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高能效入門級MCU 定義全新低功耗

作者: 時間:2016-10-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201610/307597.htm

在經(jīng)常提及物聯(lián)網(wǎng) (IoT)的新時代——數(shù)十億的“智能終端”,預(yù)計在未來十年內(nèi)會把各種應(yīng)用與設(shè)備都連接起來——嵌入式技術(shù)不再僅僅限于以機(jī)械方式生產(chǎn)基本商品。物聯(lián)網(wǎng)是數(shù)據(jù)和控制自動化的時代,互連設(shè)備和節(jié)點收集信息并與智能系統(tǒng)進(jìn)行通信,實時解決問題(例如當(dāng)系統(tǒng)檢測到無人在家時會自動調(diào)整恒溫器)。嵌入式技術(shù)的本質(zhì)便是將傳感、處理和連接結(jié)合起來使IoT變成現(xiàn)實。

人們對功能性、連接性及便攜性的需要呈指數(shù)級增加,而大眾市場電池技術(shù)尚未能同步前進(jìn),無法滿足市場需求。終端節(jié)點通常采用電池供電,需要具有極長電池壽命才能保證穩(wěn)定可靠兼且保持較低成本。一方面能耗預(yù)算決定了新產(chǎn)品的最終設(shè)計,而市場方面又不允許制造商降低性能。設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)是,必須以相同甚至更低的能耗預(yù)算實現(xiàn)更高的性能目標(biāo)。

高能效的整體趨向

越來越多的“智能技術(shù)”產(chǎn)品需要滿足用戶的更多功能要求,而僅僅通過查看原始數(shù)據(jù)表上的數(shù)字來判斷能效的方法已經(jīng)無法提供充分有力的參考。能耗預(yù)算需要考慮“”,或者在提供特定功能時消耗了多少電流,此外,還需要考慮更多的要素“能源效率”或者說一段時間內(nèi)的能耗。換句話說,我們必須查清楚在單位時間內(nèi)完成指定任務(wù)的耗電量是多少。

在嵌入式系統(tǒng)中,才是王道,目標(biāo)是更高能效的通過多任務(wù)的管理去完成一個應(yīng)用程序。這些任務(wù)通??梢愿爬槿齻€階段:初始化階段、控制階段(其中可能包括數(shù)據(jù)采集、通信和控制)及計算階段。在這三個階段降低能耗的公式非常簡單,用更少的能源和時間完成更多操作(能耗= 功率 x 時間)。要真正實現(xiàn)目標(biāo)不只優(yōu)化其中一個階段,而是需要優(yōu)化所有階段。

在所有階段實現(xiàn)節(jié)能有三個要素。首先,必須少激活和低待機(jī)功耗。其次,必須具有節(jié)能外設(shè),這些外設(shè)要智能的、在不一直喚醒CPU的前提下采集、處理并存儲數(shù)據(jù)。第三,必須減少計算階段的處理時間,以返回深度睡眠模式,然后再重新開始整個過程。

飛思卡爾深入研究了的所有階段和各個方面,目的是解決更大的問題:你怎樣用更少的能耗去做更多操作?結(jié)合整體觀念來考慮能效問題對目前市場來說還比較新穎。飛思卡爾致力于幫助客戶從這種新方法中獲益。

Kinetis L 系列:全球能效最高的32位

飛思卡爾幾十年來不斷關(guān)注新興應(yīng)用趨勢并為客戶開發(fā)解決方案,并充分利用這些經(jīng)驗,致力于為更廣泛的應(yīng)用提供高能效的產(chǎn)品解決方案。Kinetis 產(chǎn)品組合提供卓越的性能,并具有智能功能集成、廣泛的外設(shè)及高擴(kuò)展能力等優(yōu)勢。多個Kinetis MCU家族,其中Kinetis L系列在內(nèi)是飛思卡爾高能效解決方案的最佳典范。

Kinetis L 系列MCU是 Kinetis 產(chǎn)品組合內(nèi)新上市的產(chǎn)品,與同類入門級MCU相比,大大改進(jìn)了功能和效率,能夠在初始化、控制和計算階段顯著提高能效。請注意查看圖1所示的能效,該圖用橙色表示Kinetis L 系列的能耗曲線對比用褐色曲線的其他同類產(chǎn)品。

圖 1:Kinetis L系列MCU可在應(yīng)用的所有階段,即初始化、控制和計算階段,大大提高能效。

圖 1:Kinetis L系列MCU可在應(yīng)用的所有階段,即初始化、控制和計算階段,大大提高能效。

在開發(fā)Kinetis L系列的過程中,重點圍繞一個看似簡單的概念:如何在沒有CPU干預(yù)的情況下采集數(shù)據(jù),然后快速喚醒MCU,盡可能快速、高效地執(zhí)行相關(guān)功能,然后返回睡眠模式?最后實現(xiàn)的結(jié)果是大大降低了曲線下方整個板卡的能耗(參見圖1),為達(dá)到這個結(jié)果,我們采用了ARM Cortex-M0+ 處理器,為多個用例使用了超低功耗模式,還有節(jié)能型架構(gòu)技術(shù)以及一系列智能功耗管理的自主外設(shè)。

突破性設(shè)計:10 種靈活的功率模式

傳統(tǒng)的MCU過去只采用三種電源模式:運行、睡眠和深度睡眠。然而,這種“以一概全”的思路對于嵌入式產(chǎn)品并不適用,因為嵌入式產(chǎn)品有多種不同的電源配置。飛思卡爾設(shè)計團(tuán)隊充分利用飛思卡爾在MCU方面的豐富經(jīng)驗,并基于常見示例考察了多種潛在應(yīng)用和情景,進(jìn)行了全面、深入的分析。

分析結(jié)果表明,Kinetis L 系列MCU將傳統(tǒng)的3種電源模式擴(kuò)展為10種靈活的模式,能夠支持多種應(yīng)用用例,從而減少了能源曲線下方的面積,大大提高了能效。當(dāng)逐步進(jìn)入深度睡眠模式時,MCU開始在功能上為更多邏輯和內(nèi)存控制功耗,同時還減少節(jié)能外設(shè)。

表 1:Kinetis L系列MCU將傳統(tǒng)的電源模式擴(kuò)展至10種靈活的模式,支持各種應(yīng)用用例。

*計算操作啟用:3.6 mA @ 48 MHz 內(nèi)核 / 24 MHz 總線)

**計算操作啟用:144 uA @ 4 MHz 內(nèi)核 / 1 MHz總線)

a 部分Kinetis L 系列設(shè)備上提供

表 1:Kinetis L系列MCU將傳統(tǒng)的電源模式擴(kuò)展至10種靈活的模式,支持各種應(yīng)用用例。

表 2:初級電源模式術(shù)語

表 2:初級電源模式術(shù)語

通過系統(tǒng)架構(gòu)創(chuàng)新提高能效

Kinetis L 系列MCU之所以能效高,在很大程度上要歸功于一個創(chuàng)新的架構(gòu),該架構(gòu)結(jié)合并改進(jìn)了ARM Cortex-M0+處理器的多個低功耗特性,而其它MCU通常未完全將它優(yōu)化。例如,要簡化應(yīng)用的初始化階段,可以使用位操作引擎 (BME),當(dāng)該引擎在外設(shè)上執(zhí)行以位為導(dǎo)向的數(shù)學(xué)運算時可使循環(huán)時間與代碼大小平均減少40%。BME對 OR、AND、XOR等函數(shù)進(jìn)行位字段插入和位字段提取進(jìn)行編碼。相反,傳統(tǒng)的32位處理器則需要多個指令才能執(zhí)行等效的讀取-修改-寫操作。

另一個創(chuàng)新特性是低功耗啟動選項,借助該選項可在啟動順序或深度睡眠喚醒時減少峰值功率。這在因電池化學(xué)限制允許峰值電流的系統(tǒng)(例如,使用鋰離子電池的系統(tǒng))中尤為有用。此外,通過零漏電I/O和可避免過多電耗的外設(shè)時鐘門控配置,避免超過漏電電流。

Kinetis L 系列MCU采用飛思卡爾創(chuàng)新、屢獲殊榮的閃存技術(shù),提供業(yè)界功耗最低的閃存部署。這改進(jìn)了傳統(tǒng)的基于芯片的電荷存儲方法,創(chuàng)建了納米級硅島來存儲電荷,而不使用連續(xù)膜,進(jìn)一步使閃存不被典型的數(shù)據(jù)丟失因素所影響。

智能電源外設(shè)

Kinetis L系列MCU在外設(shè)內(nèi)實現(xiàn)了低功耗智能,允許外設(shè)在深度睡眠模式下通過備用時鐘源自主運行。L 系列外設(shè)猶如微型內(nèi)核,能夠在不喚醒主內(nèi)核或系統(tǒng)的前提下執(zhí)行任務(wù),從而大大降低功耗,提高電池使用壽命。例如,Kinetis L 系列 MCU包含異步DMA (ADMA)喚醒功能,允許某些外設(shè)在停止和VLPS模式下請求DMA傳輸。ADMA模塊將在外設(shè)和存儲器之間進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,而無需返回運行模式,也無需請求處理器進(jìn)行干預(yù)。支持外設(shè)在深度睡眠狀態(tài)下繼續(xù)運行,可向SRAM中的數(shù)據(jù)陣列來回傳輸數(shù)據(jù),直至收集到足夠數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。其它競爭產(chǎn)品則需要喚醒到全運行模式去激活外設(shè)并完成數(shù)據(jù)收集階段,然后返回深度睡眠模式。

例如,回到圖 1。采用Kinetis L 系列 MCU,數(shù)據(jù)收集階段在深度睡眠模式下開始并顯示了低功耗定時器觸發(fā)的三個周期性事件。該定時器觸發(fā)低功耗ADC轉(zhuǎn)換啟動,并通過ADC內(nèi)置的比較特性將結(jié)果與預(yù)編程的閾值進(jìn)行對比。該特性可避免一旦得出的值不在理想?yún)?shù)范圍內(nèi)時需要存儲結(jié)果。請注意,前兩個事件不觸發(fā)去存儲結(jié)果。然而,最后一個事件則會觸發(fā),而不用喚醒CPU來存儲數(shù)據(jù),相當(dāng)微小的能量溢出。這是可以實現(xiàn)的,因為L系列的節(jié)能型外設(shè)支持異步DMA 喚醒功能,可以將ADC結(jié)果存儲到SRAM供以后處理,在這個過程中CPU依然處于睡眠狀態(tài)。在DMA傳輸完成后,MCU會自動返回深度睡眠模式。在通過低功耗UART收集或傳輸完足夠的數(shù)據(jù)后,CPU便可以‘喚醒’,并開始計算階段。這只是Kinetis L 系列 MCU提供節(jié)能外設(shè)的其中一個例子。

為了最大限度地利用深度睡眠電源模式的高能效,外設(shè)的智能集成是至關(guān)重要的。在傳統(tǒng)的MCU中,必須激活主時鐘和處理器內(nèi)核才能執(zhí)行任務(wù),即使是執(zhí)行發(fā)送或接收數(shù)據(jù)、捕捉或生成波形或采樣模擬信號等小任務(wù)也是如此。

表3

表3

Kinetis L系列MCU在正面比拼的競爭中勝出

在與競爭對手相應(yīng)的16位低功耗MCU展開正面能效基準(zhǔn)挑戰(zhàn)賽中,L 系列證明它是全球能效最高的入門級MCU。每個MCU都由完全相同的充電電路供電,并都對低功耗運行進(jìn)行了優(yōu)化。這些MCU執(zhí)行重復(fù)周期的EEMBC CoreMark®迭代,然后進(jìn)入五秒鐘的深度睡眠期,連續(xù)重復(fù)上述操作直到最后一個MCU依然能夠激活。在與同級別超高效競爭對手對比中,Kinetis L 系列MCU是堅持到最后的那款。

Kinetis L 系列MCU將一流的處理能力與卓越的低功耗運行相結(jié)合,測量得出的結(jié)果為15.9 CoreMark/mA,遠(yuǎn)高于最具競爭產(chǎn)品的參數(shù)(參見下圖2)。

圖 2:Kinetis KL02 MCU集一流的處理能力與卓越的低功耗運行于一身,以測量結(jié)果為15.9 CoreMark/mA,的優(yōu)異成績勝出。

圖 2:Kinetis KL02 MCU集一流的處理能力與卓越的低功耗運行于一身,以測量結(jié)果為15.9 CoreMark/mA,的優(yōu)異成績勝出。

結(jié)語

飛思卡爾的創(chuàng)新思維,通過Kinetis L系列MCU卓越的能效領(lǐng)導(dǎo)地位,為嵌入式系統(tǒng)打開了一扇新的大門,為物聯(lián)網(wǎng)帶來的希望。無論是需要延長電池壽命、提高便攜式性能、降低能源成本還是遵從能源標(biāo)準(zhǔn),飛思卡爾廣泛的嵌入式高能效產(chǎn)品解決方案都能夠使新一代應(yīng)用實現(xiàn)功耗與性能的完美平衡。

——本文選自電子發(fā)燒友網(wǎng)4月《物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)特刊》EE Design欄目



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