1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。

　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。

　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4Tb容量。 三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副裁Kye Hyun Kyung介紹，該芯片將在內(nèi)存單元堆棧底部的新金屬接合層嵌入周邊電路，從而達到新的密度水平。

　　三星在日前舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上發(fā)布這項消息，其中還有幾家競對手則描述采用96層與每單元4bit的芯片。 三星目前的512Gbit芯片采用9個垂直信道與64層，較前一代產(chǎn)品所采用的4信道與48層大幅提升。

　　Kyung表示，3D NAND可支持每單元4bit，已能滿足業(yè)界大部份的非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)需求。 不過，他表示，三星已經(jīng)從2002年起致力于開發(fā)具有次微米級延遲的磁性與相變內(nèi)存(PCM)，最終將有助于縮短在NAND與DRAM之間的差距。

　　同時，三星也正為NetApp與Datera等用戶出樣采用其Z-NAND芯片的SSD產(chǎn)品;Z-NAND可支持低至15微秒的延遲。 該芯片采用專為延遲優(yōu)化的感測放大器，能以高達800Mbits/s的數(shù)據(jù)速率執(zhí)行，并鎖定用于執(zhí)行分析與快取應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)中心。

　　三星目前正致力于開發(fā)第二代Z-NAND，支持每單元2bits的容量，其目的是為了使產(chǎn)品更加經(jīng)濟實惠，而其讀取延遲預(yù)計將僅有些微提升。

　　Z-NAND產(chǎn)品可望挑戰(zhàn)英特爾在今年3月發(fā)布的Optane SSD——采用3DXP芯片。 市場研究公司Objective Analysis分析師Jim Handy表示，從該SSD采用的PCI Express匯排流目前所能實現(xiàn)的延遲來看，這款芯片最大的機會預(yù)計將來自于明年時搭載更快速內(nèi)存總線的板卡應(yīng)用。

　　除了芯片開發(fā)藍圖之外，三星還發(fā)布一系列開發(fā)中的新組件與SSD計劃。

　　它將以每單元4bit封裝高達32個1-Tbit芯片的線鍵堆棧至2TB或4TB組件中。 而這些堆棧將再被封裝至容量高達128TB的2.5吋SSD中。

　　此外，三星正與其他公司合作，為所謂的M.3尺寸標(biāo)準(zhǔn)化至30.5 x 110.0 x 4.38 mm的尺寸。 它將會比現(xiàn)在的M.2服務(wù)器卡更寬，以便容納16TB的容量，而在明年采用V-NAND芯片后可望支持高達5億次IOPS的能力。 三星并展示了一款參考設(shè)計，可用于1U儲存服務(wù)器中提供576TB容量和1,000萬IOPS的效能。

　　20170811_Samsung_NT02P1三星的M.3原型卡底部與目前的M.2卡比較

　　同時，三星也在開發(fā)一種軟件標(biāo)準(zhǔn)，使儲存程序不必再轉(zhuǎn)換成廣泛使用的區(qū)塊儲存。 所謂的Key Value SSD則以地址存取可變長度數(shù)據(jù)。

　　三星已經(jīng)向NVMe和SNIA等產(chǎn)業(yè)組織提出技術(shù)建議，共同致力于使該途徑成為開放標(biāo)準(zhǔn)。 如果獲得采用的話，三星也計劃為此途徑推出SDK和參考范例。

　　不過，三星并未針對其規(guī)格、基礎(chǔ)制程技術(shù)或出貨時程透露任何細(xì)節(jié)。