關(guān)于正確配置AVR熔絲位

（1）在AVR的器件手冊(cè)中，對(duì)熔絲位使用已編程（Programmed）和未編程（Unprogrammed）定義熔絲位的狀態(tài)，“Unprogrammed”表示熔絲狀態(tài)為“1”（禁止）；“Programmed”表示熔絲狀態(tài)為“0”（允許）。因此，配置熔絲位的過程實(shí)際上是“配置熔絲位成為未編程狀態(tài)“1”或成為已編程狀態(tài)“0””。
（2）在使用通過選擇打鉤“√”方式確定熔絲位狀態(tài)值的編程工具軟件時(shí)，請(qǐng)首先仔細(xì)閱讀軟件的使用說明，弄清楚“√”表示設(shè)置熔絲位狀態(tài)為“0”還是為“1”。
（3）使用CVAVR中的編程下載程序時(shí)應(yīng)特別注意，由于CVAVR編程下載界面初始打開時(shí)，大部分熔絲位的初始狀態(tài)定義為“1”，因此不要使用其編程菜單選項(xiàng)中的“all”選項(xiàng)。此時(shí)的“all”選項(xiàng)會(huì)以熔絲位的初始狀態(tài)定義來配置芯片的熔絲位，而實(shí)際上其往往并不是用戶所需要的配置結(jié)果。如果要使用“all”選項(xiàng)，應(yīng)先使用“read->fusebits”讀取芯片中熔絲位實(shí)際狀態(tài)后，再使用“all”選項(xiàng)。
（4）新的AVR芯片在使用前，應(yīng)首先查看它熔絲位的配置情況，再根據(jù)實(shí)際需要，進(jìn)行熔絲位的配置，并將各個(gè)熔絲位的狀態(tài)記錄備案。
（5）AVR芯片加密以后僅僅是不能讀取芯片內(nèi)部Flash和E2PROM中的數(shù)據(jù)，熔絲位的狀態(tài)仍然可以讀取但不能修改配置。芯片擦除命令是將Flash和E2PROM中的數(shù)據(jù)清除，并同時(shí)將兩位鎖定位狀態(tài)配置成“11”，處于無鎖定狀態(tài)。但芯片擦除命令并不改變其它熔絲位的狀態(tài)。
（6）正確的操作程序是：在芯片無鎖定狀態(tài)下，下載運(yùn)行代碼和數(shù)據(jù)，配置相關(guān)的熔絲位，最后配置芯片的鎖定位。芯片被鎖定后，如果發(fā)現(xiàn)熔絲位配置不對(duì)，必須使用芯片擦除命令，清除芯片中的數(shù)據(jù)，并解除鎖定。然后重新下載運(yùn)行代碼和數(shù)據(jù)，修改配置相關(guān)的熔絲位，最后再次配置芯片的鎖定位。
（7）使用ISP串行方式下載編程時(shí)，應(yīng)配置SPIEN熔絲位為“0”。芯片出廠時(shí)SPIEN位的狀態(tài)默認(rèn)為“0”，表示允許ISP串行方式下載數(shù)據(jù)。只有該位處于編程狀態(tài)“0”，才可以通過AVR的SPI口進(jìn)行ISP下載，如果該位被配置為未編程“1”后，ISP串行方式下載數(shù)據(jù)立即被禁止，此時(shí)只能通過并行方式或JTAG編程方式才能將SPIEN的狀態(tài)重新設(shè)置為“0”，開放ISP。通常情況下，應(yīng)保持SPIEN的狀態(tài)為“0”，允許ISP編程不會(huì)影響其引腳的I/O功能，只要在硬件電路設(shè)計(jì)時(shí)，注意ISP接口與其并接的器件進(jìn)行必要的隔離，如使用串接電阻或斷路跳線等。
（8）當(dāng)你的系統(tǒng)中，不使用JTAG接口下載編程或?qū)崟r(shí)在線仿真調(diào)試，且JTAG接口的引腳需要作為I/O口使用時(shí)，必須設(shè)置熔絲位JTAGEN的狀態(tài)為“1”。芯片出廠時(shí)JTAGEN的狀態(tài)默認(rèn)為“0”，表示允許JTAG接口，JTAG的外部引腳不能作為I/O口使用。當(dāng)JTAGEN的狀態(tài)設(shè)置為“1”后，JTAG接口立即被禁止，此時(shí)只能通過并行方式或ISP編程方式才能將JTAG重新設(shè)置為“0”，開放JTAG。
（9）一般情況下不要設(shè)置熔絲位把RESET引腳定義成I/O使用（如設(shè)置ATmega8熔絲位RSTDISBL的狀態(tài)為“0”），這樣會(huì)造成ISP的下載編程無法進(jìn)行，因?yàn)樵谶M(jìn)入ISP方式編程時(shí)前，需要將RESET引腳拉低，使芯片先進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。
（10）使用內(nèi)部有RC振蕩器的AVR芯片時(shí)，要特別注意熔絲位CKSEL的配置。一般情況下，芯片出廠時(shí)CKSEL位的狀態(tài)默認(rèn)為使用內(nèi)部1MHz的RC振蕩器作為系統(tǒng)的時(shí)鐘源。如果你使用了外部振蕩器作為系統(tǒng)的時(shí)鐘源時(shí)，不要忘記首先正確配置CKSEL熔絲位，否則你整個(gè)系統(tǒng)的定時(shí)都會(huì)出現(xiàn)問題。而當(dāng)在你的設(shè)計(jì)中沒有使用外部振蕩器（或某鐘特定的振蕩源）作為系統(tǒng)的時(shí)鐘源時(shí)，千萬不要誤操作或錯(cuò)誤的把CKSEL熔絲位配置成使用外部振蕩器（或其它不同類型的振蕩源）。一旦這種情況產(chǎn)生，使用ISP編程方式則無法對(duì)芯片操作了（因?yàn)镮SP方式需要芯片的系統(tǒng)時(shí)鐘工作并產(chǎn)生定時(shí)控制信號(hào)），芯片看上去“壞了”。此時(shí)只有使用取下芯片使用并行編程方式，或使用JTAG方式（如果JTAG為允許時(shí)且目標(biāo)板上留有JTAG接口）來解救了。另一種解救的方式是：嘗試在芯片的晶體引腳上臨時(shí)人為的疊加上不同類型的振蕩時(shí)鐘信號(hào)，一旦ISP可以對(duì)芯片操作，立即將CKSEL配置成使用內(nèi)部1MHz的RC振蕩器作為系統(tǒng)的時(shí)鐘源，然后再根據(jù)實(shí)際情況重新正確配置CKSEL。
（11）使用支持IAP的AVR芯片時(shí)，如果你不使用BOOTLOADER功能，注意不要把熔絲位BOOTRST設(shè)置為“0”狀態(tài)，它會(huì)使芯片在上電時(shí)不是從Flash的0x0000處開始執(zhí)行程序。芯片出廠時(shí)BOOTRST位的狀態(tài)默認(rèn)為“1”。關(guān)于BOOTRST的配置以及BOOTLOADER程序的設(shè)計(jì)與IAP的應(yīng)用請(qǐng)參考本章相關(guān)內(nèi)容。
ATmega128中重要熔絲位的配置
上一小節(jié)介紹了配置AVR熔絲位的要點(diǎn)和注意事項(xiàng)，本小節(jié)把在一般情況下使用ATmega128時(shí)，幾個(gè)重要的熔絲位配置情況進(jìn)行說明。
（1）熔絲位M103C。M103C的配置將設(shè)定ATmega128是以ATmega103兼容方式工作運(yùn)行還是以ATmega128本身的方式工作運(yùn)行。ATmega128在出廠時(shí)M103C默認(rèn)狀態(tài)為“0”，即默認(rèn)以ATmega103兼容方式工作。當(dāng)用戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)使芯片以ATmega128方式工作時(shí)，應(yīng)首先將M103C的狀態(tài)配置為“1”。
（2）CLKSEL0..3。CLKSEL0、CLKSEL1、CLKSEL2、CLKSEL3用于選擇系統(tǒng)的時(shí)鐘源。有五種不同類型的時(shí)鐘源可供選擇（每種類型還有細(xì)的劃分）。芯片出廠時(shí)的默認(rèn)情況為CLKSEL3..0和SUT1..0分別是“0001”和“10”。即使用內(nèi)部1MHzRC振蕩器，使用最長(zhǎng)的啟動(dòng)延時(shí)。這保證了無論外部振蕩電路是否工作，都可以進(jìn)行最初的ISP下載。對(duì)于CLKSEL3..0熔絲位的改寫需要十分慎重，因?yàn)橐坏└膶戝e(cuò)誤，會(huì)造成芯片無法啟動(dòng)，見上一小節(jié)第10點(diǎn)說明。
（3）JTAGEN。如果不使用JTAG接口，應(yīng)將JTAGEN的狀態(tài)設(shè)置為“1”，即禁止JTAG，JTAG引腳用于I/O口。
（4）SPIEN。SPI方式下載數(shù)據(jù)和程序允許，默認(rèn)狀態(tài)為允許“0”。一般保留其狀態(tài)。
（5）WDTON?？撮T狗的定時(shí)器始終開啟。WDTON默認(rèn)為“1”，即禁止看門狗的定時(shí)器始終開啟。如果該位設(shè)置為“0”后，看門狗的定時(shí)器就會(huì)始終打開，不能被內(nèi)部程序控制了，這是為了防止當(dāng)程序跑飛時(shí)，未知代碼通過寫寄存器將看門狗定時(shí)器關(guān)斷而設(shè)計(jì)的（盡管關(guān)斷看門狗定時(shí)器需要特殊的方式，但它保證了更高的可靠行）。
（6）EESAVE。執(zhí)行擦除命令時(shí)是否保留E2PROM中的內(nèi)容，默認(rèn)狀態(tài)為“1”，表示E2PROM中的內(nèi)容同F(xiàn)lash中的內(nèi)容一同擦除。如果該位設(shè)置為“0”，對(duì)程序進(jìn)行下載前的擦除命令只會(huì)對(duì)FLASH代碼區(qū)有效，而對(duì)E2PROM區(qū)無效。這對(duì)于希望在系統(tǒng)更新程序時(shí)，需要保留E2PROM中數(shù)據(jù)的情況下是十分有用的。
（7）BOOTRST。決定芯片上電起動(dòng)時(shí)，第一條執(zhí)行指令的地址。默認(rèn)狀態(tài)為“1”，表示起動(dòng)時(shí)從0x0000開始執(zhí)行。如果BOOTRST設(shè)置為“0”，則起動(dòng)時(shí)從BOOTLOADER區(qū)的起始地址處開始執(zhí)行程序。BOOTLOADER區(qū)的大小由BOOTSZ1和BOOTSZ0決定，因此其首地址也隨之變化。
（8）BOOTSZ1和BOOTSZ0：這兩位確定了BOOTLOADER區(qū)的大小以及其起始的首地址。默認(rèn)的狀態(tài)為“00”，表示BOOTLOADER區(qū)為4096字，起始首地址為0xF000。
（9）推薦用戶使用ISP方式配置熔絲位。配置工具選用BASCOM-AVR（網(wǎng)上下載試用版，它對(duì)ISP下載無限制），和STK200/STK300兼容的下載電纜（見第四章內(nèi)容）。

注：不同AVR的熔絲也不同，使用前必須仔細(xì)查看芯片手冊(cè)。
要重視手冊(cè)學(xué)習(xí)，不僅是掌握如何使用，也是從根本上認(rèn)識(shí)和掌握原理和結(jié)構(gòu)。對(duì)于硬件工程師來將，數(shù)據(jù)手冊(cè)是真正的“經(jīng)書”，其它都是“修練經(jīng)驗(yàn)”。不熟讀“經(jīng)書”，你無法修_煉成“仙”的。這也是《M128》、《M8》的目的之一！

mega8熔絲位：1：未編程（不選中）0：編程（選中）
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熔絲位 說明 缺省設(shè)置
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RSTDISBL: 復(fù)位或I/O功能選擇 1 1：復(fù)位功能；0：I/O功能（PC6）
WDTON: 看門狗開關(guān) 1 1：看門狗打開（通過WDTCR允許）；0：看門狗禁止
SPIEN: SPI下載允許 0 1：SPI下載禁止；0：SPI下載允許（注：當(dāng)使用SPI編程時(shí)，該項(xiàng)不可用）
EEAVE: 燒錄時(shí)EEPROM數(shù)據(jù)保留 1 1：不保留；0：保留
BODEN: BOD功能控制 1 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允許
BODLEVEL: BOD電平選擇 1 1：2.7V電平；0：4.0V電平
BOOTRST: 復(fù)位入口選擇 1 1：程序從0x0000地址開始執(zhí)行；0：程序從引導(dǎo)區(qū)確定的入口地址開始執(zhí)行
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BOOTSZ1/0: 引導(dǎo)程序大小及入口 00
00：1024Word/0xc00；
01：512Word/0xe00；
10：256Word/0xf00；
11：128Word/0xf80
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BLB02/01: 程序區(qū)指令位選擇 11
11：SPM和LPM指令都允許執(zhí)行
10：SPM指令禁止寫程序區(qū)
01：引導(dǎo)區(qū)LPM指令禁止讀取程序區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在引導(dǎo)區(qū)，則禁止該中斷在程序區(qū)執(zhí)行。
00：SPM指令禁止寫程序區(qū)；引導(dǎo)區(qū)LPM指令禁止讀取程序區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在引導(dǎo)區(qū)，則禁止該中斷在程序區(qū)執(zhí)行。
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BLB12/11: 引導(dǎo)區(qū)指令位選擇 11
11：SPM和LPM指令都允許執(zhí)行
10：SPM指令禁止寫引導(dǎo)區(qū)
01：程序區(qū)LPM指令禁止讀取引導(dǎo)區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在程序區(qū)，則禁止該中斷在引導(dǎo)區(qū)執(zhí)行。
00：SPM指令禁止寫引導(dǎo)區(qū)；程序區(qū)LPM指令禁止讀取引導(dǎo)區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在程序區(qū)，則禁止該中斷在引導(dǎo)區(qū)執(zhí)行。
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LB2/1: 程序區(qū)加密位選擇 11
11：未加密
10：程序和EEPROM編程功能禁止，熔絲位鎖定
00：程序和EEPROM編程及校驗(yàn)功能禁止，熔絲位鎖定
（注：先編程其他熔絲位，再編程加密位）
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CKSEL3/0: 時(shí)鐘源選擇 0001
CKOPT: 晶振選擇 1
SUT1/0: 復(fù)位啟動(dòng)時(shí)間選擇 10
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CKSEL3/0＝0000：外部時(shí)鐘，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1管腳對(duì)GND接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
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CKSEL3/0＝0001－0100：已經(jīng)校準(zhǔn)的內(nèi)部RC振蕩，CKOPT總為1
0001：1.0M
0010：2.0M
0011：4.0M
0100：8.0M
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CKSEL3/0＝0101－1000：外部RC振蕩，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1管腳對(duì)GND接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
0101：<0.9M
0110：0.9-3.0M
0111：3.0-8.0M
1000：8.0-12.0M
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CKSEL3/0＝1001：外部低頻晶振，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1/XTAL2管腳對(duì)GND各接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
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CKSEL3/0＝1010－1111：外部晶振，陶瓷振蕩子，CKOPT＝0：高幅度振蕩輸出；CKOPT＝1：低幅度振蕩輸出
101X：0.4-0.9M
110X：0.9-3.0M
111X：3.0-8.0M
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SUT1/0: 復(fù)位啟動(dòng)時(shí)間選擇
當(dāng)選擇不同晶振時(shí)，SUT有所不同。

三、時(shí)鐘選擇一覽表
時(shí)鐘源 啟動(dòng)延時(shí) 熔絲
外部時(shí)鐘 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00
外部時(shí)鐘 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01
外部時(shí)鐘 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10
外部RC振蕩≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01
低頻晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10
低石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9M) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10
中石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0M) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10
高石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0M) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11
注：1、出廠默認(rèn)設(shè)置
注意：CKOPT=1（未編程）時(shí)，最大工作頻率為8MHZ
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01

還有進(jìn)入不了編程模式，提示連接不正常的，可以這樣修復(fù)，我親自試過，好極了。也是轉(zhuǎn)帖的
當(dāng)改動(dòng)了AVR的熔絲位配置，重新加電后，想再用ISP下載，提示：“進(jìn)入編程模式失敗”等，極有可能是搞錯(cuò)了熔絲位，導(dǎo)致芯片不知道使用何種主頻而無法正常工作(僅限于內(nèi)部RC振蕩的情況)。
通過外加有源晶振的辦法，讓其恢復(fù)。
使用51系列單片機(jī)的ALE引腳作為外部時(shí)鐘源，將51系列的ALE引腳與M16的XTAL1引腳相連接。我親手試了一下，效果是立竿見影，很快的恢復(fù)了錯(cuò)誤設(shè)置的熔絲位。

論壇轉(zhuǎn)帖：

在給ATMEGA8單片機(jī)編程時(shí)候使用AVR-frighter 軟件，結(jié)果編程使用了內(nèi)部晶振，運(yùn)行速度很慢。請(qǐng)問怎么設(shè)置才能使用外部晶振。我外部用的24M晶振。還要怎樣設(shè)置才能用外部？

問題解決，沒正確配置熔絲，外部晶體不起振，頻率計(jì)測(cè)不到。照下圖配置，搞定。M8 和M16一樣。