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arm匯編:ldr,str,ldm,stm,偽指令ldr

作者: 時間:2016-11-20 來源:網(wǎng)絡 收藏
ldr,str,ldm,stm的命名規(guī)律:

這幾個指令命名看起來不易記住,現(xiàn)在找找規(guī)律。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/318798.htm
指令樣本效果歸納名稱解釋
ldr Rd,addressingldr r1,[r0]addressing to Rd [mem to reg]load to register
str Rd,addressingstr r1,[r0]Rd ro addressing [reg to mem]store register
ldm Rn,reglistldmfd sp!,{r0-r7,pc}*sp to reglist[mem to reg]load to reglist
stm Rn,regliststmfd sp!,{r0-r7,lr}reglist to *sp[reg to mem]store reglist

因此ldr,str,ldm,stm的命名均是以reg寄存器為主體,ld表示load裝載寄存器,st表示store保存寄存器。

裝載的源頭、保存的去處就是內(nèi)存了。

ldr同時還是偽指令,這時必然形為: ldr reg, =expr 。expr可以是一個32位立即數(shù),也可以是一個標號。

ldr意為大范圍地址讀取指令,并且讀的是基于pc的相對偏移的地址值。

adr為小范圍地址讀取偽指令,將基于PC相對偏移的地址值讀取到寄存器中。adr register,exper

可用于進行程序跳轉(zhuǎn),也可用于在數(shù)據(jù)池中查找數(shù)據(jù)。

adr r0,DispTab   ;加載轉(zhuǎn)換表地址到r0。; DispTab編譯后是一個固定的地址,這個地址后的空間存放了N個單位的數(shù)據(jù)。程序運行起來后的地址和編譯地址或有不同。這個指令加載的是運行時的地址。ldrb r1,[r0,r2]  ;以r2的值為偏移量,讀取轉(zhuǎn)化表中的數(shù)據(jù)到r1中。....DispTab     DCB 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0

adlr為中范圍地址讀取偽指令,比adr可讀取的地址范圍更大。

;=================; Memory control;=================BWSCON      EQU  0x48     ;Bus width & wait statusBANKCON0    EQU  0x48004     ;Boot ROM controlBANKCON1    EQU  0x48008     ;BANK1 controlBANKCON2    EQU  0x4800c     ;BANK2 controlBANKCON3    EQU  0x48010     ;BANK3 controlBANKCON4    EQU  0x48014     ;BANK4 controlBANKCON5    EQU  0x48018     ;BANK5 controlBANKCON6    EQU  0x4801c     ;BANK6 controlBANKCON7    EQU  0x48020     ;BANK7 controlREFRESH     EQU  0x48024     ;DRAM/SDRAM refreshBANKSIZE    EQU  0x48028     ;Flexible Bank SizeMRSRB6      EQU  0x4802c     ;Mode register set for SDRAM Bank6MRSRB7      EQU  0x48030     ;Mode register set for SDRAM Bank7;要設置的mem控制寄存器,共13個。;*******************************************;;in init.s  .
  .  .SetMemController
  adrl    r0, SMRDATA    ldr    r1,=BWSCON    ;BWSCON Addressadd    r2, r0, #52    ;End address of SMRDATA0ldr    r3, [r0], #4    ;unsigned int *pValue = (unsigned int*)SMRDATA ;  r3 = pValue[0] , pValue+=1;str    r3, [r1], #4    ;unsigned int *reg_addr = (unsigned int*)BWSCON ;  *reg_addr = r3 ; reg_addr+=1;cmp    r2, r0          ;if(pValue != SMRDATA+52) {loop };bne    %B0;end of SetMemController
  .
  .  .LTORGSMRDATA DATA; Memory configuration should be optimized for best performance; The following parameter is not optimized.; Memory access cycle parameter strategy; 1) The memory settings is  safe parameters even at HCLK=75Mhz.; 2) SDRAM refresh period is for HCLK<=75Mhz.DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC))   ;GCS0DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC))   ;GCS1DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC))   ;GCS2DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC))   ;GCS3DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC))   ;GCS4DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC))   ;GCS5DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN))    ;GCS6DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN))    ;GCS7DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Tsrc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)DCD 0x32        ;SCLK power saving mode, BANKSIZE 128M/128MDCD 0x20        ;MRSR6 CL=2clkDCD 0x20        ;MRSR7 CL=2clk
;mem設置參數(shù)值的數(shù)據(jù)池。共13*4bytes。;*********************************************************  .  .  .



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