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半導(dǎo)體供應(yīng)鏈恐進(jìn)入萬(wàn)物皆漲時(shí)代

作者: 時(shí)間:2017-01-21 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏
編者按:隨著DRAM產(chǎn)業(yè)整合,3D NAND時(shí)代來(lái)臨,加上大陸半導(dǎo)體廠瘋狂擴(kuò)廠,使得硅晶圓變成洛陽(yáng)紙貴,包括邏輯、存儲(chǔ)器及大陸業(yè)者三方人馬競(jìng)相加價(jià)搶料。

  據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,全球12吋硅缺貨如野火燎原,不僅臺(tái)積電、NAND Flash存儲(chǔ)器廠和大陸廠三方人馬爭(zhēng)相搶料,加上10納米測(cè)試的晶棒消耗量大增,臺(tái)積電為鞏固蘋果(Apple)iPhone 8新機(jī)料源,一路追價(jià)搶料,業(yè)者預(yù)計(jì)第2季12吋硅價(jià)格將再上漲15%,且可望一路漲到2018年,供應(yīng)鏈恐進(jìn)入萬(wàn)物皆漲的時(shí)代。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201701/343161.htm

  全球12吋硅晶圓單月產(chǎn)能約520萬(wàn)片,目前五大硅晶圓供應(yīng)商都產(chǎn)能滿載,其中,臺(tái)廠臺(tái)勝科和環(huán)球晶圓產(chǎn)能占全球約20%,臺(tái)勝科月產(chǎn)能約28萬(wàn)片,環(huán)球晶圓(包含SunEdison)月產(chǎn)能約75萬(wàn)片,都已成為大廠綁產(chǎn)能的目標(biāo),尤其臺(tái)勝科未來(lái)有機(jī)會(huì)獲得日商母廠Sumco在10/7/5納米高階硅晶圓技術(shù),可望明顯受惠。

  近期傳出美光(Micron)高階采購(gòu)主導(dǎo)陸續(xù)拜訪日本和臺(tái)灣硅晶圓廠,要求充足的12吋硅晶圓產(chǎn)能奧援,其中,美光傳出開(kāi)出溢價(jià)30%來(lái)綁料,至于三星電子(Samsung Electronics)亦加入搶料大戰(zhàn),由于2017年3D NAND產(chǎn)能將大量開(kāi)出,各廠都必須有充足的料源供應(yīng),才能打贏3D NAND戰(zhàn)役。

  全球硅晶圓市場(chǎng)過(guò)去主要大客戶為臺(tái)積電,由于存儲(chǔ)器廠常陷入供過(guò)于求,導(dǎo)致硅晶圓廠高度依賴臺(tái)積電訂單。

  半導(dǎo)體業(yè)者透露,臺(tái)積電這次愿意接受硅晶圓漲價(jià),主要是確保蘋果iPhone 8供貨無(wú)虞,加上10納米制程晶棒消耗量擴(kuò)大,排擠到量產(chǎn)晶圓產(chǎn)能,2017年正值臺(tái)積電10納米制程量產(chǎn)之際,確保充足的硅晶圓產(chǎn)能將是關(guān)鍵。

  第1季硅晶圓報(bào)價(jià)已率先喊漲,以目前供需缺口,業(yè)界估計(jì)第2季12吋硅晶圓有機(jī)會(huì)再上漲15%,漲幅不亞于第1季,且有機(jī)會(huì)一路漲到2017年底,屆時(shí)恐帶動(dòng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈萬(wàn)物皆漲,所有零組件都面臨漲價(jià)壓力。

  目前硅晶圓主要分為用于DRAM/NAND Flash和指紋辨識(shí)產(chǎn)品的Polished wafer、用在邏輯產(chǎn)品的Epi wafer,以及用在低階產(chǎn)品的Annealed wafer,近期存儲(chǔ)器廠要求上游長(zhǎng)晶爐產(chǎn)能轉(zhuǎn)去生產(chǎn)Polished wafer,且愿意付較高價(jià)格,排擠到Epi wafer產(chǎn)能,讓臺(tái)積電感受到硅晶圓料源緊缺的嚴(yán)重性。

  另外,大陸半導(dǎo)體廠瘋狂擴(kuò)建12吋廠,加入這一波搶硅晶圓大戰(zhàn),由于大陸12吋廠對(duì)于測(cè)試晶圓需求量大,近期亦積極來(lái)臺(tái)搶料。盡管硅晶圓產(chǎn)業(yè)亦是大陸扶植半導(dǎo)體政策一環(huán),中芯國(guó)際創(chuàng)辦人張汝京成立上海新升半導(dǎo)體,成為大陸第一家12吋硅晶圓供應(yīng)商,但目前良率仍偏低,暫難影響硅晶圓市場(chǎng)供需。

  整體來(lái)看,這一波硅晶圓熱潮陷入三方人馬拉鋸戰(zhàn),由于存儲(chǔ)器用的Polished wafer排擠到邏輯產(chǎn)品用的Epi wafer產(chǎn)能,加上測(cè)試晶圓亦大量排擠量產(chǎn)晶圓,形成雙重排擠效應(yīng),導(dǎo)致硅晶圓供需缺口明顯擴(kuò)大。



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