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2018年NAND Flash價格跌幅超過50%,背后原因為何!

作者:Helan 時間:2018-10-25 來源:中國閃存市場 收藏

  隨著智能型手機、平板、PC等消費類電子擴大普及,以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡、無人駕駛等熱潮的興起,數(shù)據(jù)存儲需求與日俱增。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),預計2018年全球存儲市場規(guī)模將達到1500億美元。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201810/393424.htm

  在9月19日的中國閃存市場峰會(CFMS2018)上,央視記者采訪了存儲產業(yè)鏈內的知名企業(yè),比如:西部數(shù)據(jù)、、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等,同時業(yè)內大咖也分享了對存儲產業(yè)發(fā)展的看法。



  央視財經頻道精彩回顧:原廠3D閃存芯片產出增加存儲容量驅動技術迭代

  為了滿足市場不斷增長的需求,國際原廠不斷加大投資,并快速提高3D技術。西部數(shù)據(jù)產品市場部副總裁朱海翔在采訪中表示,2D是在平面的結構上放入更多的Byte,增加存儲容量。3D是從立體的角度,西部數(shù)據(jù)去年采用96層3D技術,單顆Die容量512Gb,今年容量已升級到了1.33Tb。同時,非??春弥袊袌龅男枨?,將在人力、產品、技術、合作等方面投入更多的資源,市場的投入。



  西部數(shù)據(jù)產品市場部副總裁 朱海翔

  中國作為重要的應用市場,近年來大力發(fā)展中國存儲產業(yè),并在 Flash領域取得了突破性進展。聯(lián)席首席技術官、技術中心副總裁程衛(wèi)華表示,目前的32層3D技術已經進入了小規(guī)模量產的階段,64層3D技術研發(fā)進展順利,并預計將在2019年下半年投入量產,并將引入創(chuàng)新Xtacking?架構。


  長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術中心副總裁 程衛(wèi)華


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關鍵詞: NAND 長江存儲

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