莫大康：影響2019中國半導體業(yè)增長的三個關鍵因素

　　業(yè)界都謹慎地觀察2019年中國半導體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。

　　本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業(yè)的弱勢;中國集成電路產業(yè)發(fā)展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業(yè)的增長。

　　2019年全球半導體業(yè)進入下降周期

　　由于存儲器的強增長，推動全球半導體業(yè)連續(xù)兩年的高增長，按存儲器業(yè)的發(fā)展規(guī)律今年將轉入下降周期，已成為業(yè)界共識。

　　臺積電1月17日舉行的2018Q4法說會，雖然去年運營成果交出營收、獲利均創(chuàng)新高的亮麗成績單，然而對于2019年半導體前景卻釋出負面展望，臺積電總裁魏哲家表示，不包含存儲器在內，預估2019年全球半導體產值年增1%，因此今年是“Slowyear”。

　　著名市場分析公司Gartner公布初步調查結果顯示，拜DRAM榮景之賜，2018年全球半導體營收總計4767億美元，較2017年增加13.4%。

　　Gartner指出，2018年計算機存儲器芯片占半導體總營收的34.8%，高于2017年的31%，持續(xù)位居半導體各類別之首，存儲器業(yè)營收同比成長27.2%，也最為強勁，主因DRAM平均售價在2018年期間穩(wěn)步上揚，直到第4季才開始下滑。

　　另一家著名市場研究機構ICInsights的最新預測，全行業(yè)DRAM的銷量2017年增長77%，而2018年預計增長39%，以及預測2019年將下降約1%。

　　全球半導體業(yè)進入下降周期，中國半導體業(yè)雖有其獨特性，它仍處于投資成長的階段，但是也不可能獨善其身，因為半導體是全球化的產業(yè)。

　　中國半導體產業(yè)轉型處于攻堅戰(zhàn)階段

　　中國半導體業(yè)發(fā)展與全球不同步，它具獨特性，所以當全球半導體業(yè)已趨成熟，壟斷加劇及兼并減緩時，中國半導體業(yè)卻反其道而行之，在國家資金等為主推動下，積極的投資擴充產能。

　　據SEMI統(tǒng)計顯示，目前中國大陸共計有27座12英寸晶園廠，18座8英寸晶園廠，其中有10座12英寸晶園廠及6座8英寸晶園廠處于建設之中。

　　近時期中國半導體業(yè)比較集中的投資項目分別有三座IDM的存儲器制造廠;中芯國際于上海的28nm-14nm的代工廠;華力微上海的二期，以及無錫的華虹12英寸廠等。

　　顯然這些工廠中大部分處于設備安裝，或者試產階段。眾所周知，只要有資金，下定決心建設生產線，相對是容易的，困難的是產能擴充的爬坡階段，它不但需要有強大的技術實力，而且必將面臨競爭對手的打壓，是一場攻堅戰(zhàn)。不管有再大的困難，中國半導體業(yè)必須經歷艱苦的歷程，循序前進。因此中國半導體業(yè)的產能爬坡周期相對較長，是大概率的事。

　　對于三家存儲器廠，更要有理性的認識，無論是3DNAND閃存，及19納米DRAM對于中國半導體業(yè)都具有里程碑意義，相信它們在試產階段一定能取得成功，困難在于產能爬坡階段。而對于存儲器業(yè)拼的是產能以及成本，及IP，未來不可避免的要經受競爭對手的打壓，這些都是成長中的必修課之一。

　　因此即便沒有貿易戰(zhàn)，中國半導體業(yè)由產能擴張階段，轉入產品的攻堅戰(zhàn)，也是一場硬仗。

　　貿易戰(zhàn)下心理壓力劇增

　　在貿易戰(zhàn)下中國半導體業(yè)面臨新的態(tài)勢，美國是步步緊逼，繼中興、晉華之后，正向華為施壓。由于我們處于守勢，對于美國的打壓顯得有些不適應，相信未來這種態(tài)勢會持續(xù)相當長一段時期，必須拿起同樣的武器積極的去迎接它。

　　盡管貿易戰(zhàn)仍在持續(xù)，估計在關稅等方面能達成協(xié)議，然而對于中國半導體業(yè)的打壓，它們不會收手，而且可能會面臨更嚴峻的態(tài)勢。由于眾多的不確定性，導致中國半導體業(yè)的發(fā)展將承受更大的心理壓力。

　　在新態(tài)勢下中國半導體業(yè)要低調，尤其是三家存儲器廠是它們的焦點，過份地張揚會引發(fā)它們格外的關注，造成被動。等待中國的存儲器廠能夠初步自主，有一定的產能基礎之后才是最為關鍵。

　　因此在貿易戰(zhàn)下要學得聰明些，多做少說，一切抱怨無濟于事，也解決不了任何問題，只有轉變壓力為動力，把危機轉變?yōu)槠鯔C，奮發(fā)圖強，爭口氣把產品搞出來，提升競爭實力及市場份額才是根本。

　　結語

　　產業(yè)發(fā)展的”三駕馬車”，即兼并、合資、合作及研發(fā)。在現(xiàn)階段對于中國半導體業(yè)從國際上兼并之路已幾乎堵死，在合資項目中先進工藝制程技術的轉移將減緩，甚至停止，因此唯有加強研發(fā)才是根本之路，但是研發(fā)周期長及風險大，短時期內難有回報。

　　中國半導體業(yè)已經連續(xù)多年的年均增長率在20%以上，有一定的成績，然而這些成績是在低基數(shù)下，并不值得過份的樂觀。近期看到中國半導體業(yè)的2018年進口額超過3000億美元，未見任何減少，反映IC國產化道路仍是任重道遠。

　　因此在三個關鍵因素的影響下，對于2019年中國半導體業(yè)的前景要謹慎的樂觀，除了IC設計，封裝業(yè)可能維持高增長之外，芯片制造業(yè)的增長率非?？赡苡猩僭S下滑，無論是三家存儲器廠，以及先進工藝制程，如28-14納米等，由于中國半導體業(yè)仍處在產業(yè)發(fā)展的突破階段，離開真正的市場化，投資能取得回報可能性尚小，需要時間上的磨難，因此預計中國的芯片制造業(yè)大體上要3-5年之后才能站穩(wěn)腳根。