ARM發(fā)布針對10nm工藝優(yōu)化的CPU內(nèi)核和GPU內(nèi)核

　　英國ARM公司于2016年5月30日發(fā)布了針對10nm工藝進(jìn)行了優(yōu)化的高端CPU內(nèi)核“ARM Cortex-A73”和高端GPU內(nèi)核“ARM Mali-G71”。這些內(nèi)核都將集成在2017年投放市場的移動產(chǎn)品的SoC中，幫助提供4K視頻、VR和AR。

　　Cortex-A73采用具有64位指令的ARMv8-A架構(gòu)，是2015年2月發(fā)布的現(xiàn)有高端CPU內(nèi)核“Cortex-A72”的高端產(chǎn)品。與利用16nm工藝封裝的Cortex-A72(最大工作頻率2.5GHz)相比，利用10nm工藝封裝的Cortex-A73(最大工作頻率2.8GHz)的處理性能高出30%。

　　Cortex-A73的框圖。圖片來源于ARM，下同

　　高端CPU內(nèi)核的性能走勢。

　　功率效率方面，利用10nm工藝封裝的Cortex-A73比利用16nm工藝封裝的Cortex-A72高20%(整數(shù)運算時)。而且，Cortex-A73的芯片面積不足0.65nm2，是現(xiàn)有產(chǎn)品中最小的ARMv8-A架構(gòu)的“Big Core”(ARM公司big.LITTLE架構(gòu)中的大核心)。

　　而Mali-G71是2015年2月發(fā)布的現(xiàn)有高端GPU內(nèi)核“Mali-T880”的高端產(chǎn)品。與利用16nm工藝封裝的“Mali-T880”相比，利用10nm工藝封裝的Mali-G71的圖形處理性能高50%，功率效率高20%，每1mm2的性能高40%。

　　Mali-G71的框圖。

　　以前的GPU架構(gòu)“Midgard”(左)和此次“Bifrost”(右)的處理差異。

　　最多可配備32個著色器核心。這與現(xiàn)在的中檔筆記本電腦的GPU性能相當(dāng)，2017年將在智能手機等移動產(chǎn)品中實現(xiàn)。Mali-G71采用ARM的第3代GPU架構(gòu)“Bifrost”，適合Vulkan等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)API。

　　另外，在采用Cortex-A73和Mali-G71的SoC中，推薦使用“CoreLink CCI(Cache Coherent Interconnect)-550”進(jìn)行內(nèi)部互連。在采用Cortex-A72和Mali-T880的SoC中，推薦使用“CoreLink CCI-500”。