新聞中心

EEPW首頁 > 元件/連接器 > 設(shè)計應(yīng)用 > 三極管8050和8550對管的參數(shù)_引(管)腳圖_封裝方式

三極管8050和8550對管的參數(shù)_引(管)腳圖_封裝方式

作者: 時間:2017-10-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  圖1 TO-92封裝外形和引腳排列圖 圖2 SOT-23封裝外形和管(引)腳排列圖 在電路應(yīng)用中經(jīng)常作為對管來使用,當(dāng)然很多時候也作為單管應(yīng)用。8050 為硅材料NPN型三極

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201710/368932.htm

  圖1 8050和8550三極管TO-92封裝外形和引腳排列圖

  圖2 8050和8550三極管SOT-23封裝外形和管(引)腳排列圖

  8050和8550三極管在電路應(yīng)用中經(jīng)常作為對管來使用,當(dāng)然很多時候也作為單管應(yīng)用。8050 為硅材料NPN型三極管;8550 為硅材料PNP型三極管。

  8050S 8550S S8050 S8550 參數(shù):

  耗散功率0.625W(貼片:0.3W)

  集電極電流0.5A

  集電極–基極電壓40V

  集電極–發(fā)射極擊穿電壓25V

  特征頻率fT 最小150MHZ 典型值產(chǎn)家的目錄沒給出

  按三極管后綴號分為 B C D檔 貼片為 L H檔

  放大倍數(shù)B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

  C8050 C8550 參數(shù):

  耗散功率1W

  集電極電流1.5A

  集電極–基極電壓40V

  集電極–發(fā)射極擊穿電壓25V

  特征頻率fT 最小100MHZ 典型190MHZ

  放大倍數(shù):按三極管后綴號分為 B C D檔

  放大倍數(shù)B:85-160 C:120-200 D:160-300

  8050SS 8550SS 參數(shù):

  耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

  集電極電流1.5A

  集電極–基極電壓40V

  集電極–發(fā)射極擊穿電壓25V

  特征頻率fT 最小100MHZ

  放大倍數(shù):按三極管后綴號分為 B C D D3 共4檔

  放大倍數(shù) B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400

  引腳排列有EBC ECB兩種

  SS8050 SS8550 參數(shù):

  耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)

  集電極電流1.5A

  集電極–基極電壓40V

  集電極–發(fā)射極擊穿電壓25V

  特征頻率fT 最小100MHZ

  放大倍數(shù):按三極管后綴號分為 B C D 共3檔

  放大倍數(shù) B:85-160 C:120-200 D:160-300

  引腳排列多為EBC

  UTC的 S8050 S8550 引腳排列有EBC

  8050S 8550S 引腳排列有ECB

  這種管子很少見

  參數(shù):

  耗散功率1W

  集電極電流0.7A

  集電極–基極電壓30V

  集電極–發(fā)射極擊穿電壓20V

  特征頻率fT 最小100MHZ 典型產(chǎn)家的目錄沒給出

  放大倍數(shù):按三極管后綴號分為C D E檔

  C:120-200 D:160-300 E:280-400

  NEC的8050

  最大集電極電流(A):0.5 A;

  直流電增益:10 to 60;

  功耗:625 mW;

  最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):25;

  頻率:150 MHz 。

  其它的8050

  PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

  MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

  CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

  3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

  2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K



關(guān)鍵詞: 三極管 8050 8550

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉