5G將至 眾半導(dǎo)體商誰(shuí)將成大贏家？

　　走在前頭的佼佼者

　　從上面的描述中，我們可以看到，5G給整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)了全新的挑戰(zhàn)，當(dāng)中有一些提早布局的公司會(huì)從中受益。處理器、內(nèi)存、顯示、電源、連接器這些廠(chǎng)商自然會(huì)獲得受益，但一些與5G密切相關(guān)的材料、制造、封裝和射頻相關(guān)的廠(chǎng)商，從5G獲取的好處是自不然更多的。先說(shuō)一下射頻方面。

　　從現(xiàn)在的市場(chǎng)現(xiàn)狀分析，目前全球的RF前端主要被海外巨頭壟斷，市場(chǎng)呈寡頭之勢(shì)。如在濾波器領(lǐng)域，日企 Murata、TDK 和 Taiyo Yuden 占據(jù) SAW 雙工器 85%以上。BAW 雙工器市場(chǎng)基本被博通壟斷，博通占據(jù) 87%的市場(chǎng)份額;

　　功率放大器市場(chǎng)基本被 Skyworks、Qorvo、Broadcom 三家企業(yè)占據(jù)，三家企業(yè)市場(chǎng)份額達(dá) 93%;

　　天線(xiàn)領(lǐng)域市場(chǎng)相對(duì)較為分散，也是國(guó)內(nèi)企業(yè)有所參與的領(lǐng)域：華為占據(jù)全球天線(xiàn)市場(chǎng)約23%的市占率，是全球第二大天線(xiàn)供應(yīng)商。全球最大的天線(xiàn)供應(yīng)商是 Kathrein，占據(jù) 25%的市場(chǎng)份額(此處僅統(tǒng)計(jì)基站天線(xiàn));PAmiDs 整合模塊(包括 PA、雙工器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān))環(huán)節(jié)，Skyworks、Qorvo、Broadcom三家企業(yè)占據(jù) 99%的市場(chǎng)份額。

　　由于篇幅有限，我們不能每個(gè)都分析，就從最具代表性的技術(shù)和公司進(jìn)行分析。首先就談一下射頻這塊。

　　目前，射頻器件中的功率放大器主要采用基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。

　　但是硅基技術(shù)在高頻應(yīng)用領(lǐng)域存在局限性：LDMOS 功率放大器的帶寬會(huì)隨著頻率的增加而

　　大幅減少，LDMOS 僅在不超過(guò)約 3.5GHz 的頻率范圍內(nèi)有效。

　　隨著通訊頻段向高頻遷移，基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的功率放大器。如今，GaN 是

　　有可能滿(mǎn)足這些要求的唯一普及的技術(shù)：GaN 功率放大器已經(jīng)能處理 50GHz 或以上的毫米

　　波頻率。另外，GaN 功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。雖然目前從

　　性?xún)r(jià)比考慮，LDMOS 將仍然會(huì)是中低端頻率的主流，但是在在 10GHz 以上的頻段，GaN

　　的優(yōu)勢(shì)非常大。我們認(rèn)為 5G 時(shí)代 GaN 功率放大器將成為超高頻通信領(lǐng)域的首選，Qorvo算是最先切入的廠(chǎng)商之一。

　　(1) Qorvo

　　作為全球知名的射頻方案提供商，Qorvo在5G方面的布局是非常領(lǐng)先的。這首先體現(xiàn)在GaAs器件的布局上。Qorvo表示，由于毫米波的應(yīng)用。對(duì)新型器件就有了強(qiáng)烈的需求，與砷化鎵和硅等材料相比，GaN在有高頻率需求小型基站需求的5G中優(yōu)勢(shì)是非常明顯，而5G也會(huì)驅(qū)動(dòng)很多技術(shù)的進(jìn)步。

　　5G演進(jìn)之路

　　GaN擁有更高的功率密度，將會(huì)帶來(lái)小尺寸、低電流損耗和高系統(tǒng)效率等優(yōu)勢(shì)。

　　除了基站外，Qorvo也推動(dòng)GaN器件在手持設(shè)備上的普及。

　　Qorvo表示，GaN器件一開(kāi)始是被應(yīng)用在如軍事雷達(dá)等軍事用途，逐漸則被推進(jìn)到了商業(yè)基站和有線(xiàn)電視中繼等領(lǐng)域，但這些應(yīng)用的工作電壓基本上都是處于28V到48V之間。但我們知道移動(dòng)手持設(shè)備的工作電壓都是2.7到5V，為了推動(dòng)這些GaN器件在手機(jī)上應(yīng)用，Qorvo正在應(yīng)用替代材料，適配相關(guān)的電壓。

　　而Qorvo目前也推出了一些GaN器件，以滿(mǎn)足5G的應(yīng)用。當(dāng)中包括了一些高壓低頻率和高頻率的器件。

　　Qorvo的 GaN路線(xiàn)圖