FET知識(shí)：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓。

　　與晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。

　　最一般的源極接地電路和自偏置電路

　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。

　　FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為反向偏置電壓，因此其偏置電路的構(gòu)造有些不同。

　　與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構(gòu)成的FET“自偏置電路”，由于其穩(wěn)定程度良好，在實(shí)際電路中得到了普遍應(yīng)用。

　　自偏置電路源極電阻對(duì)電路的穩(wěn)定作用

　　與柵極和源極間電壓VGS相對(duì)應(yīng)的漏極電流ID(A)，流過(guò)源極電阻RS(Ω)。VGS為負(fù)極性的偏置電壓。

　　此時(shí)，如果我們把VGS的絕對(duì)值變得很小，漏極電流ID就會(huì)增大。這樣一來(lái)，源極電壓VS(V)就會(huì)升高，從而使得VCS的絕對(duì)值增大，同時(shí)ID也會(huì)減小，電路的狀態(tài)向穩(wěn)定的方向變化。

　　源極接地電路要實(shí)現(xiàn)放大功能，需要給源極電阻并聯(lián)電容

　　實(shí)現(xiàn)交流信號(hào)放大時(shí)，需要忽略源極電阻RS的影響。與源極電阻RS并聯(lián)的電容CS(F)，使得交流信號(hào)變化對(duì)源極電壓VS沒(méi)有影響，源極電壓VS保持不變。對(duì)于交流信號(hào)來(lái)說(shuō)，源極是通過(guò)電容CS接地的，因此也稱(chēng)為源極接地電路。該電路對(duì)交流信號(hào)的電壓放大倍數(shù)A為

　　A=gm*RD

　　式中，RD(Ω)為漏極電阻。由于結(jié)型FET的gm很小(在1~10mS之間)，很難實(shí)現(xiàn)電壓放大倍數(shù)很大的單級(jí)放大電路。

　　漏極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)

　　漏極接地電路(源極跟隨器)與晶體管的共集放大電路(射極跟隨器)相同。漏極接地電路中，漏極與電源VPS相連接(關(guān)于n溝道FET)，通過(guò)電源接地，所以可以被看作為“漏極接地”電路。

　　信號(hào)的放大倍數(shù)A為A≈1，實(shí)際的放大倍數(shù)要比1略小一些。

　　柵極接地電路的偏置電路和放大倍數(shù)  

　　柵極接地電路和晶體管基極接地電路一樣。偏置電路和其他的結(jié)型FET的接地電路一樣。

　　結(jié)型FET的柵極和源極間為反向偏置電壓，源極通過(guò)電阻RS接地，柵極直接與地電位相連。

　　柵極接地電路，輸入、輸出信號(hào)的極性相反。信號(hào)的電壓放大倍數(shù)A為

　　A=gm*RD