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ARM開發(fā)步步深入之SDRAM編程示例

作者: 時(shí)間:2016-12-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  實(shí)驗(yàn)?zāi)康模焊淖儭包c(diǎn)燈大法”的執(zhí)行地點(diǎn),從NandFlash的Steppingstone轉(zhuǎn)到中執(zhí)行,借此掌握存儲(chǔ)控制器的使用。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201612/341119.htm

  實(shí) 驗(yàn)環(huán)境及說明:恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板擴(kuò)展有64MB的,用于設(shè)置程序堆棧和存放各種變量。選用了兩 片三星公司的K4S561632(4M*16bit*4BANK),兩片拼成32位數(shù)據(jù)寬度的SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng),并映射到S3C2410的 SROM/SDRAM的BANK6,地址范圍是0x30000000~0x33FFFFFF。

  實(shí) 驗(yàn)思路:開發(fā)板上電啟動(dòng)后,自動(dòng)將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中,然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行,然后初始化存儲(chǔ)控制器,把程序本身從 SRAM中復(fù)制到SDRAM中,最后跳轉(zhuǎn)到SDRAM中運(yùn)行。故問題的關(guān)鍵是SDRAM的初始化,根據(jù)S3C2410的Datasheet,要使用 SDRAM,就需配置存儲(chǔ)控制器的13個(gè)寄存器。

  知識(shí)掌握:SDRAM和13個(gè)存儲(chǔ)控制器的寄存器。

  一、SDRAM:

  CPU 提供了一組用于SDRAM的信號(hào):SDRAM時(shí)鐘有效信號(hào)SCKE;SDRAM時(shí)鐘信號(hào)SCLK0/SCLK1;數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)DQM0/DQM1 /DQM2/DQM3;SDRAM片選信號(hào)nGCS0(與nGCS6是同一引腳的兩個(gè)功能);SDRAM行地址選通脈沖信號(hào)nSRAS;SDRAM列地址 選通脈沖信號(hào)nSCAS;寫允許信號(hào)nWE(不是SDRAM專用的);

  ★SDRAM結(jié)構(gòu):SDRAM的內(nèi)部是一個(gè)存儲(chǔ)陣列,檢索時(shí)先指定一個(gè)行,再指定一個(gè)列,就可以準(zhǔn)確地找到所需要的單元格,這就是SDRAM尋址的基本原理;單元格被稱為存儲(chǔ)單元,表格就是邏輯BANK,SDRAM一般含有4個(gè)邏輯BANK。

  ★SDRAM 的訪問:SDRAM片選信號(hào)nGCS0有效;邏輯BANK選擇;對(duì)選中的芯片進(jìn)行統(tǒng)一的行/列尋址;CPU會(huì)從32位的地址中自動(dòng)分出 邏輯BANK選擇信號(hào)、行地址信號(hào)、列地址信號(hào),然后先后發(fā)出行地址信號(hào)、列地址信號(hào),邏輯BANK選擇信號(hào)在發(fā)出行地址信號(hào)的同時(shí)發(fā)出,并維持到列地址 信號(hào)結(jié)束;找到了存儲(chǔ)單元后,被選中的芯片就要進(jìn)行統(tǒng)一的數(shù)據(jù)傳輸了。

  二、存儲(chǔ)控制器的寄存器:

  ★BWSCON(Bus width & wait status control register,總線位寬和等待狀態(tài)控制寄存器):此寄存器用于配置BANK0~BANK7的位寬和狀態(tài)控制,每個(gè)BANK用4位來配置,分別是:

  ● ST(啟動(dòng)/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳。對(duì)于SDRAM,此位置0;對(duì)于SRAM,此位置1)

  ● WS(是否使用存儲(chǔ)器的WAIT信號(hào),通常置0為不使用)

  ● DW(兩位,設(shè)置位寬。此板子的SDRAM是32位,故將DW6設(shè)為10)

  特 殊的是bit[2:1],即DW0,設(shè)置BANK0的位寬,由板上的跳線決定,只讀的。其實(shí)只需將BANK6對(duì)應(yīng)的4位設(shè)為0010即可,在此處 BWSCON先設(shè)置為0x02000000。SDRAM接BANK6對(duì)應(yīng)的[27:24]位,同時(shí)注意BANK0比較特殊,如下圖所示:

  '700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_39515ea9d909f2c.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_39515ea9d909f2c.jpg');" border="0" width="700">

  '700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_03cf877c1a65f25.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_03cf877c1a65f25.jpg');" border="0" width="700">

  ★BANKCON0~BANKCON7: 用來分別配置8個(gè)BANK的時(shí)序等參數(shù)。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的(內(nèi)存只能映射到這兩個(gè)BANK,具體映射多大的空間,可用 BANKSIZE寄存器設(shè)置),所以只需參照SDRAM芯片的Datasheet配置好BANK6和BANK7,BANKCON0~BANKCON5使用 默認(rèn)值0x00000700即可。對(duì)于BANKCON6和BANKCON7中的各個(gè)位的描述:

  ●MT(bit[16:15]):設(shè)置本BANK映射的物理內(nèi)存是SRAM還是SDRAM,后面的低位就根據(jù)此MT的選擇而分開設(shè)置。本板子應(yīng)置0b11,所以只需要再設(shè)置下面兩個(gè)參數(shù)

  ●Trcd(bit[3:2]):RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks),推2410手冊(cè)上的薦值是0b01。我們PC的BIOS里也可以調(diào)節(jié)的,應(yīng)該玩過吧。

  ●SCAN(bit[1:0]):Column address number(00 = 8-bit,01 = 9-bit,10= 10-bit),SDRAM列地址位數(shù)。查閱K4S561632芯片手冊(cè)得知此值是9,所以SCAN=0b01。如果使用其他型號(hào)的SDRAM,您需要查 看它的數(shù)據(jù)手冊(cè)來決定SCAN的取值:00-8位、01-9位、10-10位。綜合以上各值,BANKCON6~BANKCON7設(shè)為 0x00018005。

  ★REFRESH(刷新控制寄存器):此寄存器的bit[23:11]可參考默認(rèn)值,或自己根據(jù)經(jīng)驗(yàn)修改,這里用 0x008e0000,關(guān)鍵是最后的Refresh Counter(簡稱R_CNT,bit[10:0])的設(shè)置,2410手冊(cè)上給出了公式計(jì)算方法。SDRAM手冊(cè)上“8192 refresh cycles/64ms”的描述,得到刷新周期為64ms/8192=7.8125us,結(jié)合公式,R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。

  ●Trp([21:20]):設(shè)置為0即可。

  ●Tsrc([19:18]):設(shè)置默認(rèn)值即可。

  ★BANKSIZE: 設(shè)置SDRAM的一些參數(shù)。位[7]=1:Enable burst operation(0=核禁止突發(fā)傳輸,1=核支持突發(fā)傳輸);位[5]=1:SDRAM power down mode enable(0=不使用SCKE信號(hào)令SDRAM進(jìn)入省電模式,1=使用SCKE信號(hào)令SDRAM進(jìn)入省電模式);位[4]=1:SCLK is active only during the access (recommended);位[2:1]=010:BANK6、BANK7對(duì)應(yīng)的地址空間與BANK0-5不同。BANK0-5的地址空間都是固定的 128M,地址范圍是(x*128M)到(x+1)*128M-1,x表示0到5。但是BANK6-7的起始地址是可變的,您可以從S3C2410數(shù)據(jù)手 冊(cè)第5章"Table 5-1. BANK6-7 Addresses"中了解到BANK6-7的地址范圍與地址空間的關(guān)系。本開發(fā)板僅使用BANK6的64M空間,其中 BK76MAP(bit[2:0])配置BANK6/7映射的大小,可設(shè)置為010 = 128MB/128MB或001 = 64MB/64MB,只要比實(shí)際RAM大都行,多出來的空間程序會(huì)檢測出來,不會(huì)發(fā)生使用不存在的內(nèi)存的情況(Bootloader和Linux內(nèi)核都會(huì) 作內(nèi)存檢測)。BANKSIZE=0x000000b2。

  ★MRSRB6、MRSRB7(Mode register set register BANK6/7,SDRAM模式設(shè)置寄存器):可以修改的只有CL[6:4](CAS latency,000 = 1 clock, 010 = 2 clocks, 011=3 clocks),其他的全部是固定的(fixed),故值為0x00000030。SDRAM 不支持CL=1的情況,所以位[6:4]取值為010(CL=2)或011(CL=3),開發(fā)板保守的值為0b11。

  至此,13個(gè)存儲(chǔ)控制器的寄存器全部介紹完了,下面就可以配置各寄存器的值,完成SDRAM初始化,實(shí)現(xiàn)代碼復(fù)制到SDRAM中執(zhí)行的操作(注:同樣的程序速度要比片內(nèi)SRAM運(yùn)行的慢)。

  存儲(chǔ)控制器13個(gè)寄存器的設(shè)置值:

  mem_cfg_val:

  .long 0x02000000 @BWSCON;此處只用到BANK6對(duì)應(yīng)的[27:24],其它位沒理會(huì),想理論上應(yīng)該可以?

  .long 0x00000700 @BANKCON0;BANKCON0~BANKCON5沒用到,使用默認(rèn)值0x00000700

  .long 0x00000700 @BANKCON1

  .long 0x00000700 @BANKCON2

  .long 0x00000700 @BANKCON3

  .long 0x00000700 @BANKCON4

  .long 0x00000700 @BANKCON5

  .long 0x00018005 @BANKCON6

  .long 0x00018005 @BANKCON7

  .long 0x008e07a3 @REFRESH

  .long 0x000000b1 @BANKSIZE

  .long 0x00000030 @MRSRB6

  .long 0x00000030 @MRSRB7

  匯編過程主要代碼:

  .equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000 @ 定義存儲(chǔ)控制器寄存器基址

  .equ SDRAM_BASE, 0x30000000 @ 定義SDRAM起始地址

  .text

  .global _start

  _start:

  bl disable_watch_dog @ 去關(guān)門喂狗

  bl mem_control_setup @ 去設(shè)置存儲(chǔ)控制器

  bl copy_steppingstone_to_sdram @ 復(fù)制代碼到SDRAM中

  ldr pc, =on_sdram @ 跳到SDRAM中繼續(xù)執(zhí)行

  on_sdram:

  ldr sp, =0x34000000 @ 設(shè)置堆棧,執(zhí)行C點(diǎn)燈代碼

  bl main

  halt_loop:

  b halt_loop



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