Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
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2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201902/397805.htm日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1.7 mW，柵極電荷僅為52 nC，輸出電荷為68 nC，COSS為992 pF。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，這款MOSFET的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積和輸出電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù) (FOM) 分別比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。
SiR626DP改進了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同步整流，隔離式DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原邊和副邊開關(guān)效率，適用于太陽能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫(yī)療設(shè)備電源、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。
MOSFET經(jīng)過100% RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周，視市場情況而定。
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