結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)
—— CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
作者：
時(shí)間：2017-01-03
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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結(jié)構(gòu)與符號(hào)：
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201701/342381.htm
在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
導(dǎo)電原理：
(1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。
(2)VGS<0時(shí)，耗盡層加寬(主要向溝道一測(cè)加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。
當(dāng)VGS
加上負(fù)VGS電壓和VDS電壓以后，VGD的負(fù)壓比VGS大，所以，二個(gè)反偏PN結(jié)的空間電荷區(qū)變得上寬下窄，使溝道形成楔形。
JFET通過(guò)VGS改變半導(dǎo)體內(nèi)耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD，稱(chēng)為體內(nèi)場(chǎng)效應(yīng)器件;MOSFET主要通過(guò)改變襯底表層溝道的厚度來(lái)控制iD，稱(chēng)為表面場(chǎng)效應(yīng)器件。 JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例)：伏安特性曲線(xiàn)和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。
評(píng)論