DDR4內(nèi)存的未來(lái)

我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來(lái)，內(nèi)存已經(jīng)很少給電腦性能帶來(lái)太大幫助，DDR4內(nèi)存是否性能過(guò)剩，成為末路黃花?目前還不好說(shuō)，不管怎么樣，技術(shù)總是要向前發(fā)展的。

今天我們就看到國(guó)外媒體有討論DDR4內(nèi)存的發(fā)展。有興趣的朋友可以通過(guò)下面的文檔進(jìn)行了解。

現(xiàn)在Intel平臺(tái)內(nèi)存規(guī)格

DDR內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)

此前JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)就正式宣布未來(lái)DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)，預(yù)計(jì)將會(huì)在2012年中，DDR4內(nèi)存將會(huì)具備更高的性能，并且功耗方面更低。