硅光時代臨近 芯片技術持續(xù)提升
硅光子技術是基于硅材料,利用現(xiàn)有CMOS工藝進行光器件開發(fā)與集成的新一代通信技術。硅光子技術的核心理念是“以光代電”,將光學器件與電子元件整合到一個獨立的微芯片中,利用激光作為信息傳導介質(zhì),提升芯片間的連接速度。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201811/393956.htm近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等應用的快速發(fā)展,全球數(shù)據(jù)流量呈快速增長態(tài)勢,對傳輸?shù)男枨笠仓饾u提升。目前,傳統(tǒng)光模塊主要利用III-V族半導體芯片、電路芯片、光學組件等器件封裝而成,本質(zhì)上屬于“電互聯(lián)”范疇。隨著晶體管加工尺寸逐漸縮小,電互聯(lián)將逐漸面臨傳輸瓶頸。目前,對于傳統(tǒng)的三五族半導體光芯片,25Gbps已接近傳輸速率的瓶頸,進一步提升速率需要采用PAM4等技術。隨著高速光模塊在數(shù)據(jù)中心的大量運用,傳統(tǒng)III-V族半導體的光芯片將面臨并行傳輸、三五族磊晶成本高昂等問題。在此背景下,硅光子技術應運而生,成為III-V族半導體之外的一大選擇。
在硅光子技術中,芯片的概念由原先的激光器芯片延伸至集成芯片。從結構上看,硅光芯片包括光源、調(diào)制器、波導、探測器等有源芯片及源芯片。硅光芯片將多個光器件集成在同一硅基襯底上,一改以往器件分立的局面,芯片集中度大幅提升。硅光子技術主要有以下三大優(yōu)勢:
(1)集成度高。硅光子技術以硅作為集成芯片的襯底。硅基材料成本低且延展性好,可以利用成熟的硅CMOS工藝制作光器件。與傳統(tǒng)方案相比,硅光子技術具有更高的集成度及更多的嵌入式功能,有利于提升芯片的集成度。
(2)成本下降潛力大。在光器件和光模塊中,光芯片的成本占比較高。傳統(tǒng)的GaAs/InP襯底因晶圓材料生長受限,生產(chǎn)成本較高。近年來,隨著傳輸速率的進一步提升,需要更大的三五族晶圓,芯片的成本支出將進一步提升。與三五族半導體相比,硅基材料成本較低且可以大尺寸制造,芯片成本得以大幅降低。
(3)波導傳輸性能優(yōu)異。硅的禁帶寬度為1.12eV,對應的光波長為1.1μm。因此,硅對于1.1—1.6μm的通信波段(典型波長1.31μm/1.55μm)是透明的,具有優(yōu)異的波導傳輸特性。此外,硅的折射率高達3.42,與二氧化硅可形成較大的折射率差,確保硅波導可以具有較小的波導彎曲半徑。
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