晶振負(fù)載諧振頻率測(cè)量方法

負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容.負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同.標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同.因?yàn)?strong>石英晶體振蕩器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振.所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會(huì)造成電器工作不正常.把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能的裝置叫做負(fù)載.

晶振負(fù)載諧振頻率測(cè)量方法:

1. 物理負(fù)載電容法

　　如IEC 444標(biāo)準(zhǔn)所述,該方法的基本概念是用一個(gè)實(shí)際電容與晶振串聯(lián),然后在指定負(fù)載電容下測(cè)量晶振,并對(duì)兩者同時(shí)進(jìn)行測(cè)量.這與計(jì)算法相比是一個(gè)很大的改進(jìn),因?yàn)闆]有過多估計(jì),而且網(wǎng)絡(luò)分析儀是在相對(duì)較低的阻抗上測(cè)量負(fù)載諧振頻率.

　　2. 計(jì)算法

　　根據(jù)IEC 444規(guī)定,被測(cè)器件(DUT)在約±45°對(duì)其動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量,負(fù)載諧振頻率根據(jù)±45°數(shù)據(jù)“計(jì)算”得到.

　　如果已經(jīng)知道被測(cè)器件是一個(gè)線性晶振,則可以使用這個(gè)方法來測(cè)量;但在大多數(shù)場(chǎng)合下,需要先有一個(gè)測(cè)試方法來告訴你它是否是線性的,所以計(jì)算法不實(shí)用,除非你在測(cè)試前已經(jīng)知道晶振是線性的.　

從晶振測(cè)量角度來看,計(jì)算法不適用于測(cè)試非線性晶振,因?yàn)闇y(cè)量精確度取決于晶振特性,而它的差異很大,如果存在其它適用的測(cè)試手段就應(yīng)該放棄使用這種方法.