聯(lián)華電子宣布推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程

　　聯(lián)華電子今( 21日)宣布，該公司推出40奈米結(jié)合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發(fā)性記憶體的製程平臺(tái)。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產(chǎn)的55奈米單元尺寸減少20%以上，并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司已開(kāi)始評(píng)估其微處理器(MCU)晶片于聯(lián)華電子40奈米SST技術(shù)平臺(tái)的適用性。

　　東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司混合信號(hào)晶片部門(mén)副總松井俊也表示：「我們期待採(cǎi)用聯(lián)華電子40奈米SST技術(shù)有助于提升我們MCU產(chǎn)品的性能。與聯(lián)電合作，透過(guò)穩(wěn)定的製造供應(yīng)及配合我們的生產(chǎn)需求提供靈活的產(chǎn)能，亦將使我們能夠保持強(qiáng)勁的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃 (BCP)?！?/p>

　　已有超過(guò)20個(gè)客戶(hù)和產(chǎn)品正以聯(lián)華電子55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進(jìn)行各階段的生產(chǎn)，包含了SIM卡，金融交易，汽車(chē)，物聯(lián)網(wǎng)，MCU及其他應(yīng)用產(chǎn)品。

　　聯(lián)華電子特殊技術(shù)組織協(xié)理丁文琪表示：「自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術(shù)以來(lái)，我們一直受到客戶(hù)的高度關(guān)注，藉此製程平臺(tái)所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車(chē)、工業(yè)、消費(fèi)者和物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用。我們很高興將這些產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)，并正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴(kuò)展到40奈米的技術(shù)平臺(tái)，期待將SST的高速度和高可靠性?xún)?yōu)勢(shì)帶給東芝和其他晶圓專(zhuān)工客戶(hù)?！?/p>

　　聯(lián)華電子堅(jiān)實(shí)的分離式閘極記憶體單元SST製程，依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃至125℃溫度下，數(shù)據(jù)可保存10 年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶(hù)使用該公司的55奈米SST技術(shù)生產(chǎn)各類(lèi)應(yīng)用產(chǎn)品。