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從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

作者: 時間:2018-11-21 來源:與非網(wǎng) 收藏
編者按:存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,無論對于晉華、長江存儲還是長鑫,技術(shù)來源都是首先要解決的問題,無論技術(shù)授權(quán)、合作開發(fā),還是自主研發(fā),只有從技術(shù)源頭掌握關鍵技術(shù),才能避免被卡脖子。


本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201811/394614.htm
從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里

  圖12 和NAND競爭格局分析

  海關數(shù)據(jù)顯示,2017年中國進口存儲芯片889億美元,比2016年增長39.6%。、NAND的寡頭壟斷造成下游客戶毫無議價能力。2017財年,三星、SK海力士、美光三家存儲巨頭的半導體業(yè)務在中國的營收分別為104、254、89億美金,合計達到447億美金,超過中國存儲芯片進口額度的半數(shù)。

  因此,無論從經(jīng)濟安全,還是信息安全角度,我國都亟待發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

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  我國存儲芯片市場:短期格局難變

  作為全球最大的存儲芯片消費市場之一,面對產(chǎn)業(yè)基礎薄弱,自給率極低的窘境,在政府引導和支持下,產(chǎn)業(yè)界全力以赴追趕超越,加快發(fā)展。目前,國內(nèi)有三大存儲項目:紫光集團與武漢、南京及成都合作展開的NAND與項目,兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項目(合肥長鑫),聯(lián)電與福建省合作的DRAM項目(福建)。


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  表2 主要存儲芯片企業(yè)分析


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  紫光集團(長江存儲+紫光南京+紫光成都)

  紫光集團在南京、成都各有一座半導體產(chǎn)業(yè)基地,又與武漢新芯合作成立長江存儲國家存儲芯片基地。南京半導體產(chǎn)業(yè)基地主要生產(chǎn)DRAM以及NAND芯片,成都基地和長江存儲將專注于3D NAND閃存芯片。

  長江存儲2016年7月成立,由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資240億美元。

  2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲芯片基地正式開工,建設3座全球單座面積最大的3D NAND Flash廠。項目一期2018年建成投產(chǎn),實現(xiàn)零的突破,成功進入市場,預計2019年毛利轉(zhuǎn)正,2020年月產(chǎn)能30萬片,2023年月產(chǎn)能100萬片,年產(chǎn)值達1000 億人民幣。


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  圖13 長江存儲項目重要時間節(jié)點

  紫光南京/成都半導體產(chǎn)業(yè)基地均由紫光集團投資建設,目前處于建設期,未來產(chǎn)能均為30萬片/月。

  合肥長鑫

  合肥長鑫存儲由兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股合作,建設19nm、12寸晶圓DRAM芯片項目,預算金額180億元。

  合肥長鑫2018年一季度已完成設備安裝,一期計劃產(chǎn)能12.5萬片/月,三期全部滿產(chǎn)產(chǎn)能為37.5萬片/月。第一階段主要生產(chǎn)基于19nm平臺的8GB LPDDR4產(chǎn)品,用于智能手機。目前已開始投產(chǎn),預計2018年底良率可達10%,2019年底良率可達80%左右,實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。


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  圖14 合肥長鑫項目重要時間節(jié)點

  福建

  由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資,與臺灣聯(lián)電展開技術(shù)合作,總投資56.5億美元,建設12寸內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線,從事利基型DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)銷售,產(chǎn)品主要應用于PC及數(shù)據(jù)中心,未來瞄準消費電子產(chǎn)品。雖然消費電子的存儲需求步入存量博弈階段,但市場規(guī)模依舊龐大。

  該項目共4期,每期設計產(chǎn)能6萬片/月,總計24萬片/月。預計4期滿產(chǎn)總產(chǎn)值500億人民幣。規(guī)劃第一階段提供25nm 4GB DDR4/DDR3產(chǎn)品,爭取2018年研發(fā)成功,后續(xù)繼續(xù)研發(fā)1xnm產(chǎn)品。此次美國禁售,原計劃很大可能將會推遲。


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  圖15 福建項目重要時間節(jié)點


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  圖16 中國大陸主要半導體制造產(chǎn)線分布圖

  從上述規(guī)劃看,我國廠商仍處于起步階段,存儲芯片研發(fā)、良品率、成本控制等能否達到預期,還有一定的不確定性,產(chǎn)能釋放將是一個緩慢的過程。從產(chǎn)能規(guī)劃看,國產(chǎn)存儲芯片市占率短期內(nèi)將維持較低水平,2-3年內(nèi)難以超過1%,2020年后有望得到較大提升。

  從存儲芯片產(chǎn)業(yè)的專利分布、申請趨勢以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的深入分析看,我們清晰的看到自身技術(shù)積累的薄弱,在人才儲備、產(chǎn)能規(guī)模、企業(yè)體量與國際巨頭還有顯著的差距。雖然晉華事件走向何方還不明朗,但我國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的決心只會更加堅定。面臨挑戰(zhàn),我們必須著眼于產(chǎn)業(yè)生態(tài)打造,進一步整合資源,完善產(chǎn)業(yè)鏈布局,同時加大力度布局前瞻性技術(shù)研發(fā),尋找技術(shù)變革帶來的新發(fā)展機遇??上驳氖?,10月26日,中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立,行業(yè)抱團取暖,團結(jié)就是力量。雖然產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,但是我們別無選擇。


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關鍵詞: 晉華 DRAM

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