到3D NAND就像平房到高樓大廈

  我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)限堆疊。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  3D NAND與2D NAND區(qū)別

  3D NAND閃存也不再是簡(jiǎn)單的平面內(nèi)存堆棧,這只是其中的一種,還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結(jié)構(gòu)。

  3D NAND閃存有什么優(yōu)勢(shì)?

  在回答3D NAND閃存有什么優(yōu)勢(shì)的時(shí)候,我們先要了解平面NAND遇到什么問(wèn)題了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類(lèi)型之分,為了進(jìn)一步提高容量、降低成本,NAND的制程工藝也在不斷進(jìn)步,從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND閃存跟處理器不一樣,先進(jìn)工藝雖然帶來(lái)了更大的容量,但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍,容量提升、成本降低的同時(shí)可靠性及性能都在下降,因?yàn)楣に囋较冗M(jìn),NAND的氧化層越薄,可靠性也越差,廠商就需要采取額外的手段來(lái)彌補(bǔ),但這又會(huì)提高成本,以致于達(dá)到某個(gè)點(diǎn)之后制程工藝已經(jīng)無(wú)法帶來(lái)優(yōu)勢(shì)了。

  相比之下,3D NAND解決問(wèn)題的思路就不一樣了,為了提高NAND的容量、降低成本,廠商不需要費(fèi)勁心思去提高制程工藝了,轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了,這樣一來(lái)3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了,比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2,而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達(dá)到1.87Gb/mm2,48層堆棧的則可以達(dá)到2.8Gb/mm2。


剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀


  3D NAND閃存在容量、速度、能效及可靠性上都有優(yōu)勢(shì)

  傳統(tǒng)的平面NAND閃存現(xiàn)在還談不上末路,主流工藝是15/16nm,但10/9nm節(jié)點(diǎn)很可能是平面NAND最后的機(jī)會(huì)了,而3D NAND閃存還會(huì)繼續(xù)走下去,目前的堆棧層數(shù)不過(guò)32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。


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