臺(tái)積電釋放十大信號(hào),對(duì)EDA、IP、IC設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體設(shè)備商將產(chǎn)生怎樣的影響?
代工大佬臺(tái)積電每年都會(huì)為其客戶們舉辦兩次大型活動(dòng)-春季的技術(shù)研討會(huì)和秋季的開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)生態(tài)系統(tǒng)論壇。春季會(huì)議主要提供臺(tái)積電在以下幾個(gè)方面的最新進(jìn)展:
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201810/392800.htm(先進(jìn))硅工藝開(kāi)發(fā)現(xiàn)狀;
設(shè)計(jì)支持和EDA參考流程資格;
(基礎(chǔ)、內(nèi)存和接口)IP可用性;
先進(jìn)封裝;
制造能力和投資活動(dòng)。
OIP論壇則簡(jiǎn)要介紹自春季技術(shù)研討會(huì)以來(lái)臺(tái)積電在上述主題上的最新情況,并給EDA供應(yīng)商、IP供應(yīng)商和最終客戶提供一個(gè)機(jī)會(huì),以展示他們分別(以及和臺(tái)積電合作)在解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)需求和挑戰(zhàn)方面的進(jìn)展。本文總結(jié)了最近在加利福尼亞州圣克拉拉舉行的臺(tái)積電第10屆年度OIP論壇的十大亮點(diǎn)。
(10)EDA合作伙伴和IP供應(yīng)商的早期參與模式
臺(tái)積電提供了一份極具說(shuō)服力的圖表,展示了IP供應(yīng)商參與模式近年來(lái)的變化,以及由此導(dǎo)致的新客戶流片(NTO)工藝導(dǎo)入的加速。
臺(tái)積電釋放十大信號(hào),對(duì)EDA、IP、IC設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體設(shè)備商將產(chǎn)生怎樣的影響?
臺(tái)積電北美公司總裁DavidKeller表示,采用臺(tái)積電先進(jìn)工藝的客戶現(xiàn)在可以在PDKv0.1階段就參與進(jìn)來(lái),享有“更精細(xì)調(diào)整”和“改進(jìn)設(shè)計(jì)以及優(yōu)化工藝”的機(jī)會(huì)。
這種方式可以使得客戶在PDKv1.0階段的工藝認(rèn)證時(shí)間縮短一半,也更接近工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入生產(chǎn)階段的時(shí)間表。當(dāng)然它的風(fēng)險(xiǎn)在于,早期采用者必須非常擅長(zhǎng)進(jìn)行評(píng)估,以及隨著PDK數(shù)據(jù)從v0.1到v1.0的日益成熟而快速更改設(shè)計(jì)。盡管有風(fēng)險(xiǎn),客戶依然對(duì)臺(tái)積電改變其參與模式和進(jìn)行資源投資以加速發(fā)布高級(jí)工藝設(shè)計(jì)支持表示了贊賞。
(9)臺(tái)積電、EDA供應(yīng)商和云服務(wù)
OIP論壇展示了在支持將設(shè)計(jì)流程轉(zhuǎn)換成云計(jì)算服務(wù)方面的多項(xiàng)進(jìn)展,包括最終客戶流片示例、云提供商能力介紹、為云資源提供“店面”的EDA供應(yīng)商(Cadence、Synopsys)。數(shù)據(jù)安全方面顯然取得了重大進(jìn)展:
臺(tái)積電支持與其PDK和IP數(shù)據(jù)相關(guān)的產(chǎn)品的安全性。探討了用于不同EDA流程,采用單線程、多線程和分布式運(yùn)算場(chǎng)景的服務(wù)器內(nèi)核、內(nèi)存和存儲(chǔ)類型。
當(dāng)然還有其他重點(diǎn)領(lǐng)域:
加速云項(xiàng)目“啟動(dòng)”任務(wù);
優(yōu)化數(shù)據(jù)通信要求(和相關(guān)帶寬),以便在客戶的主機(jī)環(huán)境和云服務(wù)之間傳輸設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)和流程結(jié)果;
針對(duì)特定EDA流程優(yōu)化分配的云計(jì)算/內(nèi)存資源(與吞吐量相比)。
MicrosoftAzure小組的演示文稿將這種方式稱為“云原生”和“天生在云”的EDA流程開(kāi)發(fā)。
在本地部署和云端執(zhí)行之間分配和管理客戶的EDA軟件許可證。
云店面不僅支持在客戶私有云中托管的專用許可證服務(wù)器,也可以通過(guò)VPN與本地許可證服務(wù)器通信。
有媒體提出了他們關(guān)注的主要問(wèn)題:
“云資產(chǎn)保護(hù)的保險(xiǎn)業(yè)政策尚不清楚?!?/p>
“我正在尋求與EDA供應(yīng)商簽訂新的、更靈活的軟件許可證分配業(yè)務(wù)條款。云可以幫助我為尖峰工作負(fù)載快速分配計(jì)算服務(wù)器,但我仍需要完整的(昂貴的)EDA許可證。我需要被說(shuō)服將項(xiàng)目遷移到云計(jì)算的投資回報(bào)率是巨大的。”
(8)N22ULP/N22ULL
N22是在N28節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行工藝尺寸縮減的“半節(jié)點(diǎn)”。(即N28設(shè)計(jì)直接進(jìn)行光學(xué)布局縮減即可)
所有22ULP的設(shè)計(jì)套件和基礎(chǔ)IP都已準(zhǔn)備就緒,2018年第四季度可提供完整的接口IP。22ULP的嵌入式DRAMIP也將于19年6月問(wèn)世。(請(qǐng)注意,客戶仍然對(duì)嵌入式DRAM抱有強(qiáng)烈興趣。)
臺(tái)積電正在集中精力開(kāi)發(fā)用于低漏電應(yīng)用的22ULL工藝,研究重點(diǎn)包括平面器件Vt(Ion與Ioff)選項(xiàng)、低VDD(例如,對(duì)于22ULL,標(biāo)稱VDD=0.6V)時(shí)的模型開(kāi)發(fā)和IP特性??墒褂迷摴に嚿a(chǎn)低泄漏(EHVT)器件。22ULL目標(biāo)器件包括基于低功耗微控制器的SoC設(shè)計(jì),以及支持藍(lán)牙低功耗(BLE)接口的芯片,對(duì)IoT邊緣設(shè)備來(lái)說(shuō)這些芯片都很常見(jiàn)。
臺(tái)積電將22ULL的啟用分成兩個(gè)階段進(jìn)行,現(xiàn)在已經(jīng)推出適用于0.8V/0.9VVDD的v1.0設(shè)計(jì)套件,2019年6月將提供0.6VVDDPDK和IP支持。需要注意的是,22ULL中的SRAM設(shè)計(jì)將采用雙電源供電,內(nèi)部陣列采用0.8V(由位單元VDD_min驅(qū)動(dòng)),外圍電路為0.6V。
(7)封裝
臺(tái)積電提供的各種封裝技術(shù)依然奪人耳目。從高端客戶需求(比如CoWoS)到低成本集成(比如集成式扇出、或者InFO晶圓級(jí)扇出分布),臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了各種獨(dú)特的封裝技術(shù)覆蓋。簡(jiǎn)而言之,在OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇上展示的先進(jìn)封裝技術(shù)包括:
晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)集成
論壇展示了一個(gè)粘合到CMOS硅片上的MEMS傳感器(帶帽)的樣例:
基板上的InFO
InFO和BGA設(shè)計(jì)的混合體,其中多個(gè)InFO連接到基板載體上;2/2umW/S在硅片之間互聯(lián);40um微凸塊I/O間距。
基板上的InFO和內(nèi)存
和基板上的InFO類似,一個(gè)HBM內(nèi)存硅片堆疊到臨近的硅片上。
CoWoS增強(qiáng)
C4凸塊間距和掩模版尺寸(拼接)功能將在2019年實(shí)現(xiàn)突破和增強(qiáng)。
集成片上系統(tǒng)(SoIC)
利用硅通孔實(shí)現(xiàn)多個(gè)硅片的3D垂直堆疊;2019年第一季度在EDA流程中實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)支持(例如TSV感知物理設(shè)計(jì)、硅片間DRC/LVS、基于3D耦合的提取、完整的SI/PI分析。)。
評(píng)論