基本半導體亮相PCIM Asia，共創(chuàng)“芯”未來

6月26日至28日，備受矚目的PCIM Asia 2019（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會）在上海世博展覽館舉行，吸引了超過80家中外知名企業(yè)參展，以及近萬名專業(yè)觀眾現(xiàn)場觀摩交流?；景雽w精彩亮相PCIM Asia，展示了全系列碳化硅功率器件產品，吸睛無數。

本屆PCIM Asia總展覽面積達7000平方米，設有電動汽車專區(qū)、電氣自動化專區(qū)、學術論文海報專區(qū)、首屆體驗專區(qū)及高校交流專區(qū)五大專區(qū)，展出了行業(yè)最前沿尖端的電力電子技術產品和解決方案，范圍包括功率元器件、被動元件、散熱管理、測試測量等。作為專注于電力電子領域的領軍級專業(yè)展覽會，PCIM Asia 同期還舉辦了豐富的國際研討會、電力電子應用技術論壇 & 電動交通論壇等活動，緊貼行業(yè)動態(tài)，詳盡剖析未來發(fā)展趨勢。

本次展會上，基本半導體攜旗下自主研發(fā)、達到國際先進水平的碳化硅功率器件產品參展，引發(fā)眾多同行、觀眾的關注和熱議。在展會同期舉辦的“電力電子應用論壇”上，基本半導體技術營銷部經理劉誠發(fā)表了《碳化硅在新能源汽車領域的應用及發(fā)展趨勢》的主題演講，得到與會專家和觀眾的高度認可。

碳化硅肖特基二極管

具有零反向恢復、抗浪涌電流能力強、高溫反向漏電低、雪崩耐量高等特點，提供行業(yè)標準封裝，覆蓋650V、1200V和1700V電壓級別，額定電流范圍2A至40A。產品應用領域包括光伏逆變器、車載電源、新能源汽車充電電源、通訊電源、服務器電源等。

1200V系列碳化硅MOSFET

采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮(zhèn)流電阻設計，具有短路耐受時間長、導通電阻小、閾值電壓穩(wěn)定的特點，擊穿場強接近10MV/cm，短路耐受時間長達6μs，是首款國產工業(yè)級碳化硅MOSFET。產品可廣泛應用于車載電源、充電樁、光伏發(fā)電、高效率電源等領域。

車規(guī)級全碳化硅功率模塊

為新能源汽車主逆變器應用推出的全碳化硅功率模塊，內部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續(xù)流二極管，通過單面水冷散熱形式為高效電機控制器設計提供便利。產品采用最新的碳化硅MOSFET設計生產工藝，柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項參數達到業(yè)內領先水平。

為期三天的PCIM  Asia 2019已落下帷幕，期間行業(yè)新技術、新產品、新資訊精彩紛呈，促進了行業(yè)交流和產業(yè)發(fā)展。作為國內第三代半導體領軍企業(yè)，基本半導體與業(yè)內國際一線企業(yè)同臺競技，充分展示了代表國內領先水平的碳化硅功率器件技術成果。未來，基本半導體愿與行業(yè)上下游合作伙伴攜手并進，見證“SiC”機遇，共創(chuàng)“芯”未來。