arm匯編：ldr,str,ldm,stm,偽指令ldr
加入技術交流群
這幾個指令命名看起來不易記住，現(xiàn)在找找規(guī)律。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201611/318798.htm| 指令 | 樣本 | 效果 | 歸納名稱解釋 |
| ldr Rd,addressing | ldr r1,[r0] | addressing to Rd [mem to reg] | load to register |
| str Rd,addressing | str r1,[r0] | Rd ro addressing [reg to mem] | store register |
| ldm Rn,reglist | ldmfd sp!,{r0-r7,pc} | *sp to reglist[mem to reg] | load to reglist |
| stm Rn,reglist | stmfd sp!,{r0-r7,lr} | reglist to *sp[reg to mem] | store reglist |
因此ldr,str,ldm,stm的命名均是以reg寄存器為主體，ld表示load裝載寄存器，st表示store保存寄存器。 裝載的源頭、保存的去處就是內存了。 | |||
ldr同時還是偽指令，這時必然形為： ldr reg, =expr 。expr可以是一個32位立即數(shù)，也可以是一個標號。
ldr意為大范圍地址讀取指令，并且讀的是基于pc的相對偏移的地址值。
adr為小范圍地址讀取偽指令，將基于PC相對偏移的地址值讀取到寄存器中。adr register,exper
可用于進行程序跳轉，也可用于在數(shù)據(jù)池中查找數(shù)據(jù)。
adr r0,DispTab ;加載轉換表地址到r0。; DispTab編譯后是一個固定的地址，這個地址后的空間存放了N個單位的數(shù)據(jù)。程序運行起來后的地址和編譯地址或有不同。這個指令加載的是運行時的地址。ldrb r1,[r0,r2] ;以r2的值為偏移量，讀取轉化表中的數(shù)據(jù)到r1中。....DispTab DCB 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0
adlr為中范圍地址讀取偽指令，比adr可讀取的地址范圍更大。
;=================; Memory control;=================BWSCON EQU 0x48 ;Bus width & wait statusBANKCON0 EQU 0x48004 ;Boot ROM controlBANKCON1 EQU 0x48008 ;BANK1 controlBANKCON2 EQU 0x4800c ;BANK2 controlBANKCON3 EQU 0x48010 ;BANK3 controlBANKCON4 EQU 0x48014 ;BANK4 controlBANKCON5 EQU 0x48018 ;BANK5 controlBANKCON6 EQU 0x4801c ;BANK6 controlBANKCON7 EQU 0x48020 ;BANK7 controlREFRESH EQU 0x48024 ;DRAM/SDRAM refreshBANKSIZE EQU 0x48028 ;Flexible Bank SizeMRSRB6 EQU 0x4802c ;Mode register set for SDRAM Bank6MRSRB7 EQU 0x48030 ;Mode register set for SDRAM Bank7;要設置的mem控制寄存器，共13個。;*******************************************;;in init.s .
. .SetMemController
adrl r0, SMRDATA ldr r1,=BWSCON ;BWSCON Addressadd r2, r0, #52 ;End address of SMRDATA0ldr r3, [r0], #4 ;unsigned int *pValue = (unsigned int*)SMRDATA ; r3 = pValue[0] , pValue+=1;str r3, [r1], #4 ;unsigned int *reg_addr = (unsigned int*)BWSCON ; *reg_addr = r3 ; reg_addr+=1;cmp r2, r0 ;if(pValue != SMRDATA+52) {loop };bne %B0;end of SetMemController.
. .LTORGSMRDATA DATA; Memory configuration should be optimized for best performance; The following parameter is not optimized.; Memory access cycle parameter strategy; 1) The memory settings is safe parameters even at HCLK=75Mhz.; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz.DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC)) ;GCS0DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC)) ;GCS1DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC)) ;GCS2DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC)) ;GCS3DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC)) ;GCS4DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC)) ;GCS5DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN)) ;GCS6DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN)) ;GCS7DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Tsrc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)DCD 0x32 ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128MDCD 0x20 ;MRSR6 CL=2clkDCD 0x20 ;MRSR7 CL=2clk
;mem設置參數(shù)值的數(shù)據(jù)池。共13*4bytes。;********************************************************* . . .
評論