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聯(lián)華電子宣布推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程

  • 　　聯(lián)華電子今( 21日)宣布，該公司推出40奈米結(jié)合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發(fā)性記憶體的製程平臺。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產(chǎn)的55奈米單元尺寸減少20%以上，并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片于聯(lián)華電子40奈米SST技術(shù)平臺的適用性?！　|芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示：「我們期
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臺晶圓廠備戰(zhàn)GF并購特許 臺積電支出將增30%

  • 　　瑞銀臺灣證券半導(dǎo)體首席分析師程正樺(Jonah Cheng)指出，一旦市場需求不如預(yù)期，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第4季將面臨股價修正，不建議繼續(xù)追高;而且中國臺灣地區(qū)晶圓雙雄目前迎戰(zhàn)Global Foundrie并購特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor)，臺積電將公布資本支出提高30%。 　　程正樺對于臺灣第4季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望提出較保守看法，由于產(chǎn)業(yè)在第3季開出亮眼財報，沉浸樂觀氣氛，卻忽略了零組短缺問題，外界對于景氣將V型復(fù)蘇的看法恐怕太過樂觀，不建議在此刻買進(jìn)半導(dǎo)體類股，并調(diào)降臺積電和聯(lián)
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