ARM 加速推動 7 納米芯片進程,終端預計于 2018 年問世
據(jù)海外媒體報道,ARM 于 12 日宣布,將參與 IMEC (歐洲微電子研究中心)代號為 INSITE 的計劃,借此以強化雙方的合作。據(jù)了解,INSITE 計劃乃是致力于優(yōu)化集成電路設計、系統(tǒng)層面架構的功耗表現(xiàn),并且產(chǎn)品提高性能與降低成本。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201607/294072.htmARM 表示,本次合作的重點是 7 納米制程及其以上的半導體芯片為主。未來,兩者進一步合作后,預計將可透過學習新技術與設計目標,加速半導體芯片的性能提升,使其在 INSITE 計劃下的戰(zhàn)略性產(chǎn)品能夠盡早進入市場。
2009 年 IMEC 即啟動的 INSITE 計劃,目前有 10 個企業(yè)或單位加入,其目的在于要幫助企業(yè)或單位預測新技術,以設計出符合下一代系統(tǒng)的設計和應用。而且,借由 INSITE 計劃中假設的學習過程,可以適當調(diào)整設計目標和權衡預期系統(tǒng)的性能狀態(tài),確認相關產(chǎn)品未來的發(fā)展路線,借由早期技術回饋,能在產(chǎn)品設計的早期就決定變化。如此,不但加快企業(yè)或單位在新技術項目上的學習周期,更可降低風險的科技應用。
而在 INSITE 計劃下,根據(jù)最近一次的成果展現(xiàn)是預計 2016 年 10 到 12 月間,臺積電將會量產(chǎn) 10 納米 FinFET 制程的聯(lián)發(fā)科 Helio X30 ,以及華為麒麟 970 芯片。而華為的麒麟 970 芯片將有望于 11 月上市的 Mate 9 智能型手機上被采用。至于,安裝 7 納米制程芯片的智能手機,則預計將會在 2018 年左右登場。
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