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意法半導體快速恢復的超結MOSFET為電橋和ZVS轉換器帶來卓越性能

作者: 時間:2019-01-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  ? DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管,將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201901/397000.htm

   DM6 MOSFET利用先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr),最大限度地降低續(xù)流后關斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復軟度增強了產(chǎn)品可靠性。此外,極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優(yōu)化的電容曲線,使應用能夠實現(xiàn)更高的工作頻率和更高的能效,簡化熱管理設計并降低EMI干擾。

  這些新器件非常適用于電動汽車充電樁、電信設備或數(shù)據(jù)中心電源轉換器和太陽能逆變器等,更穩(wěn)定的性能和更高的功率密度讓應用設計的電能額定參數(shù)更加優(yōu)異。

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   DM6系列屬于STPOWER?產(chǎn)品組合,全系共有23款產(chǎn)品,額定輸出電流范圍15A至72A,柵極電荷(Qg) 20nC至117nC,RDS(ON)電阻0.240 ?至0.036 ?,采用主流的功率封裝,包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247,其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳,適合有精密電流檢測需求的應用。

  MDmesh DM6系列現(xiàn)已量產(chǎn),若想了解價格和索取樣片,請聯(lián)系當?shù)氐?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/意法半導體">意法半導體辦事處。



關鍵詞: 意法半導體 MDmesh

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