ARM對于軟銀的價值以及未來的技術(shù)走向

　　在近期的媒體會議中，ARM已從多個方面透露了其在最新技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品動向。

　　10納米FinFET測試芯片——ARM v8-A

　　5月中旬，ARM正式發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核64位 ARM v8-A處理器測試芯片。仿真基準檢驗結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)。

　　此款測試芯片的成功驗證(設(shè)計定案完成于2015 年第四季度)是ARM與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設(shè)計方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的FinFET 工藝完成設(shè)計定案。此外，SoC 設(shè)計人員還能利用基礎(chǔ) IP模塊 (包括標準組件庫、嵌入式內(nèi)存及標準 I/O) 開發(fā)最具競技爭力的 SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

　　此款最新的測試芯片是 ARM 與臺積電長期致力于先進工藝技術(shù)的成果，基于 2014 年 10 月宣布的首次 10納米FinFET 技術(shù)合作。ARM與臺積電共同的IC設(shè)計客戶也獲益于早期獲得ARM Artisan物理IP與ARM Cortex-A72 處理器的 16納米 FinFET+ 設(shè)計定案，此款高效能處理器已被當今多款市場主要和暢銷計算設(shè)備采用。

　　ARM執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)部總裁Pete Hutton表示，高級移動應(yīng)用 SoC 設(shè)計的首項指導原則就是能效，因為現(xiàn)今市場對設(shè)備性能的要求越來越高。臺積電的16納米FFLL+工藝與 ARM Cortex處理器奠定了能效的新標準。我們與臺積電在10納米FinFET工藝技術(shù)上的合作，可確保在SoC層面上的效率，使我們的芯片合作伙伴在維持嚴苛的功耗標準的同時能夠有更大空間實現(xiàn)創(chuàng)新。

　　重新定義高端IP——ARM Mali-G71和ARM Cortex-A73

　　5月末，ARM宣布推出了最新高端移動處理器技術(shù)組合，重新定義了2017年推出的旗艦型設(shè)備。屆時，我們將看到基于Cortex-A73與Mali-G71的設(shè)備脫穎而出，并通過移動設(shè)備感受4K視頻，將VR和AR變成日常體驗。

　　據(jù)悉，Mali-G71圖形處理器(GPU)將進一步推動業(yè)界出貨量第一的ARM Mali系列發(fā)展。全新的圖形處理器可使下一代高端智能手機的圖形處理性能提升 1.5 倍，電源能效提升 20 %，且每平方毫米性能亦增加 40 %。

　　Mali-G71有效地將著色器核心增加至最多32個，相當于Mali-T880 的兩倍，其性能表現(xiàn)已超越現(xiàn)今中端筆記本電腦中所搭載的分立GPU。Mali-G71圖形處理器全面支持一致性，有助于簡化軟件開發(fā)并提升效率，在移動功率范圍內(nèi)完整的呈現(xiàn)身歷其境的VR與AR體驗。Mali-G71以第三代GPU架構(gòu)Bifrost為基礎(chǔ)，Bifrost基于前兩代 Utgard 和 Midgard 架構(gòu)的革新技術(shù)。

　　據(jù)透露，目前的授權(quán)合作伙伴包括海思半導體、聯(lián)發(fā)科技與三星電子等領(lǐng)先芯片供貨商。

　　Cortex-A73 單核面積小于 0.65平方毫米(在10納米FinFET工藝技術(shù))，是至今最小、能效最佳的ARMv8-A架構(gòu)“大”核。相較于Cortex-A72，其先進的移動微架構(gòu)可使電源效率與持續(xù)性能提升30%。

　　尺寸和效率的改善讓 Cortex-A73 用于 ARM big.LITTLE 配置時擁有更大的彈性，設(shè)計人員可在單一系統(tǒng)單芯片(SoC)中擴展大核與 GPU 和其他 IP的配合。迄今為止，已有海思半導體、美滿電子科技(Marvell)和聯(lián)發(fā)科技等十家合作伙伴獲得 Cortex-A73 授權(quán)。