高功率半導體激光器的過去與未來

　　隨著效率和功率的不斷提高，激光二極管將繼續(xù)取代傳統(tǒng)技術，改變現有事物的處理方式，同時促生新事物的誕生。

　　傳統(tǒng)上，經濟學家認為技術進步是一個漸進的過程。最近，行業(yè)更多焦點集中在了能引起不連續(xù)性的顛覆性創(chuàng)新領域。這些創(chuàng)新被稱為通用技術(GPTs)，是“可能對經濟領域許多方面產生重要影響的深刻的新思想或新技術”。通用技術通常需要幾十年的發(fā)展，甚至是更長時間才能帶來生產率的提高。一開始它們并沒有被很好地理解，即使在技術實現商業(yè)化之后，生產采用也有一個長期的滯后。集成電路就是一個很好的案例。晶體管在20世紀初期實現首次展示，但是其廣泛商用直到很晚的后期才實現。

　　摩爾定律的創(chuàng)始人之一摩爾(Gordon Moore)在1965年曾預言，半導體將會以較快的速度發(fā)展，從而“帶來電子學的普及，并將這一科學推向許多新的領域”。盡管他做出了大膽而出人意料的準確預測，但在實現生產力提高和經濟增長之前，卻經過了幾十年的持續(xù)改進。

　　同樣，對高功率半導體激光器戲劇性發(fā)展的認識也是有限的。1962年業(yè)界首次演示了電子轉換為激光，隨后出現了大量進展，這些進展都促使電子轉換成高產率激光過程的顯著改進。這些改進能支持一系列重要應用，包括光存儲、光網絡以及廣泛的工業(yè)應用等。

　　回顧這些進展以及帶來的眾多改善，都突出強調了其對于經濟領域許多方面帶來更大、更普遍影響的可能性。事實上，隨著高功率半導體激光器的不斷改進，重要應用的范圍將會加大并對經濟增長帶來深遠影響。

　　高功率半導體激光器歷史

　　1962年9月16日，通用電氣公司的羅伯特·霍爾 (Robert Hall)帶領的研究小組展示了砷化鎵(GaAs)半導體的紅外發(fā)射，這種半導體具有“奇怪的”干涉圖形，意味著相干激光 - 首個半導體激光器的誕生。霍爾最初認為半導體激光器是一個“遠射”，因為當時的發(fā)光二極管效率非常低。同時他對此也持有懷疑態(tài)度，因為當時兩年前才被證實、已經存在的激光器，需要“精美的鏡子”。

　　1962年夏天，霍爾表示，對于麻省理工學院林肯實驗室研發(fā)的效率更高的砷化鎵發(fā)光二極管，他感到相當震驚。隨后，他表示很幸運能通過一些高質量的GaAs材料進行測試，并利用他作為一個業(yè)余天文學家的經驗，開發(fā)出了一種方法來拋光GaAs芯片邊緣，形成一個腔體。

　　霍爾成功的演示是基于輻射在交界面上來回反彈，而不是垂直反彈的設計。他謙虛地表示，此前沒有人“碰巧提出這個想法。”實際上，霍爾的設計本質上是一個幸運的巧合，即形成波導的半導體材料也具有同時限制雙極載流子的性質。否則就不可能實現半導體激光器。通過使用不相似的半導體材料，可以形成平板波導以使光子與載流子重疊。

　　在通用電氣公司進行的這些初步演示是一項重大突破。然而，這些激光器遠不是實用的器件，為了促使高功率半導體激光器的誕生，必須實現不同技術的融合。關鍵技術創(chuàng)新始于對直接帶隙半導體材料和晶體生長技術的理解。

　　后來的發(fā)展包括雙異質結激光器的發(fā)明和量子阱激光器的后續(xù)發(fā)展。進一步增強這些核心技術的關鍵在于效率的提高以及腔面鈍化、散熱和封裝技術的發(fā)展。

　　亮度

　　過去幾十年的創(chuàng)新帶來了激動人心的改進。特別是，亮度方面的改進非常出色。 1985年，當時最先進的高功率半導體激光器可以將105毫瓦的功率耦合到105微米的芯徑光纖中。最先進的高功率半導體激光器現在可以產生超過250瓦、擁有單一波長的105微米光纖 - 每八年增長10倍。

　　摩爾構思“將更多元件固定在集成電路上”-隨后，每個芯片晶體管的數量每7年增加10倍。巧合的是，高功率半導體激光器以類似的指數速率將更多的光子融入光纖(見圖1)。

　　圖1. 大功率半導體激光器亮度以及和摩爾定律比較

　　大功率半導體激光器亮度的改進促進了各種不可預見技術的發(fā)展。雖然這一趨勢的延續(xù)還需要更多創(chuàng)新，但有理由相信半導體激光技術的創(chuàng)新還遠未完成。人們所熟知的物理學可以通過持續(xù)的技術發(fā)展進一步提高半導體激光器的性能。

　　例如，相比當前的量子阱器件而言，量子點增益介質可以顯著提高效率。慢軸亮度提供了另一個數量級的改進潛力。具有改進的散熱和擴展匹配的新型包裝材料將提供持續(xù)功耗調整和簡化熱管理所需的增強功能。這些關鍵發(fā)展將為未來幾十年高功率半導體激光器的發(fā)展提供路線圖。