DDR4內(nèi)存的未來
我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展,已經(jīng)成為目前主流的選擇,而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133,明年DDR4內(nèi)存將會出現(xiàn),預(yù)計數(shù)據(jù)傳輸率將會從1600起跳,可以達(dá)到4266的水平,是DDR3的兩倍。在很多人看來,內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來太大幫助,DDR4內(nèi)存是否性能過剩,成為末路黃花?目前還不好說,不管怎么樣,技術(shù)總是要向前發(fā)展的。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201706/351188.htm今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進(jìn)行了解。
現(xiàn)在Intel平臺內(nèi)存規(guī)格
DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢
此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會就正式宣布未來DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù),預(yù)計將會在2012年中,DDR4內(nèi)存將會具備更高的性能,并且功耗方面更低。
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