片狀電阻硫化失效機(jī)理及應(yīng)用可靠性研究
4 影響電阻硫化因素分析
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201706/361126.htm通過對片狀電阻失效機(jī)理分析及相關(guān)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可以看到,電阻硫化失效受到外界影響因素很多,通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)有以下幾種影響因素,識別影響因素采取有效管控措施。
4.1 機(jī)械應(yīng)力影響
R203電阻位置在生產(chǎn)過程或裝配電器盒后存在機(jī)械應(yīng)力,致使二次保護(hù)層與外電極鍍層間縫隙變大,加速外界含硫腐蝕性氣體通過二次保護(hù)層與電極鍍層之間的交界處滲透到面電極,使面電極的Ag被硫化,生成了化合物Ag2S 或Ag2SO3而失去導(dǎo)電能力,在阻值上表現(xiàn)出“開路”或“阻值增大”的失效現(xiàn)象。R121和R146位置應(yīng)力較小,在短期內(nèi)未出現(xiàn)硫化失效。試驗(yàn)驗(yàn)證也證明電阻硫化失效受機(jī)械應(yīng)力影響。
4.2 封裝差異及本體尺寸差異
片狀電阻本身封裝差異。因外電極鍍層與二次保護(hù)層搭接長度不可控,搭接長度長的,抗硫化能力好,搭接長度短的,抗硫化能力差,具體差異見圖5。R203位置電阻可能抗硫化能力較差,易出現(xiàn)硫化。 電阻本體尺寸越大,電阻抗硫化失效持續(xù)時間越長。
4.3 硅膠附硫效應(yīng)
核實(shí)售后復(fù)核搜集故障品,硫化失效電阻R203絲印靠近主芯片,涂覆硅膠較多,R121、R146靠近高頻變壓器,實(shí)際沒有涂覆硅膠。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證硅膠有附硫效應(yīng),會吸附硫化氣體,加速硫化,外加機(jī)械應(yīng)力,進(jìn)一步加速硫化速度。
4.4 控制器裝配環(huán)境影響
控制器下方即是壓縮機(jī)及管路件,壓縮機(jī)使用隔音棉、管路件使用阻尼塊等經(jīng)過檢測均含有硫元素,需要對空調(diào)內(nèi)部含有的物料進(jìn)行識別,脫硫去除物質(zhì)中的硫。
5 片狀電阻硫化失效解決方案
5.1 采用三防膠工藝
在PCB板器件本體均勻涂覆三防膠形成有效保護(hù)膜,可以隔絕空氣,防止電阻硫化。我司使用日本信越三防膠(日本信越三防膠性能參數(shù)如表3),有效解決電阻硫化失效問題。
5.2 使用抗硫化電阻
5.2.1 抗硫化電阻方案一
通過延長二次保護(hù)包裹層設(shè)計尺寸,同時讓底層電極覆蓋二次保護(hù),大到一定尺寸,電鍍時鎳層與錫層均容易覆蓋二次保護(hù)層,避免二次保護(hù)層邊緣暴露在空氣中與硫化氣體化合反應(yīng),提高電阻抗硫化能力。具體方案設(shè)計如圖6。
5.2.2 抗硫化電阻方案二
采取濺射鎳-鉻阻隔層,阻隔層設(shè)計將銀電極四周及銀電極與二次保護(hù)層搭接處全部保護(hù)起來,有效阻隔含硫氣體侵蝕銀電極。具體方案設(shè)計如圖7所示。
5.3 采用高鈀含量或是附金面電極電阻
電阻底層電極采取高鈀電極漿,金漿,鈀含量根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況及價格選取,一般鈀含量小于5%,也有10%。鈀和金的穩(wěn)定性很好,不會受硫化氣體影響,可以有效降低銀離子遷移及電阻硫化失效產(chǎn)生。
6 整改總結(jié)及意義
片狀電阻在過程無失效,在售后使用2年后出現(xiàn)大量硫化失效,經(jīng)過對電阻失效采用掃描電鏡、能譜分析等手段研究,確定電阻硫化現(xiàn)象、失效機(jī)理。分析研究結(jié)果:片狀電阻端電極和二次保護(hù)包覆層之間存在縫隙,空氣中的硫化物通過灌封硅膠吸附進(jìn)入到片狀電阻內(nèi)電極,導(dǎo)致內(nèi)電極涂覆銀層的銀被硫化,生成電導(dǎo)率低的硫化銀,使電阻的阻值變大,甚至開路狀態(tài)。
可見電阻硫化失效是一個長期逐步漸進(jìn)失效過程,非過程質(zhì)量控制可以解決。只有提前預(yù)防,提高器件應(yīng)用環(huán)境與工作可靠性。經(jīng)大量的方案分析驗(yàn)證確定A公司最終的執(zhí)行方案,信越三防膠+羅姆抗硫化電阻,有效解決電阻硫化失效,經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用取得顯著效果。該方案在其他電子制造領(lǐng)域同樣值得借鑒。
參考文獻(xiàn):
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[2]雷云燕.厚膜片狀電阻器開路失效分析[J].電子元件與材料, 2000,19 (3):38-38.
本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第7期第47頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。
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