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英特爾兩臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)已投產(chǎn)，單季完成3萬(wàn)片晶圓

  • 據(jù)路透社2月24日?qǐng)?bào)道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國(guó)在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場(chǎng)會(huì)議上表示，英特爾已經(jīng)安裝的兩臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)正在其晶圓廠生產(chǎn)，早期數(shù)據(jù)表明它們的可靠性大約是上一代光刻機(jī)的兩倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。英特爾工廠的早期結(jié)果顯示，High NA EUV 機(jī)器只需要一次曝光和“個(gè)位數(shù)”的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處
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三星電子晶圓代工部門設(shè)備投資預(yù)算陡降

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，根據(jù)三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)制定的年度計(jì)劃，該部門今年的設(shè)備投資預(yù)算將僅剩5萬(wàn)億韓元（約合人民幣254億元），較2024年的10萬(wàn)億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021~2023年的投資高峰期每年的設(shè)備投資規(guī)?？蛇_(dá)15~20萬(wàn)億韓元。據(jù)了解，三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年的投資重點(diǎn)將放在華城 S3 工廠的 3nm->2nm 工藝轉(zhuǎn)換和平澤 P2 工廠的 1.4nm 測(cè)試線上，還將對(duì)美國(guó)泰勒市晶圓廠進(jìn)行小規(guī)模基礎(chǔ)設(shè)施投資。
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應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
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世界先進(jìn)與NXP合資廠 新加坡廠動(dòng)土

  • 世界先進(jìn)及恩智浦半導(dǎo)體（NXP）于今年9月成立之VSMC合資公司，4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠動(dòng)土典禮，該晶圓廠將于2027年開始量產(chǎn)，2029年月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)5.5萬(wàn)片12吋晶圓。世界先進(jìn)暨VSMC董事長(zhǎng)方略表示，新加坡不僅是亞洲的經(jīng)濟(jì)樞紐，更是科技創(chuàng)新的高地，世界先進(jìn)在新加坡興建首座12吋晶圓廠，將延續(xù)核心經(jīng)營(yíng)理念，提供特殊集成電路晶圓制造的專業(yè)服務(wù)，并為未來發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。這座新廠不僅將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做出貢獻(xiàn)，更將為當(dāng)?shù)馗呖萍籍a(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)能。方略日前也指出，世界先進(jìn)近年持續(xù)策略轉(zhuǎn)型，氮化鎵今
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華芯微電子首條6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通

  • 據(jù)珠海高新區(qū)官微消息，近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。據(jù)悉，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。這一產(chǎn)品的成功推出，不僅進(jìn)一步豐富了華芯微電子的產(chǎn)品線，也為其在射頻芯片國(guó)產(chǎn)化制造領(lǐng)域樹立了新的里程碑。華芯微電子于2023年在珠海高新區(qū)成立，系華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司旗下子公司，專注于化合物半導(dǎo)
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三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

  • 根據(jù)韓國(guó)三星證券初步的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單，高通的訂單全給了臺(tái)積電，同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域，臺(tái)積電拿
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臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺(tái)工廠相近

  • 據(jù)彭博社援引消息稱，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺(tái)積電在回應(yīng)彭博社報(bào)道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。根據(jù)此前的信息顯示，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利
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英特爾計(jì)劃再調(diào)整資本支出：剝離部分不必要業(yè)務(wù)

  • 英特爾正在經(jīng)歷其最艱難的時(shí)期，今年第二季度的財(cái)報(bào)表現(xiàn)糟糕，市值已經(jīng)跌破1000億美元。相比之下，目前，英偉達(dá)市值已接近3萬(wàn)億美元。為了扭轉(zhuǎn)不利的處境，在二季度的財(cái)報(bào)中，英特爾宣布將暫停股息支付、精簡(jiǎn)運(yùn)營(yíng)、大幅削減支出和員工數(shù)量：2024年非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下的研發(fā)、營(yíng)銷、一般和行政支出將削減至約200億美元，2025年減至約175億美元，預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)削減，作為削減支出計(jì)劃一部分的裁員，預(yù)計(jì)將裁減超過15%的員工，其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報(bào)道稱，已宣布裁員、削減支出的英
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全球晶圓代工市場(chǎng)分析：中芯國(guó)際蟬聯(lián)第三

  • 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新《晶圓代工季度追蹤》報(bào)告指出，2024年第二季度全球晶圓代工行業(yè)的營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)9%，同比增長(zhǎng)23%。盡管整個(gè)邏輯半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇相對(duì)緩慢，但全球晶圓代工市場(chǎng)數(shù)據(jù)已有明顯的復(fù)蘇跡象。
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美媒：英特爾實(shí)力大幅減弱 但美國(guó)政府不允許它失敗

  • 8月12日消息，作為美國(guó)最大的芯片制造商，英特爾可能依然能夠生存下去，但具體以何種形式則尚不明確。到了2024年，盡管英特爾的實(shí)力大幅減弱，但作為一個(gè)巨大的半導(dǎo)體制造商，它可能還是“大而不能倒”。本月英特爾發(fā)布的第二季度財(cái)報(bào)令人失望，使這家芯片巨頭的困境和不確定的前景更加凸顯。面對(duì)關(guān)鍵市場(chǎng)銷售額的下滑與制造轉(zhuǎn)型所需高昂成本的雙重壓力，英特爾不得不采取更為激進(jìn)的成本控制措施來節(jié)省資金。這些措施包括裁減15%的員工、大幅削減用于建設(shè)和配備生產(chǎn)設(shè)施的資本支出，以及暫停自1992年以來一直發(fā)放的股息。英特爾的最新
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中芯國(guó)際二季度營(yíng)收增長(zhǎng)兩成，凈利1.6億美元，預(yù)計(jì)三季度收入環(huán)比增超13%

  • 消費(fèi)電子市場(chǎng)的復(fù)蘇拉動(dòng)晶圓代工廠業(yè)績(jī)進(jìn)一步回暖。8月8日晚，國(guó)內(nèi)最大的集成電路代工企業(yè)中芯國(guó)際（688981.SH）公布了第二季度業(yè)績(jī)。期內(nèi)，銷售收入 19.013億美元（約136.35億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng)8.6%，同比增長(zhǎng)21.8%；凈利潤(rùn)1.646億美元（約 11.8億元人民幣），環(huán)比增長(zhǎng)129.2%，同比減少59.1%。第二季度毛利率為13.9%，今年第一季度毛利率為13.7%。產(chǎn)能利用率也進(jìn)一步爬升至85.2%，第一季度為80.8%，環(huán)比提升四個(gè)百分點(diǎn)。中芯國(guó)際管理層表示，二季度的銷售收
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我國(guó)科學(xué)家開發(fā)出人造藍(lán)寶石介質(zhì)晶圓，為低功耗芯片提供技術(shù)支撐

  • 8 月 7 日消息，隨著電子設(shè)備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數(shù)量持續(xù)增加，尺寸日益縮小，同時(shí)也帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)，尤其是在介質(zhì)材料方面。經(jīng)過多年研究攻關(guān)，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功研制出一種人造藍(lán)寶石作為絕緣介質(zhì)的晶圓，為開發(fā)低功耗芯片提供了重要的技術(shù)支撐。相關(guān)成果今日已發(fā)表在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。電子芯片中的介質(zhì)材料主要起到絕緣的作用，但當(dāng)傳統(tǒng)的介質(zhì)材料厚度減小到納米級(jí)別時(shí)，其絕緣性能會(huì)顯著下降，導(dǎo)致電流泄漏。
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英特爾陷入惡性循環(huán)，能否絕處逢生？

  • 英特爾在2024年第二季度財(cái)報(bào)中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收128.33億美元（低于市場(chǎng)預(yù)期的129.4億美元），同比下降1%；凈利潤(rùn)為-16.54億美元（遠(yuǎn)不及市場(chǎng)預(yù)期的-5.4億美元），2023年同期凈利潤(rùn)14.73億美元，同比轉(zhuǎn)虧；毛利率35.4%，遠(yuǎn)低于市場(chǎng)預(yù)期（42.1%），而上一季度的毛利率為41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC產(chǎn)品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本，以及其他非核心業(yè)務(wù)的費(fèi)用等因素是導(dǎo)致毛利率暴跌的主要原因，營(yíng)收的微降和毛利
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)

  • 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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可用面積達(dá)12吋晶圓3.7倍，臺(tái)積電發(fā)力面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)

  • 6月21日消息，據(jù)日媒報(bào)道，在CoWoS訂單滿載、積極擴(kuò)產(chǎn)之際，臺(tái)積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進(jìn)封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級(jí)扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級(jí)封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報(bào)道稱，為應(yīng)對(duì)未來AI需求趨勢(shì)，臺(tái)積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進(jìn)封裝技術(shù)，計(jì)劃是利用類似矩形面板的基板進(jìn)行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級(jí)封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進(jìn)行互連的
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晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]

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