全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用

　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度。

　　600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的優(yōu)化組合

　　新推出的P7樹立效率標桿并具備更高的性價比，可大大簡化設計。該器件的目標應用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務器、電信和電動汽車充電等，其功率級別從100 W到15 kW不等。在不同的拓撲中，600 V CoolMOS P7能夠?qū)⒛繕藨玫男侍岣?.5%，并且，相比競爭產(chǎn)品而言，工作溫度最多可降低4.2 °C。

　　表面貼裝(SMD)和通孔封裝型號的導通電阻RDS(on) 范圍均為37 - 600 m?，因此，600 V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應用。此外，超過2 kV(HBM)的出色的防靜電能力可保護器件免受生產(chǎn)中的靜電放電損壞，從而有效提高制造品質(zhì)。最后，堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件。

　　600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：一流的FOM采用創(chuàng)新型無引線SMD TO封裝

　　G7具備較低的導通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG，同時存儲于輸出電容的能量減少，并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗，并將性能提升0.6%，同時提高PFC電路的滿載效率。G7只有1 nH的極低源極寄生電感,也有助于提高效率。

　　G7采用無引線TO封裝，熱性能得以改善，適用于大電流的設計，同時SMD工藝有助于降低安裝成本。此外，600 V G7具備業(yè)界最低的導通電阻RDS(on) ，從28 m?到150 m?不等。相比傳統(tǒng)的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務器、電信、工業(yè)和太陽能等應用領域?qū)崿F(xiàn)最高效率并樹立功率密度標桿的理想選擇。

　　供貨情況

　　600 V CoolMOS P7與600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已開始批量生產(chǎn)，可訂購樣品。了解更多信息請訪問：www.infineon.com/600v-p7和www.infineon.com/c7-gold-toll.