2016年中國集成電路銷售額將超4300億元

　　今年以來，全球經(jīng)濟(jì)一直未完全走出金融危機(jī)陰影，整體復(fù)蘇疲弱乏力，增速持續(xù)放緩，傳統(tǒng)PC業(yè)務(wù)進(jìn)一步萎縮，智能終端市場需求逐步減弱，云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)帶來的新興市場需求尚未爆發(fā)。美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，受此影響，今年1-6月全球半導(dǎo)體市場銷售規(guī)模依舊呈現(xiàn)下滑態(tài)勢，為1574億美元，同比下降5.8%。

　　與此相反，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》(以下簡稱《推進(jìn)綱要》)經(jīng)過近兩年的系統(tǒng)實(shí)施，第一階段目標(biāo)已順利完成。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡稱國家基金)金融杠桿作用逐步顯現(xiàn)，適應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策環(huán)境和投融資環(huán)境基本形成。在政策支持以及市場需求帶動(dòng)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢。

　　2016年集成電路行業(yè)呈四大特點(diǎn)

　　第一，產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)增長，但進(jìn)出口受經(jīng)濟(jì)下行壓力影響較大。

　　今年以來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持高位趨穩(wěn)、穩(wěn)中有進(jìn)的發(fā)展態(tài)勢。國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，1-9月全國集成電路的產(chǎn)量為943.9億塊，同比增長約18.2%。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，1-6月全行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售額為1847.1億元，同比增長16.1%，其中，設(shè)計(jì)業(yè)繼續(xù)保持較快增速，銷售額為685.5億元，同比增長24.6%，制造業(yè)銷售額為454.8億元，同比增長14.8%，封裝測試業(yè)銷售額為706.8億元，同比增長9.5%。但海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，1-9月全國集成電路進(jìn)出口額均出現(xiàn)不同程度的下滑。其中，進(jìn)口金額1615.5億美元，同比下降0.7%，出口金額444.7 億美元，同比下降5.4%，整體經(jīng)濟(jì)面臨下行壓力對我國集成電路產(chǎn)業(yè)造成了一定影響。

　　第二，技術(shù)水平和企業(yè)實(shí)力同步提升。

　　今年以來，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)在多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域取得了喜人的成果。芯片設(shè)計(jì)方面，16納米先進(jìn)設(shè)計(jì)水平進(jìn)一步提升，華為海思目前已經(jīng)發(fā)布了麒麟950 、955、960三款基于16納米FinFET技術(shù)的商用SoC芯片;芯片制造方面，今年2月中芯國際宣布其28納米高介電常數(shù)金屬閘極工藝已經(jīng)成功流片，這標(biāo)志著中芯國際成為大陸首家能夠同時(shí)提供28納米多晶硅和高介電常數(shù)金屬閘極工藝的晶圓代工企業(yè)，在量產(chǎn)的基礎(chǔ)上完成技術(shù)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)了該工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)覆蓋;封裝測試方面，長電科技斥資2億美元助力星科金朋積極布局高端SiP項(xiàng)目，隨著下游高端客戶的需求提升及公司SiP產(chǎn)能擴(kuò)大，將帶動(dòng)星科金朋營收及利潤快速增長。

　　與此同時(shí)，國內(nèi)骨干集成電路企業(yè)整體實(shí)力也在持續(xù)提升。海思半導(dǎo)體、清華紫光分列全球設(shè)計(jì)企業(yè)排名第六、第十位。中芯國際今年上半年銷售額達(dá)到13.25億美元，同比增長25.4%，凈利潤1.59億美元，同比增長20.3%，已實(shí)現(xiàn)連續(xù)17個(gè)季度贏利。與此同時(shí)，通過資本運(yùn)作，中芯國際先后收購了國內(nèi)封裝測試龍頭長電科技、意大利汽車電子芯片代工企業(yè)LFoundry公司14.26%和70%股份，成為上述兩家公司的第一大股東。

　　第三，國際合作持續(xù)推進(jìn)，重點(diǎn)產(chǎn)品布局初步成型。

　　《推進(jìn)綱要》發(fā)布以來，海外龍頭企業(yè)不斷調(diào)整與我國合作策略，逐步由獨(dú)資經(jīng)營向技術(shù)授權(quán)、戰(zhàn)略投資、先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、合資經(jīng)營等方式轉(zhuǎn)變，國際先進(jìn)技術(shù)、資金加速向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。今年1月，英特爾、高通分別與清華大學(xué)、瀾起科技以及貴州省簽署協(xié)議，在服務(wù)器芯片領(lǐng)域開展深度合作。其中，英特爾授權(quán)清華大學(xué)、瀾起科技X86架構(gòu)，開發(fā)“CPU+FPGA”結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)服務(wù)器芯片;高通與貴州省政府成立了合資公司，開發(fā)基于ARM架構(gòu)的高性能服務(wù)器芯片。此外，一批芯片制造重大項(xiàng)目陸續(xù)啟動(dòng)。如武漢存儲(chǔ)器項(xiàng)目于3月開工建設(shè)，總投資240億美元;臺(tái)積電在南京啟動(dòng)了總投資30億美元的12英寸先進(jìn)邏輯工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2018年下半年投產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)到2萬片;福建晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目于7月開工建設(shè)，項(xiàng)目一期投資370億元，預(yù)計(jì)2018 年形成月產(chǎn)能6萬片DRAM芯片生產(chǎn)能力。

　　第四，國家基金對地方性基金撬動(dòng)作用進(jìn)一步凸顯。

　　今年以來，國內(nèi)陸續(xù)新增多支地方性集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，總規(guī)模超過500億元。其中，湖南省于3月設(shè)立了先期2.5億元規(guī)模的集成電路創(chuàng)業(yè)投資基金，并計(jì)劃于2015年~2017年階段性設(shè)立30億~ 50億元規(guī)模的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金;上海市于4月完成了首期集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的募資工作，規(guī)模達(dá)到285億元，將重點(diǎn)投資芯片制造業(yè);四川省于5月設(shè)立了集成電路和信息安全產(chǎn)業(yè)投資基金，基金規(guī)模120億元，存續(xù)期10年;遼寧省于6月設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，基金規(guī)模100億元，首期募資20億元;陜西省于9月設(shè)立的初始規(guī)模60億元，目標(biāo)規(guī)模300億元的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立以來，撬動(dòng)作用逐步顯現(xiàn)，適應(yīng)產(chǎn)業(yè)規(guī)律的投融資環(huán)境基本建立。

　　未來存儲(chǔ)器產(chǎn)品布局有望全面鋪開

　　下一階段，頂層設(shè)計(jì)將進(jìn)一步完善，助力產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。

　　2016年是“十三五”的開局之年，隨著第一階段目標(biāo)的順利完成，《推進(jìn)綱要》的實(shí)施工作也正式開啟了第二階段的序幕。4月19日，習(xí)近平總書記在網(wǎng)絡(luò)安全和信息化座談會(huì)上發(fā)表了重要講話，特別突出了信息技術(shù)對國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的巨大促進(jìn)作用，并從基礎(chǔ)技術(shù)、通用技術(shù)，非對稱技術(shù)、“殺手锏”技術(shù)，前沿技術(shù)、顛覆性技術(shù)等三個(gè)方面對核心信息技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了部署，對新時(shí)期集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出更高的要求。

　　隨著《中國制造2025》、“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)指導(dǎo)意見等一系列國家戰(zhàn)略的持續(xù)深入實(shí)施，中國集成電路產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢。預(yù)計(jì)全年產(chǎn)業(yè)銷售額將超過4300億元，同比增速約20%。與此同時(shí)，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，芯片設(shè)計(jì)業(yè)比重將進(jìn)一步提升至約40%，可以為下游芯片制造和封裝測試環(huán)節(jié)帶來大量訂單，有效推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

　　同時(shí)，存儲(chǔ)器產(chǎn)品布局有望全面鋪開。

　　今年以來，武漢，深圳、合肥、泉州等多地紛紛擬布局或開工建設(shè)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線。全球存儲(chǔ)器業(yè)自1999年始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量越來越少，至今為止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域很久沒有“新進(jìn)者”出現(xiàn)了。中國此輪“存儲(chǔ)熱潮”既說明《推進(jìn)綱要》第一階段實(shí)施工作已取得顯著成果，也預(yù)示著下一輪全球存儲(chǔ)器發(fā)展的中心將逐步向中國轉(zhuǎn)移。未來，隨著《推進(jìn)綱要》實(shí)施的不斷深化，將進(jìn)一步調(diào)動(dòng)國際國內(nèi)資源積極性，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力不斷增強(qiáng)，進(jìn)而促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，中國集成電路產(chǎn)業(yè)在存儲(chǔ)器等重大產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)?shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展。

　　另外，中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。

　　2015年以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兼并重組、資本并購頻發(fā)，全年并購總金額超過1200億美元，中國企業(yè)(或者資本)也積極參與到這一進(jìn)程之中。美國外商投資委員會(huì)(CFIUS)一份報(bào)告指出，近三年中資并購案居美國國安審查首位，約占總數(shù)近五分之一。中國如此大規(guī)模的并購行為也引發(fā)了各國高度警戒，紛紛采取防止關(guān)鍵技術(shù)外流的措施。CFIUS近一年來以威脅美國國家安全為由，封殺了多起中資參與的并購案，如：紫光集團(tuán)先后對美光公司、西部數(shù)據(jù)公司的收購和入股行動(dòng)，華潤微電子對仙童公司的收購，以及金沙江創(chuàng)投對飛利浦LED照明業(yè)務(wù)的收購等。與此同時(shí)，德國政府也對中資接連收購德國工業(yè)機(jī)器人及芯片制造商表示擔(dān)憂，擬密切關(guān)注及嚴(yán)審。當(dāng)前，中國集成電路產(chǎn)業(yè)正處于快速上升期，國際并購是支撐這一階段發(fā)展的有效途徑，但由于操作層面經(jīng)驗(yàn)不足，在一定程度上引起了國際產(chǎn)業(yè)界的抵觸情緒。

　　建議營造高效的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)金融環(huán)境

　　從市場需求來看，我國擁有全球最大且增長最快的集成電路市場，特別是隨著相關(guān)國家戰(zhàn)略的組織實(shí)施，雙創(chuàng)工作持續(xù)深入推進(jìn)，內(nèi)需市場活力將進(jìn)一步釋放，我國集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來更加廣泛的前景。但同時(shí)也應(yīng)看到，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)仍面臨技術(shù)水平差距大，產(chǎn)品供給存在結(jié)構(gòu)性短板，以及人才總量不足，特別是高端人才缺乏等突出問題。

　　為此提出一些建議：一是持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品差異化發(fā)展，進(jìn)一步加強(qiáng)需求牽引，以終端定義芯片，提升消費(fèi)類、通信類產(chǎn)品芯片層次，提升產(chǎn)品性價(jià)比，加緊布局工業(yè)控制、汽車電子、傳感器等芯片開發(fā)，推動(dòng)芯片產(chǎn)品供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。二是進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，推動(dòng)形成高效的產(chǎn)業(yè)資本與金融資本對接機(jī)制，適當(dāng)放寬集成電路企業(yè)上市融資的條件，營造高效的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)金融環(huán)境。三是創(chuàng)新人才培養(yǎng)和引進(jìn)機(jī)制，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)對接，緊密結(jié)合產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求培養(yǎng)國際化、復(fù)合型、實(shí)用性人才。完善鼓勵(lì)創(chuàng)新的分配激勵(lì)機(jī)制，研究針對優(yōu)秀企業(yè)家和團(tuán)隊(duì)的引進(jìn)“綠色通道”。