中國(guó)半導(dǎo)體未來(lái)兩年本土投資依舊落后外資

　　為了提高晶片自給率，中國(guó)中央及地方政府持續(xù)進(jìn)行大手筆投資，并將重點(diǎn)放在記憶體與晶圓代工兩大領(lǐng)域。此外，由于中國(guó)晶片需求量驚人，許多外資企業(yè)為就近爭(zhēng)取商機(jī)，亦持續(xù)在當(dāng)?shù)嘏d建新的晶片產(chǎn)能。在這兩大因素驅(qū)動(dòng)下，到2019年時(shí)，中國(guó)的晶圓產(chǎn)能將有機(jī)會(huì)占全球晶圓產(chǎn)能的18%以上。

　　SEMI產(chǎn)業(yè)研究部資深經(jīng)理曾瑞榆表示，中國(guó)政府為了提升晶片自給率，近年來(lái)在政策及資金上對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有許多扶植動(dòng)作。另一方面，由于中國(guó)是全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)之一，龐大的需求也促使許多外商積極在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠投資。

　　在當(dāng)?shù)貥I(yè)者及外商積極投資的情況下，當(dāng)?shù)氐?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/半導(dǎo)體">半導(dǎo)體產(chǎn)能將在未來(lái)兩三年內(nèi)出現(xiàn)明顯成長(zhǎng)，預(yù)估到了2019年，中國(guó)的晶圓產(chǎn)能將占全球晶圓產(chǎn)能的18%以上，與臺(tái)灣、南韓的差距明顯拉近。

　　值得玩味的是，雖然中國(guó)政府對(duì)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)者扶植有加，但若進(jìn)一步分析中國(guó)半導(dǎo)體投資金額的來(lái)源，可以發(fā)現(xiàn)中國(guó)當(dāng)?shù)貥I(yè)者的投資金額，在今明兩年仍將以明顯差距落后于外商投資金額，預(yù)估要到2019年，中國(guó)當(dāng)?shù)仄髽I(yè)的投資金額占比才會(huì)超越外商。SEMI預(yù)估，2019年將是中國(guó)DRAM廠裝機(jī)的高峰期，屆時(shí)中國(guó)業(yè)者將會(huì)有龐大的投資支出。

　　但無(wú)論如何，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起，已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。更值得臺(tái)灣半導(dǎo)體同業(yè)關(guān)注的是，中國(guó)新增的龐大產(chǎn)能將如何影響整個(gè)市場(chǎng)的供需平衡。曾瑞榆認(rèn)為，在某些技術(shù)門(mén)檻較低的領(lǐng)域，例如28奈米制程以上的晶圓代工，以及采用5x或6x奈米制程，主要用于電視、機(jī)上盒等消費(fèi)性電子產(chǎn)品的低密度DRAM，將會(huì)在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)能大增的情況下首當(dāng)其沖。

　　曾瑞榆還指出，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者而言，資金不是問(wèn)題，但缺乏核心技術(shù)跟人才將成為當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展最大的挑戰(zhàn)，特別是在歐、美先進(jìn)國(guó)家已經(jīng)對(duì)中國(guó)資金購(gòu)并自家半導(dǎo)體企業(yè)有所警戒，并劃下一道道紅線(xiàn)后，未來(lái)中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)者很可能會(huì)面臨有錢(qián)也買(mǎi)不到核心技術(shù)的情況。