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LED襯底材料和護(hù)欄組成的一些你必須知道的小常識(shí)!

作者: 時(shí)間:2017-10-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  什么是LED襯底材料?LED襯底有哪些?

  LED照明即是發(fā)光二極管照明,是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導(dǎo)體作為發(fā)光材料,在半導(dǎo)體中通過(guò)載流子發(fā)生復(fù)合放出過(guò)剩的能量而引起光子發(fā)射,直接發(fā)出紅、黃、藍(lán)、綠、青、橙、紫、白色的光。LED照明產(chǎn)品就是利用LED作為光源制造出來(lái)的照明器具。由于LED的壽命長(zhǎng),安全可靠,環(huán)保節(jié)能,色彩多樣,所以自從LED發(fā)明以來(lái),很快就獲得世人的認(rèn)可。全球都投入了大量的人力、財(cái)力去研究和開(kāi)發(fā)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201710/367443.htm

  我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步于20世紀(jì)70年代,經(jīng)過(guò)40多年的發(fā)展,中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)已初步形成了包括LED外延片的生產(chǎn)、LED的制備、LED的封裝以及LED產(chǎn)品應(yīng)用在內(nèi)的較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”的推動(dòng)下,我國(guó)LED下游產(chǎn)業(yè)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,但是上游的LED產(chǎn)業(yè)仍然需要進(jìn)一步的投入,以趕上日本,美國(guó)和歐洲。

   襯底材料的要求

  當(dāng)今大部分的芯片是GaN,GaN的生長(zhǎng)方法有很多種,但是由于尚未解決單晶生產(chǎn)工藝,目前還是在襯底上進(jìn)行外延生長(zhǎng),是依靠有機(jī)金屬氣象沉積法在相關(guān)的異型支撐襯底上生長(zhǎng)的[1]。這樣,襯底材料的選用就是我們首要考慮的問(wèn)題。要想采用哪種合適的襯底,需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇[2]。目前來(lái)說(shuō),好的襯底材料應(yīng)該有以下九方面的特性:

  (1)結(jié)構(gòu)特性好,晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。

  (2)接口特性好,有利于晶圓料成核且黏附性強(qiáng)。

  (3)化學(xué)穩(wěn)定性好,在晶圓生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。

 ?。?)熱學(xué)性能好,要具備良好的導(dǎo)熱性。

 ?。?)導(dǎo)電性好,有利于襯底電極的制備[3]。

 ?。?)光學(xué)性能好,制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。

  (7)機(jī)械性能好,器件容易加工,包括減薄、拋光和切割等。

  (8)價(jià)格低廉。

 ?。?)大尺寸,一般要求直徑不小于2英寸。

  表1中列舉了常見(jiàn)的襯底材料的結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)[4]。

   襯底材料種類(lèi)

  目前一般采用諸如在藍(lán)寶石、SiC、Si、GaAs或其它襯底材料上生長(zhǎng)GaN[5]。

   藍(lán)寶石襯底材料

  目前用于氮化鎵生長(zhǎng)的最普遍的襯底是藍(lán)寶石。

  藍(lán)寶石的組成為氧化鋁(Al2O3),是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型式結(jié)合而成,其晶體結(jié)構(gòu)為六方晶格結(jié)構(gòu)。它常被應(yīng)用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane。由于藍(lán)寶石的光學(xué)穿透帶很寬,從近紫外光(190nm)到中紅外線都具有很好的透光性。因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點(diǎn)高(2045℃)等特點(diǎn),它是一種相當(dāng)難加工的材料,因此常被用來(lái)作為光電元件的材料。目前超高亮度白/藍(lán)光LED的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶(GaN)的材料品質(zhì),而氮化鎵磊晶品質(zhì)則與所使用的藍(lán)寶石基板表面加工品質(zhì)息息相關(guān),藍(lán)寶石(單晶Al2O3)C面與Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉積薄膜之間的晶格常數(shù)失配率小,同時(shí)符合GaN磊晶制程中耐高溫的要求,使得藍(lán)寶石晶片成為制作白/藍(lán)/綠光LED的關(guān)鍵材料。

   藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)方法

  柴氏拉晶法(Czochralski method),簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法。先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過(guò)冷。于是熔湯開(kāi)始在晶種表面凝固并生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶。晶種同時(shí)以極緩慢的速度往上拉升,并伴隨以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),隨著晶種的向上拉升,熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上,進(jìn)而形成一軸對(duì)稱(chēng)的單晶晶錠。

  凱氏長(zhǎng)晶法(Kyropoulos method),簡(jiǎn)稱(chēng)KY法,國(guó)內(nèi)稱(chēng)之為泡生法。其原理與柴氏拉晶法(Czochralski method)類(lèi)似,先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再以單晶之晶種(SeedCrystal,又稱(chēng)籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開(kāi)始生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶,晶種以極緩慢的速度往上拉升,但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后,晶種便不再拉升,也沒(méi)有作旋轉(zhuǎn),僅以控制冷卻速率方式來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固,最后凝固成一整個(gè)單晶晶碇。

   藍(lán)寶石的優(yōu)缺點(diǎn)

  藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn):(1)生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好;(2)穩(wěn)定性很好,能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中;(3)機(jī)械強(qiáng)度高,易于處理和清洗。

  藍(lán)寶石的不足:(1)晶格失配和熱應(yīng)力失配,會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷;(2)藍(lán)寶石是一種絕緣體,在上表面制作兩個(gè)電極,造成了有效發(fā)光面積減少;(3)增加了光刻、蝕刻工藝過(guò)程,制作成本高。

   碳化硅襯底材料

  碳化硅襯底(美國(guó)CREE公司專(zhuān)門(mén)采用SiC材料作為襯底)的LED芯片,電極是L型電極,電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好,有利于做成面積較大的大功率器件。

  碳化硅的優(yōu)點(diǎn):碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K,要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。

  碳化硅的不足:碳化硅制造成本較高,實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。

   硅襯底材料

  相對(duì)藍(lán)寶石和SiC而言,Si材料具有低成本、大面積、高質(zhì)量、導(dǎo)電導(dǎo)熱性能等優(yōu)點(diǎn),且硅工藝技術(shù)相對(duì)成熟,Si襯底上生長(zhǎng)GaN薄膜有望實(shí)現(xiàn)光電子和微電子的集成。而且,S襯底非常便宜,制備工藝很成熟,可以大面積獲得;并且,采用這些襯底來(lái)生長(zhǎng)GaN材料,有望將來(lái)GaN光電器件與成熟的Si和GaAs電子器件集成在一起。但是,由于Si襯底與GaN外延層之間巨大的晶格失配和熱失配,這使Si襯底上的GaN材料產(chǎn)生大量的位錯(cuò)和裂紋,這為Si襯底上GaN的生長(zhǎng)和研究設(shè)置了障礙。   硅襯底的優(yōu)點(diǎn):硅是熱的良導(dǎo)體,所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善,從而延長(zhǎng)了器件的壽命。硅襯底垂直芯片采用銀作為P電極,相比藍(lán)寶石芯片采用ITO做P電極,導(dǎo)電性能提高了10倍以上,具有良好的電流擴(kuò)散特性,具備低電壓、高光效的特點(diǎn),可以在大電流下工作。硅的導(dǎo)熱系數(shù)是藍(lán)寶石的5倍,良好的散熱性使硅襯底LED具有高性能和長(zhǎng)壽命。同時(shí),硅襯底可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損剝離,消除了襯底和氮化鎵材料層的應(yīng)力,硅襯底芯片具有N面朝上、單面出光無(wú)側(cè)光、發(fā)光形貌為朗伯分布以及容易匹配二次光學(xué)的特點(diǎn),更適合指向性照明。硅襯底大功率LED芯片非常適合陶瓷共晶封裝。

  硅襯底的不足:陶瓷共晶封裝在行業(yè)內(nèi)是高端的封裝技術(shù),要求高,難點(diǎn)多。

   其他襯底材料

   氮化鎵襯底

  用于GaN生長(zhǎng)的最理想襯底是GaN單晶材料,可以大大提高外延膜的晶體質(zhì)量,降低位錯(cuò)密度,提高器件工作壽命,提高發(fā)光效率,提高器件工作電流密度。但是制備GaN體單晶非常困難,到目前為止還未有行之有效的辦法。

   氧化鋅襯底

  由于氧化鋅與GaN性能相近,ZnO在a軸方向與GaN的失配度是1.9%,在c軸方向與GaN的失配度是0.4%。與藍(lán)寶石相比,ZnO失配度小,匹配較好。除此之外,ZnO還具有易于制備、容易被醋酸腐蝕的優(yōu)點(diǎn)。在有些應(yīng)用中,通過(guò)對(duì)ZnO選擇性腐蝕,能夠?qū)崿F(xiàn)GaN層與襯底相分離[4]。同時(shí)由于氧化鋅本身也是重要的電致發(fā)光材料,相比其他材料能進(jìn)行同質(zhì)外延,其發(fā)展優(yōu)勢(shì)顯而易見(jiàn)。

   鋁酸鋰襯底

  LiAlO2是一種最具發(fā)展前景的襯底材料,正方晶系γ-LiAlO2與氮化鎵的結(jié)構(gòu)比較接近。

  因?yàn)?gamma;-LiAlO2擁有低的熱膨脹系數(shù),所以在外延薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程中不需要緩沖層消除應(yīng)力來(lái)降低差排密度,而在襯底材料的制備上,比較LiAlO2的(100)面與(001)面,會(huì)發(fā)現(xiàn)(001)面在拋光的過(guò)程中容易產(chǎn)生很多的縫隙與刮痕,其主要的原因是因?yàn)?gamma;-LiAlO2在(100)面結(jié)構(gòu)非常接近GaN的(001)面結(jié)構(gòu)。

  又因?yàn)椋?00)面比較容易研磨、拋光,而且γ-LiAlO2會(huì)被水慢慢的腐蝕,所以在拋光的過(guò)程中可以利用水作為拋光液[5],因此可以降低襯底的植被成本,Hellman等人[6]已經(jīng)成功地在LiAlO2襯底上生長(zhǎng)GaN薄膜。因此在未來(lái)的應(yīng)用上鋁酸鋰最具發(fā)展空間。

   結(jié)語(yǔ)

  襯底材料作為半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展的基石,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心,具有重要地位。其中藍(lán)寶石、碳化硅是目前應(yīng)用較多的襯底材料。而未來(lái)的襯底材料目前由于成本或設(shè)備原因未能大規(guī)模生產(chǎn),在未來(lái)具有巨大的發(fā)展空間。

  LED護(hù)欄組成是依賴(lài)什么原理考量的?

  單色的LED護(hù)欄燈我們一般稱(chēng)之為L(zhǎng)ED輪廓燈,LED護(hù)欄管;七彩的我們稱(chēng)之為L(zhǎng)ED;

  LED按控制方法分則分為:內(nèi)控和外控;區(qū)別在于是否有單獨(dú)的信號(hào)接頭和電源接頭;信號(hào)接頭一般采用四芯的信號(hào)接頭,設(shè)計(jì)原理大同小異;電源接頭則采用兩芯的。

  LED按效果和段數(shù)分則可以分為:?jiǎn)味蔚模蔚?,六段的,八段的,十二段的,十六段的,市?chǎng)上還有一些二十四段的或更高段數(shù)的。常用的還是六段,八段,十六段居多。

  所謂段,指的就是截,真六段的就可以分為六截;如果從效果上來(lái)說(shuō),可以說(shuō)是像素,比如真六段108燈的,那就是18個(gè)燈珠為一個(gè)像素,或者為1段;那十六段144燈的,就是由16個(gè)像素(9燈一段)組成的。

  單段LED數(shù)碼管

  技術(shù)參數(shù):D50*37*1000MM,透明/奶白PC外管,108燈/144燈;電壓:220V/24V

  效果:整體七彩漸變,跳變效果;單段不能出流水效果;

  應(yīng)用:適用于一些要求不高,或政府部門(mén)的辦公樓體;通過(guò)編號(hào)可以達(dá)到招牌底部掃描效果。

  三段LED數(shù)碼管

  技術(shù)參數(shù):D50*50*1000MM,透明/奶白PC外管,108燈;電壓:220V

  效果:整體七彩漸變,跳變效果;單條流水效果;

  應(yīng)用:適用于一些要求不高,或政府部門(mén)的辦公樓體;

  外控真六段LED數(shù)碼管

  技術(shù)參數(shù):D50*50*1000MM,透明/奶白PC外管,108燈/144燈;電壓:24V;

  效果:通過(guò)控制器可以出七彩漸變,跳變效果;流水,掃描,追逐,脫尾,開(kāi)關(guān)門(mén),全彩飄效果;

  應(yīng)用:適用于KTV,酒店等大型商業(yè)場(chǎng)所樓體輪廓亮化,也適用于橋梁或公路兩邊護(hù)欄亮化;

  真六段外控LED數(shù)碼管;管上可以明顯分出六段,但這六段是不停變化的,不要誤解了。

  外控真八段LED數(shù)碼管

  技術(shù)參數(shù):D50*50*1000MM,透明/奶白PC外管,144燈;電壓:DC12V;

  效果:通過(guò)控制器可以出七彩漸變,跳變效果;流水,掃描,追逐,脫尾,開(kāi)關(guān)門(mén),全彩飄效果;另可做數(shù)碼招牌,可以出各類(lèi)花型。

  應(yīng)用:適用于KTV,酒店等大型商業(yè)場(chǎng)所樓體輪廓亮化,LED數(shù)碼管屏招牌制作;也適用于橋梁或公路兩邊護(hù)欄亮化等。

  真八段外控LED數(shù)碼管;管上可以明顯分出八段,但這八段也是不停變化的。

  外控十六段全彩LED數(shù)碼管

  144珠L(zhǎng)EDS(超高亮度燈珠)

  電壓:DC12V

  瓦數(shù):12W

  規(guī)格:D50*50*1000mm

  材質(zhì):進(jìn)口PC外管(乳白管);全波纖PCB板

  效果:可產(chǎn)生漸變、閃變、掃描、追逐、流水;以及播放各種動(dòng)畫(huà)及視頻,圖案和文字。

  控制方法:CF卡控制器,八通信號(hào)連接,無(wú)需分控,可控制512M

  應(yīng)用范圍:橋梁裝飾照明、建筑物勾勒輪廓、全彩數(shù)碼招牌、城市其他需要裝飾照明之處。本產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于大型動(dòng)感光帶之中,可產(chǎn)生彩虹般絢麗的效果。



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