紫光700億美元國內(nèi)建造三大存儲芯片廠
閃存、內(nèi)存市場這一年來遇到了好時機,來自中國廠商的需求使得存儲芯片市場從降價變成了缺貨漲價,直到今年Q1季度都會持續(xù)上漲。閃存漲價也讓三星、SK Hynix、美光等公司過了好日子,三星去年Q3季度在Note 7上的損失在Q4季度就被閃存漲價彌補回來了。中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個大問題,好在紫光集團已經(jīng)在布局了,將在武漢、南京、成都三地建設存儲芯片廠,總投資700億美元,2018年將量產(chǎn)國產(chǎn)3D NAND閃存。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201701/342932.htm
紫光集團收購新芯公司之后,在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地已經(jīng)不是新聞了,這兩年來時常見諸媒體報道。Digitimes也報道稱湖北武漢市(原文打錯成了河北省)的工廠占地面積13公頃,近日已經(jīng)開工,預計2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。
不過武漢只是紫光存儲芯片布局的一部分,2017年在四川成都、江蘇南京還有兩個大計劃,投資超過460億美元,早前我們報道過前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔任副總,他負責的就是成都晶圓廠,投資超過1200億人民幣。
武漢的240億美元加上成都、南京460億美元的投資,紫光建設三大存儲芯片基地的投資將超過700億美元,人民幣接近5000億元,放眼全球也是大手筆投資了,以致于美國都在政府顧問報告中指出中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)將降低美國企業(yè)競爭力,甚至影響美國國家安全。
除了存儲芯片之外,紫光集團還在尋求進入邏輯IC芯片制造領域,也就是說存儲芯片針對的是三星、美光、東芝這些公司,而邏輯芯片制造則是針對Intel、TSMC、三星LSI等公司了。
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