MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題探究

此時(shí)，兩個(gè)　極電流的差達(dá)到最大值，即：

式（26）~式（27）反映了并聯(lián)應(yīng)用的功率MOSFET極電流分配不勻程度及其與器件參數(shù)、電路參數(shù)的關(guān)系，以上分析利用了近似關(guān)系式B> >A>>C，當(dāng)不滿足該關(guān)系時(shí)，以上分由式(26)~(27)可以看出，兩漏極電流分配不均的程度與管子參數(shù)gm、UT1、UT2、 Cgs、Cgd和電路參數(shù)Rg、Ls、Lo等都有密切關(guān)系。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管IRFP064的典型參數(shù)及典型電路參數(shù)應(yīng)用式(10)、(15)、(16)、 (22)、(23)得到曲線如圖4所示。當(dāng)?shù)玫降穆O電流的不均勻程度及所需時(shí)間隨管子參數(shù)和電路參數(shù)的變化關(guān)系如圖5、圖6所示。

4 結(jié)束語(yǔ)
通過(guò)以上分析，要減小并聯(lián)應(yīng)用的MOSFET管電流分配不勻的影響，當(dāng)應(yīng)用電路采用如圖3所示的控制方式時(shí)，可采取以下措施：(1)盡量選擇UT、gm、Ron等參數(shù)對(duì)稱的管子，這是最基本的方法；(2)適當(dāng)引入源極電感Ls，這樣既可提高漏極電流iD 的均勻度，又不至于明顯增大上升時(shí)間；(3)在漏極電流如的上升時(shí)間滿足要求的情況下，盡量減小柵極電阻Rg；(4)通過(guò)合理安排元器件及合理布線，盡量減小漏極分布電感。