3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。

　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機(jī)制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG等。

　　在三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)及海力士(SK Hynix)各陣營陸續(xù)突破3D NAND Flash規(guī)模的技術(shù)障礙后，伴隨大數(shù)據(jù)、云端應(yīng)用、SSD等終端應(yīng)用強(qiáng)烈需求下，3D NAND Flash技術(shù)已成為NAND Flash廠商在容量、效能及成本之間取得平衡的主要發(fā)展方向。

　　目前3D NAND Flash技術(shù)可謂百花齊放，然電容耦合效應(yīng)該如何改善、可靠度該如何提升仍是主導(dǎo)未來3D NAND Flash技術(shù)發(fā)展的重要關(guān)鍵。