96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

　　為實(shí)現(xiàn)更高儲(chǔ)存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲(chǔ)存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對(duì)應(yīng)的解決方案。

　　群聯(lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲(chǔ)存密度，NAND Flash供貨商正在努力往96層QLC發(fā)展，屆時(shí)單一顆粒的儲(chǔ)存容量將可達(dá)1TB。 其實(shí)，目前已經(jīng)有業(yè)者發(fā)表采用QLC架構(gòu)的64層3D NAND Flash，但技術(shù)驗(yàn)證的意味濃厚，預(yù)計(jì)要等到2019年推出的96層3D NAND Flash，才會(huì)開始大量采用QLC。

　　為了因應(yīng)此一技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，群聯(lián)在Computex期間正式發(fā)表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架構(gòu)雖可實(shí)現(xiàn)更高的儲(chǔ)存密度，但數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的可靠度跟讀寫速度卻會(huì)受到影響，因此該控制器搭載了群聯(lián)自行研發(fā)的第四代SmartECC技術(shù)，在PCIe Gen3x4的帶寬下，讀寫效能均可達(dá)3,200MB/s， IOPS則均為600K。

　　群聯(lián)進(jìn)一步解釋，當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入到NAND Flash內(nèi)部時(shí)，其支持SmartECC的控制器同時(shí)會(huì)產(chǎn)生一組校正碼，與數(shù)據(jù)一起存入。 數(shù)據(jù)從NAND讀回時(shí)若發(fā)生錯(cuò)誤，控制芯片會(huì)透過校正碼更正數(shù)據(jù)，若該錯(cuò)誤無法透過ECC校正碼成功更正，這筆數(shù)據(jù)就會(huì)進(jìn)入SmartECC的補(bǔ)救流程，藉由特別設(shè)計(jì)的算法修正數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)可靠性。

　　不過，有業(yè)界人士認(rèn)為，由于QLC的可靠度比TLC更差，因此即便96層QLC顆粒在2019年進(jìn)入量產(chǎn)，要應(yīng)用在固態(tài)硬盤(SSD)上，可能還需要一段時(shí)間。 采用96層QLC顆粒的第一批終端應(yīng)用產(chǎn)品應(yīng)該不會(huì)是固態(tài)硬盤，而是USB隨身碟這類對(duì)可靠度要求較低的應(yīng)用。 而這也意味著USB隨身碟容量大舉進(jìn)入1TB的時(shí)間點(diǎn)，可能會(huì)出現(xiàn)在2019年。