LPDDR3并不一定弱 實測對比單雙通道DDR4

目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。

由于很多用戶認(rèn)為“4”一定比“3”好，所以認(rèn)定LPDDR3一定不如DDR4。當(dāng)然也有一種聲音力挺LPDDR3，稱LPDDR3功耗更低，有利于輕薄本續(xù)航。

↑↑↑LPDDR3內(nèi)存

我們先聊功耗的問題。LPDDR3功耗確實比DDR4低，但分使用環(huán)境。LPDDR3與DDR4的電壓一致，均為1.2V。

在低負(fù)載時，LPDDR3會降低電壓和頻率，比DDR4省電；在高負(fù)載時就不好說了，理論上DDR4省電一些。

即使高負(fù)載下LPDDR3更省電，省出來的也差不多只有1W左右，杯水車薪。

說白了內(nèi)存本身就不是耗電大戶，說LPDDR3相比DDR4在續(xù)航方面有巨大優(yōu)勢，有些夸大其詞，兩者對于續(xù)航的影響，完全可以忽略。

下面聊聊性能。雖然LPDDR3的功耗低，但不代表LPDDR3的性能差，這里有一個很重要的前提，目前搭載LPDDR3的機(jī)型基本都是雙通道，而很多輕薄本采用的是單通道DDR4，從測試數(shù)據(jù)上看，雙通道LPDDR3整體表現(xiàn)要好于單通道DDR4。

具體測試數(shù)據(jù)，大家可以看下圖。

從圖中可以看出，雙通道LPDDR3 2133MHz在讀、寫、復(fù)制三方面的性能表現(xiàn)要好于單通道DDR4 2666MHz，追平雙通道DDR4 2400MHz，弱于雙通道DDR4 2666MHz；延遲方面LPDDR3明顯要比DDR4差一些。

測試數(shù)據(jù)已經(jīng)非常直觀了，雙通道LPDDR3的性能表現(xiàn)并不弱，所以大家沒有必要糾結(jié)這一點(diǎn)。

與其關(guān)注LPDDR3還是DDR4，還不如關(guān)注筆記本是否采用雙通道。另外，由于內(nèi)存本身速度已經(jīng)足夠快，無論是LPDDR3還是DDR4、雙通道還是單通道，日常使用是感覺不出區(qū)別的。

所以大家在購買筆記本的時候，建議優(yōu)先考慮內(nèi)存的容量，不必太過于關(guān)注LPDDR3還是DDR4。

選購輕薄本可將8GB視作最低內(nèi)存容量；選購游戲本時，8GB起步，經(jīng)濟(jì)允許選擇16GB內(nèi)存。想要深究的朋友再考慮是否為雙通道、內(nèi)存頻率、能否升級等問題。