開關(guān)電源設(shè)計及過程概述

　　一、概論

　　開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點上，反而高于開關(guān)電源，這一點稱為成本反轉(zhuǎn)點。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新，這一成本反轉(zhuǎn)點日益向低輸出電力端移動，這為開關(guān)電源提供了廣闊的發(fā)展空間

　　電源有如人體的心臟，是所有電設(shè)備的動力。但電源卻不像心臟那樣形式單一。因為，標(biāo)志電源特性的參數(shù)有功率、電源、頻率、噪聲及帶載時參數(shù)的變化等等；在同一參數(shù)要求下，又有體積、重量、形態(tài)、效率、可靠性等指標(biāo)，人可按此去"塑造"和完美電源，因此電源的形式是極多的。

　　隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開可靠的電源，進入80年代計算機電源全面實現(xiàn)了開關(guān)電源化，率先完成計算機的電源換代，進入90年**關(guān)電源相繼進入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，程控交換機、通訊、電子檢測設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開關(guān)電源，更促進了開關(guān)電源技術(shù)的迅速發(fā)展。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點上，反而高于開關(guān)電源，這一成本反轉(zhuǎn)點。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)在不斷地創(chuàng)新，這一成本反轉(zhuǎn)點日益向低輸出電力端移動，這為開關(guān)電源提供了廣泛的發(fā)展空間。

　　一般電力要經(jīng)過轉(zhuǎn)換才能符合使用的需要。轉(zhuǎn)換的例子有：交流轉(zhuǎn)換成直流，高電壓變成低電壓，大功率中取小功率等等。

　　開關(guān)電源的工作原理是：

　　1.交流電源輸入經(jīng)整流濾波成直流；

　　2.通過高頻PWM(脈沖寬度調(diào)制)信號控制開關(guān)管，將那個直流加到開關(guān)變壓器初級上；

　　3.開關(guān)變壓器次級感應(yīng)出高頻電壓，經(jīng)整流濾波供給負(fù)載；

　　4.輸出部分通過一定的電路反饋給控制電路，控制PWM占空比，以達到穩(wěn)定輸出的目的。

　　開關(guān)電源設(shè)計全過程

　　1 目的

　　希望以簡短的篇幅，將公司目前設(shè)計的流程做介紹，若有介紹不當(dāng)之處，請不吝指教。

　　2 設(shè)計步驟：

　　2.1 繪線路圖、PCB Layout.

　　2.2 變壓器計算。

　　2.3 零件選用。

　　2.4 設(shè)計驗證。

　　3 設(shè)計流程介紹(以DA-14B33為例)：

　　3.1 線路圖、PCB Layout請參考資識庫中說明。

　　3.2 變壓器計算：

　　變壓器是整個電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計算及驗證是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹。

　　3.2.1 決定變壓器的材質(zhì)及尺寸：

　　依據(jù)變壓器計算公式

　　B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss)

　　Lp = 一次側(cè)電感值(uH)

　　Ip = 一次側(cè)峰值電流(A)

　　Np = 一次側(cè)(主線圈)圈數(shù)

　　Ae = 鐵心截面積(cm2)

　　B(max)依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來決定，以TDK Ferrite Core PC40為例，100℃時的B(max)為3900 Gauss，設(shè)計時應(yīng)考慮零件誤差，所以一般取3000~3500 Gauss之間，若所設(shè)計的power為Adapter(有外殼)則應(yīng)取3000 Gauss左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做較大瓦數(shù)的Power.

　　3.2.2 決定一次側(cè)濾波電容：

　　濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin(min)，濾波電容越大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數(shù)的Power，但相對價格亦較高。

　　3.2.3 決定變壓器線徑及線數(shù)：

　　當(dāng)變壓器決定後，變壓器的Bobbin即可決定，依據(jù)Bobbin的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數(shù)，亦可計算出線徑的電流密度，電流密度一般以6A/mm2為參考，電流密度對變壓器的設(shè)計而言，只能當(dāng)做參考值，最終應(yīng)以溫昇記錄為準(zhǔn)。

　　3.2.4 決定Duty cycle (工作周期)：

　　由以下公式可決定Duty cycle ，Duty cycle的設(shè)計一般以50%為基準(zhǔn)，Duty cycle若超過50%易導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。

　　NS = 二次側(cè)圈數(shù)

　　NP = 一次側(cè)圈數(shù)

　　Vo = 輸出電壓

　　VD= 二極體順向電壓

　　Vin(min) = 濾波電容上的谷點電壓

　　D =工作周期(Duty cycle)

　　3.2.5 決定Ip值：

　　Ip = 一次側(cè)峰值電流

　　Iav = 一次側(cè)平均電流

　　Pout = 輸出瓦數(shù)

　　效率

　　PWM震蕩頻率

　　3.2.6 決定輔助電源的圈數(shù)：

　　依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可決定輔助電源的圈數(shù)及電壓。

　　3.2.7 決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress(應(yīng)力)：

　　依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可以初步計算出變壓器的應(yīng)力(Stress)是否符合選用零件的規(guī)格，計算時以輸入電壓264V(電容器上為380V)為基準(zhǔn)。

　　3.2.8 其它：

　　若輸出電壓為5V以下，且必須使用TL431而非TL432時，須考慮多一組繞組提供Photo coupler及TL431使用。

　　3.2.9 將所得資料代入 公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低則參數(shù)必須重新調(diào)整。

　　3.2.10 DA-14B33變壓器計算：

　　輸出瓦數(shù)13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可繞面積(槽寬)=10mm，Margin Tape =？ 2.8mm(每邊)，剩余可繞面積=4.4mm.

　　假設(shè)fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V，？ =0.7，P.F.=0.5(cosθ)，Lp=1600 Uh

　　計算式：

　　變壓器材質(zhì)及尺寸：l

　　由以上假設(shè)可知材質(zhì)為PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可繞面積(槽寬)=10mm，因Margin Tape使用2.8mm，所以剩余可繞面積為4.4mm.

　　假設(shè)濾波電容使用47uF/400V，Vin(min)暫定90V.

　　決定變壓器的線徑及線數(shù)：

　　假設(shè)NP使用0.32ψ的線

　　電流密度=

　　可繞圈數(shù)=

　　假設(shè)Secondary使用0.35ψ的線

　　電流密度=

　　假設(shè)使用4P，則

　　電流密度=

　　可繞圈數(shù)=

　　決定Dutyl cycle：

　　假設(shè)Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用schottky Diode)

　　決定Ip值：

　　決定輔助電源的圈數(shù)：

　　假設(shè)輔助電源=12V

　　NA1=6.3圈

　　假設(shè)使用0.23ψ的線

　　可繞圈數(shù)=

　　若NA1=6Tx2P，則輔助電源=11.4V

　　決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress(應(yīng)力)：

　　MOSFET(Q1) =最高輸入電壓(380V)+ =

　　=463.6V

　　Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+ x最高輸入電壓(380V)=

　　=20.57V

　　Diode(D4)=

　　= =41.4V

　　其它：

　　因為輸出為3.3V，而TL431的Vref值為2.5V，若再加上photo coupler上的壓降約1.2V，將使得輸出電壓無法推動Photo coupler及TL431，所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓。

　　假設(shè)NA2 = 4T使用0.35ψ線，則

　　可繞圈數(shù)= ，所以可將NA2定為4Tx2P

　　變壓器的接線圖：

　　3.3 零件選用：

　　零件位置(標(biāo)注)請參考線路圖： (DA-14B33 Schematic)

　　3.3.1 FS1：

　　由變壓器計算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V，設(shè)計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

　　3.3.2 TR1(熱敏電阻)：

　　電源啟動的瞬間，由於C1(一次側(cè)濾波電容)短路，導(dǎo)致Iin電流很大，雖然時間很短暫，但亦可能對Power產(chǎn)生傷害，所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻，以限制開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A，230V/60A)，但因熱敏電阻亦會消耗功率，所以不可放太大的阻值(否則會影響效率)，一般使用SCK053(3A/5Ω)，若C1電容使用較大的值，則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數(shù)的Power上)。

　　3.3.3 VDR1(突波吸收器)：

　　當(dāng)雷極發(fā)生時，可能會損壞零件，進而影響Power的正常動作，所以必須在靠AC輸入端 (Fuse之後)，加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K)，但若有價格上的考量，可先忽略不裝。

　　3.3.4 CY1，CY2(Y-Cap)：

　　Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ， AC Input若為2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1與Y2的差異，除了價格外(Y1較昂貴)，絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容的本體上會有"回"符號或注明Y1)，此電路因為有FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap會影響EMI特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價格問題，漏電(Leakage Current )必須符合安規(guī)須求(3Pin公司標(biāo)準(zhǔn)為750uA max)?！　?.3.5 CX1(X-Cap)、RX1：

　　X-Cap為防制EMI零件，EMI可分為Conduction及Radiation兩部分，Conduction規(guī)范一般可分為： FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 ， FCC測試頻率在450K~30MHz，CISPR 22測試頻率在150K~30MHz， Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗證，Radiation 則必須到實驗室驗證，X-Cap 一般對低頻段(150K ~ 數(shù)M之間)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但價格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電阻(RX1，一般為1.2MΩ 1/4W)。

　　3.3.6 LF1(Common Choke)：

　　EMI防制零件，主要影響Conduction 的中、低頻段，設(shè)計時必須同時考慮EMI特性及溫昇，以同樣尺寸的Common Choke而言，線圈數(shù)愈多(相對的線徑愈細)，EMI防制效果愈好，但溫昇可能較高。

　　3.3.7 BD1(整流二極體)：

　　將AC電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC，由變壓器所計算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二極體，因為是全波整流所以耐壓只要600V即可。

　　3.3.8 C1(濾波電容)：

　　由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值，電容量愈大，Vin(min)愈高但價格亦愈高，此部分可在電路中實際驗證Vin(min)是否正確，若AC Input 范圍在90V~132V (Vc1 電壓最高約190V)，可使用耐壓200V的電容；若AC Input 范圍在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1電壓最高約380V，所以必須使用耐壓400V的電容。

　　Re：開關(guān)電方設(shè)計過祘

　　3.3.9 D2(輔助電源二極體)：

整流二極體，一般常用FR105(1A/6