臺積電官宣6nm工藝！7nm加強版也有極紫外光刻

這幾年，曾經執(zhí)行業(yè)牛耳的Intel在新工藝方面進展遲緩，10nm工藝遲遲無法規(guī)模量產，一個很關鍵的原因就是對技術指標要求高，投產難度大。

而在另一方面，臺積電、三星卻是一路高歌猛進，除了技術方面的突破，還采取了更靈活的戰(zhàn)術，降低新工藝技術難度，并且每次稍加改進就拿出一個新版本，讓人目不暇接。

比如臺積電的16nm是個重要節(jié)點，12nm則是在其基礎上升級優(yōu)化而來。三星就更亂了，除了14nm、10nm、7nm、5nm這些升級力度比較大的，還有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列過渡版本。

近日，臺積電宣布5nm EUV工藝已經開始試產，相比7nm可將核心面積縮小45％，性能則可提升15％，同時三星5nm EUV工藝已經設計完畢，相比7nm可將功耗降低20％，性能提高10％。

現在，臺積電又正式宣布了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度增強，號稱可提供極具競爭力的高性價比，而且能加速產品研發(fā)、量產、上市速度。

臺積電7nm工藝有兩個版本，第一代采用傳統(tǒng)DUV光刻技術，第二代則是首次加入EUV極紫外光刻，已進入試產階段，預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，號稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18％，同時設計規(guī)則完全兼容第一代7nm，便于升級遷移，降低成本。

臺積電6nm預計2020年第一季度試產，適合中高端移動芯片、消費應用、AI、網絡、5G、高性能計算等。

Intel：14nm我改進了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，臺積電、三星你們太過分了……