中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起 誰(shuí)將成為“攪局者”？

　　隨著全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來(lái)高速發(fā)展契機(jī)。值此背景之下，其上游存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期，作為生產(chǎn)、消費(fèi)大國(guó)的中國(guó)，自然首當(dāng)其沖，成為存儲(chǔ)器芯片大戰(zhàn)的主戰(zhàn)場(chǎng)。在中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起的同時(shí)，“攪局者”的出現(xiàn)正緩緩改變著戰(zhàn)場(chǎng)的局勢(shì)……

　　美日韓的壟斷之勢(shì)

　　在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日益擴(kuò)張的趨勢(shì)下，芯片市場(chǎng)供不應(yīng)求之勢(shì)越發(fā)明顯，這其中又以存儲(chǔ)器市場(chǎng)為最。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)容量約800億美元左右，約占半導(dǎo)體市場(chǎng)的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。

　　以目前市場(chǎng)來(lái)看，存儲(chǔ)器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類(lèi)。其中2016年DARM市場(chǎng)容量約414億美元，NAND Flash約346億美元。在DRAM方面，全球DRAM價(jià)格持續(xù)七個(gè)季度高漲，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次，據(jù)業(yè)界人士預(yù)測(cè)，此漲勢(shì)將持續(xù)至2018年第二季度。在NAND Flash方面，全球NAND Flash產(chǎn)線出現(xiàn)2D向3D轉(zhuǎn)移的現(xiàn)象，且3D NAND 在SSD產(chǎn)品上的應(yīng)用也日趨增多，至此閃存市場(chǎng)供應(yīng)得到緩解。

　　而在供應(yīng)短缺以及高增長(zhǎng)的背后，壟斷之勢(shì)也越發(fā)明顯。據(jù)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導(dǎo)體等五家美日韓半導(dǎo)體企業(yè)，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

　　以三星電子為例，據(jù)業(yè)界人士預(yù)估，在三星今年260億美元半導(dǎo)體資金中，3D NAND Flash約為140億美元，DRAM約為70億美元。面對(duì)如此“誘人”的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，三星電子完全無(wú)法忍住誘惑。據(jù)消息透漏，三星電子計(jì)劃于2018年將DRAM價(jià)格上調(diào)5%左右，并且會(huì)加大3D NAND Flash技術(shù)研發(fā)的投入。而且，隨著智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)需求的增加，3D NAND Flash將得到長(zhǎng)足發(fā)展。在這種趨勢(shì)下，中國(guó)也開(kāi)始了布局。

　　紫光國(guó)際“攪局” 破勢(shì)而出

　　事實(shí)上，在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求的不斷驅(qū)動(dòng)下，中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的起色也很明顯。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢(shì)，中國(guó)芯片企業(yè)并未放棄對(duì)半導(dǎo)體的研究。而且隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷衍進(jìn)，存儲(chǔ)器芯片研發(fā)難度隨之加大，加之3D NAND技術(shù)的出現(xiàn)，都為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商彎道超車(chē)提供了機(jī)會(huì)。

　　2016年，在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲(chǔ)器廠商開(kāi)始量產(chǎn)32層3D NAND Flash的時(shí)候，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商才開(kāi)始布局，錯(cuò)失良機(jī)的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商急忙與政府合作，投資建立“國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器基地”，建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房以供3D NAND Flash研發(fā)與生產(chǎn)。在這場(chǎng)全球3D NAND Flash市場(chǎng)之戰(zhàn)中，紫光國(guó)際首先“舉旗”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯以及中國(guó)科學(xué)院微電子研究所緊隨其后，互相配合共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)。

　　2017年11月中旬，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功研發(fā)出32層3D NAND Flash芯片，預(yù)計(jì)將于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前，紫光國(guó)際與長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)在研究64層3D NAND Flash技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

　　當(dāng)然，彎道超車(chē)依舊困難重重。從國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商的發(fā)展情況來(lái)看，主要面臨的機(jī)遇有以下四點(diǎn)：

　　其一，全球存儲(chǔ)器芯片價(jià)格持續(xù)走高、市場(chǎng)供不應(yīng)求的趨勢(shì);

　　其二，智能手機(jī)、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等科技的不斷發(fā)展，導(dǎo)致存儲(chǔ)器芯片的需求也隨之增加;

　　其三，全球存儲(chǔ)器領(lǐng)先技術(shù)突破的趨勢(shì)減緩，各項(xiàng)技術(shù)的不斷成熟;

　　其四，國(guó)家政策的不斷出臺(tái)，政企聯(lián)合之勢(shì)擴(kuò)大。

　　在機(jī)遇存在的同時(shí)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商所面臨的挑戰(zhàn)也不可謂不小，主要體現(xiàn)在以下三方面：

　　其一，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器技術(shù)人才匱乏，導(dǎo)致技術(shù)研發(fā)速度過(guò)慢;

　　其二，原材料價(jià)格的不斷上漲，導(dǎo)致投入過(guò)高;

　　其三，存儲(chǔ)器增長(zhǎng)過(guò)快，產(chǎn)能過(guò)剩的風(fēng)險(xiǎn)隨時(shí)將至。

　　小結(jié)：

　　從國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的趨勢(shì)來(lái)看，紫光國(guó)際以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成為“攪局者”，于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的希望。可以預(yù)料的是，隨著國(guó)內(nèi)3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟，加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升，未來(lái)與五大存儲(chǔ)器巨頭的差距將越來(lái)越小。