傳中芯國(guó)際14納米FinFET后年量產(chǎn)

　　2017年11月底中芯國(guó)際完成權(quán)益類(lèi)組合融資交易，合計(jì)募集資金9.72億美元，創(chuàng)下2004年IPO以來(lái)最大金額的權(quán)益類(lèi)融資，且除兆易創(chuàng)新外，包括大唐控股、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金等均積極參與， 代表兩大股東對(duì)于未來(lái)中芯國(guó)際發(fā)展的戰(zhàn)略性支持，也突顯中芯國(guó)際在中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展藍(lán)圖上將持續(xù)扮演關(guān)鍵的角色。

　　事實(shí)上，2017年11月兆易創(chuàng)新公布將以不超過(guò)7000萬(wàn)美元的額度來(lái)認(rèn)購(gòu)中芯國(guó)際的配售股份，而交易完成后，兆易創(chuàng)新將持有中芯國(guó)際1.02%的股份，不但可藉由中芯國(guó)際的產(chǎn)能來(lái)確保兆易創(chuàng)新NORFlash供貨的穩(wěn)定性， 且雙方可以發(fā)展多層次的戰(zhàn)略合作關(guān)系之外，也顯示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)合或策略聯(lián)盟的頻率將有所提升。

　　而預(yù)料中芯國(guó)際的布局重點(diǎn)將包括:持續(xù)追趕先進(jìn)制程、實(shí)施差異化策略、啟動(dòng)產(chǎn)能擴(kuò)張、跨界整合后段封測(cè)等。 其中在制程的規(guī)畫(huà)上顯然將采取多元化的策略，也就是先前公司積極延攬前Samsung、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松，也就代表中芯國(guó)際并不放棄先進(jìn)制程的追逐，其中中芯國(guó)際的第一階段PolySion制程已經(jīng)量產(chǎn)， 第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)，已經(jīng)在2017年第二季開(kāi)始產(chǎn)出，2017年第四季28奈米估計(jì)將突破10%的營(yíng)收比重，而第三階段是第二代的HKC制程，預(yù)計(jì)在2018年底量產(chǎn)，同時(shí)透過(guò)人才招聘及政府支持 ，預(yù)料中芯國(guó)際14奈米FinFET將于后年量產(chǎn)。

　　至于實(shí)施差異化策略方面，主要是針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)及其他新興科技領(lǐng)域的需求，中芯國(guó)際也不放棄發(fā)展成熟及特殊制程，包括投入閃存NORFlash、微控制器(MCU)、傳感器CMOSSensor、高壓(HV)等制程技術(shù)平臺(tái)等。

　　而在啟動(dòng)產(chǎn)能擴(kuò)張方面，除內(nèi)在的動(dòng)力，如企業(yè)自身實(shí)力的增強(qiáng)，產(chǎn)能利用率的上揚(yáng)，中國(guó)境內(nèi)客戶的銷(xiāo)售額比重已達(dá)50%外，外部壓力也確實(shí)使中芯國(guó)際面臨持續(xù)擴(kuò)張產(chǎn)能的必要性，特別是必須縮短與國(guó)際大廠間的產(chǎn)能差距， 同時(shí)考慮中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)向上沖刺的態(tài)勢(shì)，中芯國(guó)際必須扮演中國(guó)集成電路制造業(yè)的領(lǐng)頭羊。

　　最后在跨界整合后段封測(cè)方面，現(xiàn)在的代工制造商均須有跨界后到封裝的能力，來(lái)進(jìn)行2.5D-3D的集成，而此部分臺(tái)積電已走在前列，中芯國(guó)際更不甘落后，已與長(zhǎng)電科技合資在江陰成立中芯長(zhǎng)電。

　　從中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)未來(lái)產(chǎn)能陸續(xù)釋出的情況來(lái)看，目前中國(guó)12吋晶圓廠共有22座、其中在建11座，8吋晶圓廠18座、在建5座，部分將新廠將陸續(xù)于2018年進(jìn)入量產(chǎn)階段，特別是2018年將是中國(guó)內(nèi)存制造從無(wú)到有的關(guān)鍵年度 ，故總計(jì)2018年中國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年增率預(yù)估將達(dá)19%，增幅仍維持于高速成長(zhǎng)階段。