梁孟松加入中芯首發(fā)任務(wù) 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)

　　中芯國(guó)際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松后，首次于線上法說會(huì)中現(xiàn)“聲”說法，他表示非?？春弥行驹诋a(chǎn)業(yè)中的機(jī)會(huì)與位置，但也深具挑戰(zhàn);針對(duì)外界最關(guān)心的高階制程進(jìn)度，共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示，先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn)，第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。

　　中芯國(guó)際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會(huì)議，梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言，代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”，也滿足外界的好奇心。同時(shí)，趙海軍也指出，梁孟松是以共同執(zhí)行長(zhǎng)的身分加入，因此不會(huì)只是負(fù)責(zé)技術(shù)而已，也會(huì)參與策略面。

　　中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表示，作為中國(guó)最重要的半導(dǎo)體公司之一，一直在思考如何提升公司競(jìng)爭(zhēng)力，這幾年來也持續(xù)聚焦、整合資源，更在今年10月建立了新的領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)，隨著梁孟松的加入，可加強(qiáng)中芯制定技術(shù)的能力，拉近與對(duì)手的技術(shù)差距，相信新團(tuán)隊(duì)會(huì)帶領(lǐng)公司到新高度，梁孟松也可用過去成功、卓越的半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)，讓中芯國(guó)際的未來更美好。

　　梁孟松則是表示，很榮幸接下此職務(wù)，中芯在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中具有很好的位置與機(jī)會(huì)，但也深具挑戰(zhàn)，很高興與趙海軍和團(tuán)隊(duì)合作。

　　針對(duì)外界詢問梁孟松加入中芯國(guó)際的最大任務(wù)，眾所皆知是高階制程技術(shù)的進(jìn)度。中芯表示，將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET制程技術(shù)。意即，梁孟松要用兩年的時(shí)間，幫中芯國(guó)際把14納米FinFET制程世代追上來，業(yè)界認(rèn)為，很挑戰(zhàn)，但不是不可能，因?yàn)橐呀?jīng)準(zhǔn)備很久了，很期待，也會(huì)持續(xù)關(guān)注。

　　在28納米制程上，中芯也提出三階段的規(guī)劃藍(lán)圖。趙海軍指出，第一階段的polySion制程已經(jīng)量產(chǎn)，第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已經(jīng)在今年第2季開始產(chǎn)出，目標(biāo)是28納米突破10%營(yíng)收，而第三階段是第二代的HKC制程，預(yù)計(jì)在2018年底量產(chǎn)。

　　除了先進(jìn)制程的布局，隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外，中芯也表示，公司投入快閃存儲(chǔ)器NOR Flash、微控制器(MCU)、傳感器CMOS Sensor、高壓(HV)等制程技術(shù)平臺(tái)，這些都是用到既有成熟制程的fab filter產(chǎn)品，且95%的機(jī)臺(tái)是相容于邏輯制程，可以根據(jù)客戶對(duì)于需求來規(guī)劃，做產(chǎn)能調(diào)配。

　　展望未來，中芯國(guó)際表示，這兩年是進(jìn)入了過渡期，為下一階段的成長(zhǎng)把技術(shù)和產(chǎn)能備妥，而短期方面，看好的成長(zhǎng)動(dòng)力包括28納米制程、快閃存儲(chǔ)器、指紋辨識(shí)芯片、電源管理芯片等，會(huì)持續(xù)將資源聚焦在關(guān)鍵的技術(shù)平臺(tái)。

　　針對(duì)2017年第4季的營(yíng)運(yùn)展望，中芯國(guó)際指出，預(yù)計(jì)營(yíng)收成長(zhǎng)1~3%、毛利率18~20%。

　　在第3季財(cái)報(bào)上，營(yíng)收為7.69億美元，較上季成長(zhǎng)2.5%，毛利率為23%，上季25.8%和去年同期30%減少，每股凈利為0.01美元。在制程技術(shù)上，28納米制程營(yíng)收成長(zhǎng)38.9%，0.18微米制程成長(zhǎng)33.8%。