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模擬電源與數(shù)字電源技術(shù)哪個更有前景?

作者: 時間:2016-10-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

的關(guān)系,一直是業(yè)界討論的熱點話題。兩種技術(shù)哪個更有前景?未來會不會呈現(xiàn)“一邊倒”的趨勢?正巧兩位業(yè)界大佬先后蒞臨,且聽聽他們是怎么說的。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201610/307835.htm

處理負載與效率時,還得看

Microchip公司16位單片機部門產(chǎn)品營銷經(jīng)理Tom Spohrer表示,在應對負載與效率的關(guān)系時,技術(shù)更勝一籌。如圖1 CSCI效率要求圖所示,要想達到最高等級的鈦金標準,器件就必須要在負載水平50%的時候?qū)崿F(xiàn)96%的效率。而更為困難的,則是在負載水平10%的時候,效率達到90%。此時,傳統(tǒng)技術(shù)就非常難以實現(xiàn),很多用戶轉(zhuǎn)而投向數(shù)字電源。

他列舉了當前客戶使用的一些提高效率的做法,例如自適應算法,包括切向、死區(qū)調(diào)節(jié)、可變開關(guān)頻率、可變高電壓等。但他認為這樣做實際上對計算資源的要求會更高。當處理瞬態(tài)響應時,更快,但有時效率不夠高,而數(shù)字電源的優(yōu)勢在于當負載發(fā)生巨大變化,沒有達到預計輸出功率時,可以進行實時系數(shù)調(diào)整,以適應全新的負載的情況。此外,如果使用預測算法的話,數(shù)字電源無需采用控制環(huán)阻尼控制來進行脈寬調(diào)制,可以在最大值和最小值之間找到一個合理值,從而使得功率輸出達到一定的目標。

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工業(yè)開關(guān)電源的集成趨勢

Intersil公司工業(yè)電源市場與應用總監(jiān)Lokesh Duraiappah認為,數(shù)字控制器最重要的是PMBus遙測功能,通過該功能可監(jiān)測每一個負載的溫度、過電、過壓功能,因此主要應用于對功率順序和電壓余量有較高要求的場合。例如,現(xiàn)在計算、通信、服務器等應用都在使用FPGA,它有多個電壓軌,功率順序非常重要,這時數(shù)字控制器的靈活性要優(yōu)于模擬控制器。但對工業(yè)應用而言,它們往往不需特別高的功率,電路也不是特別復雜,對于PMBus遙測功能沒有非常嚴格的要求,反而是對占板空間、效率、解決負載點問題的需求很強烈,因此模擬控制器更為適合。

但他也同時指出,現(xiàn)在市場上對于消除中間級總線,直接把高壓(比如40V、36V、42V)轉(zhuǎn)化為低壓(包括3.3V、5V或者1V)的呼聲越來越高。此外,隨著FPGA、MCU、ASIC復雜性的日益上升,電壓軌數(shù)目增多,以及備用電池的使用增多等,也都正在成為工業(yè)通用型電源發(fā)展的新趨勢。

圖2展示了工業(yè)開關(guān)電源的集成趨勢:綠色區(qū)域代表現(xiàn)有完全集成式同步降壓穩(wěn)壓器的技術(shù),即所有的調(diào)制器、驅(qū)動器、功率MOSFET都集成在一個IC中;藍色區(qū)域則代表功率MOSFET和調(diào)制器分立的產(chǎn)品方案。Lokesh Duraiappah說十年前,綠色區(qū)域面積要比藍色區(qū)域小得多,但隨著LDMOS技術(shù)的發(fā)展,越來越多集成的解決方案被開發(fā)出來。不過,追求高輸入電壓和低電流的情況例外,只能選擇控制器+外部功率MOSFET的解決方案來實現(xiàn)。

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數(shù)字電源,沒有最好,只有更好

Microchip公司日前宣布推出含有14款新器件的dsPIC33EP“GS”系列數(shù)字信號控制器(DSC),可在開關(guān)頻率更高的情況下實施更為復雜的非線性預測及自適應控制算法,從而令電源設計實現(xiàn)更佳的能效和電源規(guī)格。此外,更高的開關(guān)頻率使得設計人員能夠以更低的成本開發(fā)出密度更高、體積更小的電源產(chǎn)品。相比上一代DSC產(chǎn)品,新型dsPIC33EP“GS”器件在應用于三極點三零點補償器時其延遲可縮短一半時間,而且在任何應用中均可節(jié)省多達80%的能耗。

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其實這款新產(chǎn)品的性能之所以能夠得到提升,有3個最為重要的原因:第一、采用主頻70MIPS的新內(nèi)核以取代此前50MIPS內(nèi)核;第二、在新內(nèi)核中整合全新寄存器功能;第三、將ADC速度提升一倍。

其實這款新產(chǎn)品的性能之所以能夠得到提升,有3個最為重要的原因:第一、采用主頻70MIPS的新內(nèi)核以取代此前50MIPS內(nèi)核;第二、在新內(nèi)核中整合全新寄存器功能;第三、將ADC速度提升一倍。

“這個現(xiàn)場選擇的寄存器集幾乎能夠?qū)崿F(xiàn)瞬時的現(xiàn)場切換。”Tom Spohrer說,新系列中集成了3個工作寄存器,一個正常工作,另外兩個作為備用。每個寄存器集分配特定的中斷優(yōu)先級,從一個中斷服務程序(ISR)調(diào)用另一個中斷服務程序時數(shù)據(jù)得以保存,減少了寄存器內(nèi)容的保存和恢復,使得補償器速度提高約50%,也顯著縮短了控制環(huán)的延遲。

5個12位ADC可提供16Msps的總吞吐量和300納秒的ADC延遲, 提前中斷最大程度減少了ISR開銷。最多22個模擬ADC輸入中,每個模擬輸入都有專用結(jié)果寄存器并支持差分輸入;自主數(shù)字比較器將結(jié)果與閾值電壓比較,并在發(fā)生過壓、欠壓和超出范圍等情況時產(chǎn)生中斷,不占用CPU資源,性能更高。在從ADC出發(fā)到PWM更新這一過程中,新器件將延遲時間減少了約2倍。

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GS系列器件還集成多種其它高級特性,比如對于高可用性或“永遠在工作”系統(tǒng)特別有用的即時更新閃存功能;四個模擬比較器均配有12位DAC,用于精度要求更高的設計;兩個片上可編程增益放大器可用于電流檢測以及其他精密測量等。Tom Spohrer特別提到了可用于更改工作電源固件(如主動補償計算代碼等),并同時保持連續(xù)的調(diào)節(jié)的即時更新功能。該功能通過雙閃存分區(qū)方式實現(xiàn),現(xiàn)有代碼在第一個閃存分區(qū)運行,更新部分代碼在第二閃存分區(qū)運行,兩者之間可在300納秒之內(nèi)完成轉(zhuǎn)換,使得整個電力供應過程在不受任何影響的前提下實現(xiàn)代碼更迭。

工業(yè)電源那么多參數(shù),我該怎么選?

在需要較低輸出電壓的高輸入電壓應用中,工程師通常依賴于會增加系統(tǒng)成本的模塊,或者是會增加解決方案尺寸和復雜性的二級DC/DC解決方案。但 Intersil日前推出的首款免中間步降轉(zhuǎn)換級的60V同步降壓控制器ISL8117解決了這一困擾,為低輸出電壓/輸入電壓比(Vout/Vin)的應用提供了經(jīng)濟而可靠的替代方案。

ISL8117的低占空比(導通時間最小40納秒)特性可支持從48V到1V負載點的直接步降轉(zhuǎn)換。通過使用帶有自適應斜坡補償?shù)墓戎惦娏髂J秸{(diào)制,ISL8117能夠支持寬范圍輸入電壓和輸出電壓組合的穩(wěn)定工作,且無需外部補償。系統(tǒng)工程師還能使用ISL8117最高2MHz的可調(diào)頻率來優(yōu)化電源成本、尺寸和效率。

Intersil方面稱,使用ISL8117,工程師能夠設計只需10個元件(包括MOSFET和被動元件)的完整DC/DC降壓轉(zhuǎn)換解決方案,并實現(xiàn)最高98%的轉(zhuǎn)換效率和達到1.5%的輸出電壓精度。ISL8117的低引腳數(shù)量和易于布局的引腳結(jié)構(gòu)還最大限度減少了重疊跡線的數(shù)量,進一步改善了電源性能。

工程師在進行工業(yè)電源設計時,該如何選擇控制器?他該最先關(guān)注哪些功能或參數(shù)?Lokesh Duraiappah對此回應稱,很多參數(shù)都是值得考慮的,比如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍等。從控制器角度來講,一個重要的因素是可以支持的最小接通時間,因為只有在最小接通時間非常低的情況下,才有可能實現(xiàn)大幅度調(diào)整;其次可以關(guān)注柵極驅(qū)動,即它能驅(qū)動的功率MOSFET的最大是多少;第三則要看易用性,在默認設置上看搜索頻率、軟啟動還有引腳數(shù)量是否滿意;第四大要素是開關(guān)頻率,在擁有很高的開關(guān)頻率的情況下,對電流波、效率、電感尺寸的選擇余地就非常大。當然,參考設計的使用也非常關(guān)鍵,畢竟誰都不愿意從頭再去對一個芯片做研究和探索。

但不論技術(shù)如何改進,對于電源產(chǎn)品來講,效率還是重中之重。Lokesh Duraiappah表示,通過改善產(chǎn)品架構(gòu)降低靜態(tài)電流將是未來的方向之一。針對FET技術(shù)和集成式控制器,會進一步投資技術(shù)來降低RDS,并不斷提升控制器的制造工藝,從而達到降低占板空間、提升效率的目的。

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但不論技術(shù)如何改進,對于電源產(chǎn)品來講,效率還是重中之重。Lokesh Duraiappah表示,通過改善產(chǎn)品架構(gòu)降低靜態(tài)電流將是未來的方向之一。針對FET技術(shù)和集成式控制器,會進一步投資技術(shù)來降低RDS,并不斷提升控制器的制造工藝,從而達到降低占板空間、提升效率的目的。



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