紫光700億美元國內(nèi)建造三大存儲芯片廠

　　閃存、內(nèi)存市場這一年來遇到了好時機，來自中國廠商的需求使得存儲芯片市場從降價變成了缺貨漲價，直到今年Q1季度都會持續(xù)上漲。閃存漲價也讓三星、SK Hynix、美光等公司過了好日子，三星去年Q3季度在Note 7上的損失在Q4季度就被閃存漲價彌補回來了。中國缺少NAND閃存自主生產(chǎn)能力是個大問題，好在紫光集團已經(jīng)在布局了，將在武漢、南京、成都三地建設存儲芯片廠，總投資700億美元，2018年將量產(chǎn)國產(chǎn)3D NAND閃存。

　　紫光集團收購新芯公司之后，在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地已經(jīng)不是新聞了，這兩年來時常見諸媒體報道。Digitimes也報道稱湖北武漢市(原文打錯成了河北省)的工廠占地面積13公頃，近日已經(jīng)開工，預計2018年正式量產(chǎn)3D NAND閃存。

　　不過武漢只是紫光存儲芯片布局的一部分，2017年在四川成都、江蘇南京還有兩個大計劃，投資超過460億美元，早前我們報道過前聯(lián)電CEO孫世偉加盟紫光擔任副總，他負責的就是成都晶圓廠，投資超過1200億人民幣。

　　武漢的240億美元加上成都、南京460億美元的投資，紫光建設三大存儲芯片基地的投資將超過700億美元，人民幣接近5000億元，放眼全球也是大手筆投資了，以致于美國都在政府顧問報告中指出中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)將降低美國企業(yè)競爭力，甚至影響美國國家安全。

　　除了存儲芯片之外，紫光集團還在尋求進入邏輯IC芯片制造領域，也就是說存儲芯片針對的是三星、美光、東芝這些公司，而邏輯芯片制造則是針對Intel、TSMC、三星LSI等公司了。