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CMOS快被取代?英特爾將采用MESO降低10倍功耗

作者: 時(shí)間:2018-12-12 來源:超能網(wǎng) 收藏

  目前,現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限,因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計(jì)算時(shí)代中,工藝很有可能被新技術(shù)取代。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201812/395513.htm

  近日,英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的(磁電自旋軌道)邏輯器件,這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv,減少5倍,能耗降低10-30倍,而且運(yùn)行速度也是工藝的5倍。

  這項(xiàng)技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的,論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上,它所用的是一種鉍,鐵和氧(BiFeO3)組成的多鐵材料,這種材料既有鐵磁性又有鐵電性,而且兩種狀態(tài)又有耦合性,改變一種就會(huì)影響另一種,操作電場(chǎng)就能改變磁場(chǎng),這對(duì)研發(fā)設(shè)備很有用。

  這種材料最早是伯克利分校材料科學(xué)與工程和物理學(xué)教授RamamoorthyRamesh于2001年發(fā)現(xiàn)的,他也是這篇論文的高級(jí)作者,而MESO設(shè)備則是英特爾MESO項(xiàng)目硬件小組主管SasikanthManipatruni發(fā)明的,現(xiàn)在這個(gè)突破也是他們合作研究出來的。

  根據(jù)伯克利發(fā)布的新聞,MESO邏輯器件的開關(guān)電壓可以從3V降低到500mv,并預(yù)測(cè)可以降低到100mv,是目前CMOS晶體管所需開關(guān)電壓的1/5到1/10,從1到0的切換能量?jī)H為CMOS工藝的1/10到1/30。除了能耗上的優(yōu)勢(shì),MESO邏輯器件的運(yùn)算速度也比CMOS工藝高出5倍。

  簡(jiǎn)單來說就是英特爾及伯克利大學(xué)合作的MESO邏輯器件為替代目前以晶體管為基礎(chǔ)的CMOS工藝鋪平了道路,新的MESO邏輯器件在性能及能耗上有極其明顯的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然了,這種新技術(shù)還在研發(fā)中,英特爾提到他們的目標(biāo)是在未來十年中超越CMOS時(shí)代。



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