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紫光3D儲存型快閃記憶體廠武漢動工 總投資超240億美元

作者: 時間:2017-01-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  中國集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201701/342396.htm

  集團(tuán)董事長趙偉國:“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個,也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”

  2016年12月,集團(tuán)趙偉國,布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略,先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,要在四川打造百億云計(jì)算中心。

  12月30日,紫光宣布動工,興建三座全球最大3D儲存型快閃記憶體(Flash)廠,地點(diǎn)選在武漢東湖高新區(qū),占地1,968畝,投資金額240億美元,第一期計(jì)劃2018年建成啟用投產(chǎn),2020年全部完工,月產(chǎn)能將達(dá)到30萬片,年產(chǎn)值超過100億美元。

  趙偉國:“來滿足中國本土市場,和國家戰(zhàn)略以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。”

  這項(xiàng)投資計(jì)劃,引發(fā)市場震撼,尤其是投資方面,結(jié)合紫光集團(tuán)、中國國家集成電路大基金,還有地方政府共同出資,可說以國家戰(zhàn)略推動,結(jié)合市場企業(yè)運(yùn)作的合作模式。

  臺經(jīng)院產(chǎn)業(yè)顧問 劉佩真:“不過如果就中長期來看,中國在記憶體的一個市場,勢必會進(jìn)行零到壹的突破,勢必會打破目前Nand Flash,由韓國日本跟美國業(yè)者寡占的一個局面,其實(shí)都會帶來比較大的競爭壓力。”

  全球快閃記憶體主要廠商,包括南韓三星、SK海力士,美國旗下英特爾、美光,以及日本東芝,產(chǎn)量各自約占四萬片到十萬片,近期不約而同喊話加碼擴(kuò)廠,如今紫光也宣布2018年投產(chǎn)下,恐怕引發(fā)產(chǎn)能競賽,市場供過于求。

  尤其紫光的下一步,恐怕將跨足DRAM制造,找來高啟全擔(dān)任重要高層干部,預(yù)料對半導(dǎo)體業(yè)界人才挖角態(tài)勢,會更加明顯。



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