開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改策略100條！

　　EMC的分類(lèi)及標(biāo)準(zhǔn)

　　EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容，它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱(chēng)呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。

　　EMC = EMI + EMS EMI：電磁干擾 EMS：電磁相容性 (免疫力)

　　EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分，

　　Conduction規(guī)范一般可分為： FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022， EN61000-3-2， EN61000-3-3) Class B;

　　國(guó)標(biāo)IT類(lèi)(GB9254，GB17625)和AV類(lèi)(GB13837，GB17625)。

　　FCC測(cè)試頻率在450K-30MHz，CISPR 22測(cè)試頻率在150K--30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測(cè)試，Radiation則必須到專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。

　　EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾， EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的，通常稱(chēng)作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是電流，S是回路面積，F(xiàn)是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。

　　輻射干擾(30MHz—1GHz)是通過(guò)空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。

　　傳導(dǎo)干擾(150K--30MHz)是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。

　　EMI是指產(chǎn)品的對(duì)外電磁干擾。一般情況下分為Class A & Class B 兩個(gè)等級(jí)。 Class A為工業(yè)等級(jí)，Class B為民用等級(jí)。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格，因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測(cè)試EMI中的輻射測(cè)試來(lái)講，在30-230MHz下，B類(lèi)要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過(guò)40dBm 而A類(lèi)要求不能超過(guò)50dBm(以三米法電波暗室測(cè)量為例)相對(duì)要寬松的多，一般來(lái)說(shuō)CLASSA是指在EMI測(cè)試條件下，無(wú)需操作人員介入，設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作，不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級(jí)的性能降低或功能損失。

　　EMI是設(shè)備正常工作時(shí)測(cè)它的輻射和傳導(dǎo)。在測(cè)試的時(shí)候，EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個(gè)上限，分別代表Class A和Class B，如果觀察的波形超過(guò)B的線但是低于A的線，那么產(chǎn)品就是A類(lèi)的。EMS是用測(cè)試設(shè)備對(duì)產(chǎn)品干擾，觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作，如果正常工作或不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為A級(jí)。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降，為B級(jí)。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級(jí)，掛掉為D級(jí)。國(guó)標(biāo)有D級(jí)的規(guī)定，EN只有A，B，C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過(guò)的。

　　EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱(chēng)為“電磁免疫力”，是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力，EMI是設(shè)備對(duì)外的騷擾。

　　EMS中的等級(jí)是指：Class A，測(cè)試完成后設(shè)備仍在正常工作;Class B，測(cè)試完成或測(cè)試中需要重啟后可以正常工作;Class C，需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作;Class D，設(shè)備已損壞，無(wú)論怎樣調(diào)整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴(yán)格程度EMI是B > A，EMS是A > B > C > D。

　　EMI電路：

　　X電容的作用：

　　抑制差模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。

　　Y電容的作用：

　　抑制共模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級(jí)到初級(jí)地線提供一個(gè)低阻抗回路，使流向地再通過(guò)LISN回來(lái)的電流直接短路掉，由于Y電容非完全理想，次級(jí)各部分間也存在阻抗，所以不可能全部回來(lái)。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線連接到初級(jí)和次級(jí)的冷地， 如果開(kāi)通時(shí)MOS的dv/dt大于關(guān)斷時(shí)的dv/dt， 則Y電容連接到初級(jí)的地; 反之連接到V+。

　　共模電感的作用：

　　抑制共模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗，減小共模電流。

　　差模電感的作用：

　　抑制差模雜訊，電感量越大，抑制低頻雜訊效果越好。

　　開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)前的一般應(yīng)對(duì)策略

　　采用交流輸入EMI濾波器

　　通常干擾電流在導(dǎo)線上傳輸時(shí)有兩種方式：共模方式和差模方式。共模干擾是載流體與大地之間的干擾：干擾大小和方向一致，存在于電源任何一相對(duì)大地、或中線 對(duì)大地間，主要是由du/dt產(chǎn)生的，di/dt也產(chǎn)生一定的共模干擾。而差模干擾是載流體之間的干擾：干擾大小相等、方向相反，存在于電源相線與中線及 相線與相線之間。干擾電流在導(dǎo)線上傳輸時(shí)既可以共模方式出現(xiàn)，也可以差模方式出現(xiàn);但共模干擾電流只有變成差模干擾電流后，才能對(duì)有用信號(hào)構(gòu)成干擾。

　　交流電源輸人線上存在以上兩種干擾，通常為低頻段差模干擾和高頻段共模干擾。在一般情況下差模干擾幅度小、頻率低、造成的干擾小;共模干擾幅度大、頻率高， 還可以通過(guò)導(dǎo)線產(chǎn)生輻射，造成的干擾較大。若在交流電源輸人端采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器，則可有效地抑制電磁干擾。電源線EMI濾波器基本原理如圖1所示， 其中差模電容C1、C2用來(lái)短路差模干擾電流，而中間連線接地電容C3、C4則用來(lái)短路共模干擾電流。共模扼流圈是由兩股等粗并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯 上的線圈組成。如果兩個(gè)線圈之間的磁藕合非常緊密，那么漏感就會(huì)很小，在電源線頻率范圍內(nèi)差模電抗將會(huì)變得很小;當(dāng)負(fù)載電流流過(guò)共模扼流圈時(shí)，串聯(lián)在相線上的線圈所產(chǎn)生的磁力線和串聯(lián)在中線上線圈所產(chǎn)生的磁力線方向相反，它們?cè)诖判局邢嗷サ窒?nbsp;因此即使在大負(fù)載電流的情況下，磁芯也不會(huì)飽和。而對(duì)于共模干擾電流，兩個(gè)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的，會(huì)呈現(xiàn)較大電感，從而起到衰減共模干擾信號(hào)的作用。 這里共模扼流圈要采用導(dǎo)磁率高、頻率特性較佳的鐵氧體磁性材料。

　　圖1 電源線濾波器基本電路圖

　　利用吸收回路改善開(kāi)關(guān)波形

　　開(kāi)關(guān)管或 二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，由于存在變壓器漏感和線路電感，二極管存儲(chǔ)電容和分布電容，容易在開(kāi)關(guān)管集電極、發(fā)射極兩端和二極管上產(chǎn)生尖峰電壓。通常情況下采用RC/RCD吸收回路，RCD浪涌電壓吸收回路如圖2所示。

　　圖2 RCD浪涌電壓吸收回路

　　當(dāng)吸收回路上的電壓超過(guò)一定幅度時(shí)，各器件迅速導(dǎo)通，從而將浪涌能量泄放掉，同時(shí)將浪涌電壓限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管集電極和輸出二極管的正極引線上串接 可飽和磁芯線圈或微晶磁珠，材質(zhì)一般為鈷(Co)，當(dāng)通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和，電感量很小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí)，它將產(chǎn)生很大的反電勢(shì)，這樣就能有效地 抑制二極管VD的反向浪涌電流。

　　利用開(kāi)關(guān)頻率調(diào)制技術(shù)

　　頻率控制技術(shù)是基于開(kāi)關(guān)干擾的能量主要集中在特定的頻率上，并具有較大的頻譜峰值。如果能將這些能量分散在較寬的頻帶上，則可以達(dá)到降低于擾頻譜峰值的目的。通常有兩種處理方法：隨機(jī)頻率法和調(diào)制頻率法。

　　隨機(jī)頻率法是在電路開(kāi)關(guān)間隔中加人一個(gè)隨機(jī)擾動(dòng)分量，使開(kāi)關(guān)干擾能量分散在一定范圍的頻帶中。研究表明，開(kāi)關(guān)干擾頻譜由原來(lái)離散的尖峰脈沖干擾變成連續(xù)分布干擾，其峰值大大下降。

　　調(diào)制頻率法是在鋸齒波中加人調(diào)制波(白噪聲)，在產(chǎn)生干擾的離散頻段周?chē)纬蛇咁l帶，將干擾的離散頻帶調(diào)制展開(kāi)成一個(gè)分布頻帶。這樣，干擾能量就分散到這些分布頻段上。在不影響變換器工作特性的情況下，這種控制方法可以很好地抑制開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的干擾。

　　采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

　　開(kāi)關(guān)電源的干擾之一是來(lái)自功率開(kāi)關(guān)管通/斷時(shí)的du/dt，因此，減小功率開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt是抑制開(kāi)關(guān)電源干擾的一項(xiàng)重要措施。而軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以減小開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt。

　　如果在開(kāi)關(guān)電路的基礎(chǔ)上增加一個(gè)很小的電感、電容等諧振元件就構(gòu)成輔助網(wǎng)絡(luò)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程前后引人諧振過(guò)程，使開(kāi)關(guān)開(kāi)通前電壓先降為零，這樣就可以消除開(kāi)通過(guò)程中電壓、電流重疊的現(xiàn)象，降低、甚至消除開(kāi)關(guān)損耗和干擾，這種電路稱(chēng)為軟開(kāi)關(guān)電路。

　　根據(jù)上述原理可以采用兩種方法，即在開(kāi)關(guān)關(guān)斷前使其電流為零，則開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)就不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾，這種關(guān)斷方式稱(chēng)為零電流關(guān)斷;或在開(kāi)關(guān)開(kāi)通前使其電壓為 零，則開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾，這種開(kāi)通方式稱(chēng)為零電壓開(kāi)通。在很多情況下，不再指出開(kāi)通或關(guān)斷，僅稱(chēng)零電流開(kāi)關(guān)和零電壓開(kāi)關(guān)，基本電路如圖3和 圖4所示。

　　圖3 零電壓開(kāi)關(guān)諧振電路

　　圖4 零電流開(kāi)關(guān)諧振電路

　　通常采用軟開(kāi)關(guān)電路控制技術(shù)，結(jié)合合理的元器件布局及印制電路板布線、接地技術(shù)，對(duì)開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾具有一定的改善作用。

　　采用電磁屏蔽措施

　　一般采用電磁屏蔽措施都能有效地抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁輻射干擾。開(kāi)關(guān)電源的屏蔽措施主要是針對(duì)開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器而言。開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，需要給 它裝散熱片，從而使開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容。因此，在開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間放置絕緣屏蔽金屬層，并且散熱片接機(jī)殼地，金屬層接到 熱端零電位，減小集電極與散熱片間藕合電容，從而減小散熱片產(chǎn)生的輻射干擾。針對(duì)高頻變壓器，首先應(yīng)根據(jù)導(dǎo)磁體屏蔽性質(zhì)來(lái)選擇導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu)，如用罐型鐵芯和 El型鐵芯，則導(dǎo)磁體的屏蔽效果很好。變壓器外加屏蔽時(shí)，屏蔽盒不應(yīng)緊貼在變壓器外面，應(yīng)留有一定的氣隙。如采用有氣隙的多層屏蔽物時(shí)，所得的屏蔽效果會(huì) 更好。另外，在高頻變壓器中，常常需要消除初、次級(jí)線圈間的分布電容，可沿著線圈的全長(zhǎng)，在線圈間墊上銅箔制成的開(kāi)路帶環(huán)，以減小它們之間的禍合，這個(gè)開(kāi) 路帶環(huán)既與變壓器的鐵芯連接，又與電源的地連接，起到靜電屏蔽作用。如果條件允許，對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)電源加裝屏蔽罩，那樣就會(huì)更好地抑制輻射干擾。

　　開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略--傳導(dǎo)部分

　　1MHZ 以?xún)?nèi)以差模干擾為主

　　1、150KHZ-1MHz，以差模為主，1-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干擾的分容性藕合和感性藕合。一般1MHZ以上的干擾是共模，低頻段是差摸干擾。用一個(gè)電阻串個(gè)電容后再并到Y(jié)電容的引腳上，用示波器測(cè)電阻兩引腳的電壓可以估測(cè)共模干擾;

　　2、保險(xiǎn)過(guò)后加差模電感或電阻;

　　3、小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

　　4、前端的π型EMI零件中差模電感只負(fù)責(zé)低頻EMI，體積別選太大(DR8太大，能用電阻型式或DR6更好)否則幅射不好過(guò)，必要時(shí)可串磁珠，因?yàn)楦哳l會(huì)直接飛到前端不會(huì)跟著線走。

　　5、傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15-1MHZ超標(biāo)，熱機(jī)時(shí)就有7DB余量。主要原因是初級(jí)BULK電容DF值過(guò)大造成的，冷機(jī)時(shí)ESR比較大，熱機(jī)時(shí)ESR比較小，開(kāi)關(guān)電流在ESR上形成開(kāi)關(guān)電壓，它會(huì)壓在一個(gè)電流LN線間流動(dòng)，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。

　　6、測(cè)試150KHZ總超標(biāo)的解決方案：加大X電容看一下能不能下來(lái)，如果下來(lái)了說(shuō)明是差模干擾。如果沒(méi)有太大作用那么是共模干擾，或者把電源線在一個(gè)大磁環(huán)上繞幾圈， 下來(lái)了說(shuō)明是共模干擾。如果干擾曲線后面很好，就減小Y電容，看一下布板是否有問(wèn)題，或者就在前面加磁環(huán)。

　　7、可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。

　　8、PWM線路中的元件將主頻調(diào)到60KHZ左右。

　　9、用一塊銅皮緊貼在變壓器磁芯上。

　　10、共模電感的兩邊感量不對(duì)稱(chēng)，有一邊匝數(shù)少一匝也可引起傳導(dǎo)150KHZ-3MHZ超標(biāo)。

　　11、一般傳導(dǎo)的產(chǎn)生有兩個(gè)主要的點(diǎn)：200K和20M左右，這幾個(gè)點(diǎn)也體現(xiàn)了電路的性能;200K左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺;20M左右主要是電路開(kāi)關(guān)的噪聲。處理不好變壓器會(huì)增加大量的輻射，加屏蔽都沒(méi)用，輻射過(guò)不了。

　　12、將輸入BUCK電容改為低內(nèi)阻的電容。

　　13、對(duì)于無(wú)Y-CAP電源，繞制變壓器時(shí)先繞初級(jí)，再繞輔助繞組并將輔助繞組密繞靠一邊，后繞次級(jí)。

　　14、將共模電感上并聯(lián)一個(gè)幾K到幾十K電阻。

　　15、將共模電感用銅箔屏蔽后接到大電容的地。

　　16、在PCB設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將共模電感和變壓器隔開(kāi)一點(diǎn)以免互相干擾。

　　17、保險(xiǎn)套磁珠。

　　18、三線輸入的將兩根進(jìn)線接地的Y電容容量從2.2nF減小到471。

　　19、對(duì)于有兩級(jí)濾波的可將后級(jí)0.22uFX電容去掉(有時(shí)前后X電容會(huì)引起震蕩) 。

　　20、對(duì)于π型濾波電路有一個(gè)BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對(duì)傳導(dǎo)150KHZ-2MHZ的L通道有干擾，改良方法是將此電容用銅泊包起來(lái)屏蔽接到地，或者用一塊小的PCB將此電容與變壓器和PCB隔開(kāi)?；蛘邔⒋穗娙萘⑵饋?lái)， 也可以用一個(gè)小電容代替。

　　21、對(duì)于π型濾波電路有一個(gè)BUCK電容躺倒放在PCB上且靠近變壓器此電容對(duì)傳導(dǎo)150KHZ-2MHZ的L通道有干擾，改良方法是將此電容用一個(gè)1uF/400V或者說(shuō)0.1uF/400V電容代替， 將另外一個(gè)電容加大。

　　22、將共模電感前加一個(gè)小的幾百u(mài)H差模電感。

　　23、將開(kāi)關(guān)管和散熱器用一段銅箔包繞起來(lái)，并且銅箔兩端短接在一起，再用一根銅線連接到地。

　　24、將共模電感用一塊銅皮包起來(lái)再連接到地。

　　25、將開(kāi)關(guān)管用金屬套起來(lái)連接到地。

　　26、加大X2電容只能解決150K左右的頻段，不能解決20M以上的頻段，只有在電源輸入加以一級(jí)鎳鋅鐵氧體黑色磁環(huán)，電感量約50uH-1mH。

　　27、在輸入端加大X電容。

　　28、加大輸入端共模電感。

　　29、將輔助繞組供電二極管反接到地。

　　30、將輔助繞組供電濾波電容改用瘦長(zhǎng)型電解電容或者加大容量。

　　31、加大輸入端濾波電容。

　　32、150KHZ-300KHZ和20MHZ-30MHZ這兩處傳導(dǎo)都不過(guò)，可在共模電路前加一個(gè)差模電路。也可以看看接地是否有問(wèn)題，該接地的地方一定要加強(qiáng)接牢，主板上的地線一定要理順，不同的地線之間走線一定要順暢不要互相交錯(cuò)的。

　　33、在整流橋上并電容，當(dāng)考慮共模成分時(shí)，應(yīng)該鄰角并電容，當(dāng)考慮差模成分時(shí)，應(yīng)該對(duì)角并電容。

　　34、加大輸入端差模電感。

　　1MHZ---5MHZ差模共?；旌?/p>

　　采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決。

　　1、對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量。

　　2、對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來(lái)抑制;

　　3、也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。

　　4、對(duì)于有Y電容的電源，干擾在1M以前以差模為主，2-5M是差模和共模干擾。對(duì)于NO-Y來(lái)說(shuō)，情況不一樣，1M以前的共模也非常厲害。在前面加很多X電容，濾光差模，改不改變壓器對(duì)差模沒(méi)有影響了，如果還有變化，就是共模了。差共模分離的方法：在AC輸入端加很多X電容，從小到大，這樣可以把差模濾去，剩下的就是共模了，再與總的噪音相比較，就能看出差模的大小。

　　5、繞制變壓器時(shí)將所有同名端放在一邊，可降低1.0MHZ-5.0MHZ傳導(dǎo)干擾。

　　6、對(duì)于小功率用兩個(gè)差模電感，減少差模電感匝數(shù)可降低傳導(dǎo)1.2MHZ干擾。

　　7、加大Y電容，可降低傳導(dǎo)中段1MHZ-5MHZ干擾。

　　8、對(duì)于無(wú)Y電容的開(kāi)關(guān)電源EMI在1MHZ-6MHZ超標(biāo)，如加了Y電容后EM降下來(lái)了的話，就可在變壓器初次級(jí)間加多幾層膠紙。

　　9、將MOS管散熱片接MOS管S極。

　　10、在輸入端濾波電容上并聯(lián)小容量高壓瓷片或者高壓貼片電容。

　　5M---20MHZ以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

　　1、對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;

　　2、可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔要閉環(huán)。

　　3、處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

　　4、在變壓器初級(jí)繞組上用一根很細(xì)的三重絕緣線并繞一個(gè)屏蔽繞組，屏蔽繞組的一端接電源端另外一端通過(guò)一個(gè)電容接到地。

　　5、可將共模電感改為一邊匝數(shù)比另一邊多一匝，另其有差模的作用。

　　6、將開(kāi)關(guān)管D極加一小散熱片且必需接高壓端的負(fù)極，變壓器的初級(jí)起始端連接到MOS管D極。

　　7、將次級(jí)的散熱片用一個(gè)102的Y電容接到初級(jí)的L/N線， 可降低傳導(dǎo)干擾。

　　8、如果加大Y電容傳導(dǎo)干擾下來(lái)了，則可以改變變壓器繞法來(lái)改良，可在初次級(jí)間加多幾層膠帶;如果加大Y電容傳導(dǎo)干擾未改善，就要改電路可改好不必改變壓器繞法。

　　9、將變壓器電感量適當(dāng)加大，可降低RCC開(kāi)關(guān)電源在半載時(shí)的傳導(dǎo)干擾。

　　10、用變壓器次級(jí)輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，比用變壓器初級(jí)輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，傳導(dǎo)整體要好得多。

　　11、傳導(dǎo)整體超標(biāo)，用示波器看開(kāi)關(guān)管G和D極波形都有重疊的現(xiàn)象，將光藕供電電阻從輸出濾波共模電感下穿過(guò)接輸出正極改接不從大電流下穿過(guò)后一切OK。

　　12、在輸入端L線和N線各接一681/250V的Y電容，Y電容另外一端接次級(jí)地。

　　13、將次級(jí)的輔助繞組用來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，可降低傳導(dǎo)3-15MHZ干擾。用次級(jí)的輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，比用初級(jí)的輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組傳導(dǎo)要好得多。

　　14、在PCB板底層放一層銅片接初級(jí)大電容負(fù)極。

　　15、將整個(gè)電源用一塊銅片包起來(lái)， 銅片接初級(jí)大電容負(fù)極。

　　16、減小Y電容容量。

　　對(duì)于20--30MHZ

　　1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;

　　2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

　　3、在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

　　4、改變PCB LAYOUT;

　　5、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

　　6、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

　　7、在變壓器與MOSFET之間加磁珠;

　　8、在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

　　9、可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻。

　　10、可能是電子負(fù)載引起的，可改用電阻負(fù)載。

　　11、可將MOS管D 端對(duì)地接一個(gè)101的電容。

　　12、可將輸出整流二極管換一個(gè)積電容小一點(diǎn)的。

　　13、可將輸出整流二極管的RC回路去掉。

　　14、將輸入端加兩個(gè)Y電容對(duì)地，可降低傳導(dǎo)25MHZ-30MHZ干擾。

　　15、緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。

　　16、傳導(dǎo)后段25MHZ超標(biāo)可在輸出端加共模電感，也可在開(kāi)關(guān)管源極檢測(cè)電阻上套一長(zhǎng)的導(dǎo)磁力合適的磁珠。

　　開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略--輻射部分

　　30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起

　　1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

　　2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

　　3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決;

　　4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

　　5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

　　6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

　　8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起

　　1.可以在整流管上串磁珠;

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

　　200MHZ 以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

　　開(kāi)關(guān)電源EMI的對(duì)策處理小結(jié)

　　1、外部構(gòu)造的屏蔽處理;

　　2、產(chǎn)品外部的電纜線處理;

　　3、產(chǎn)品內(nèi)部的電纜線處理;

　　4、PCB布線處理;

　　5、開(kāi)關(guān)電源的振蕩頻率的選擇;

　　6、IC型號(hào)的選擇;

　　7、磁性材料的頻率和帶寬的選擇;

　　8、變壓器的選型、繞法和設(shè)計(jì);

　　9、散熱器的接地方式的處理。