ROHM開(kāi)發(fā)出確保安裝可靠性的車(chē)載用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

作者：時(shí)間：2019-07-23 來(lái)源：電子產(chǎn)品世界

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）開(kāi)發(fā)出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產(chǎn)品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，是確保車(chē)規(guī)級(jí)品質(zhì)的高可靠性產(chǎn)品。另外，產(chǎn)品采用了ROHM獨(dú)有的封裝加工技術(shù)，非常有助于對(duì)品質(zhì)要求高的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）攝像頭模塊等汽車(chē)電子的小型化。

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201907/402995.htm

RV4xxx系列已于2019年5月份開(kāi)始出售樣品（樣品價(jià)格 100日元／個(gè)，不含稅），預(yù)計(jì)于2019年9月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)規(guī)模投入量產(chǎn)。

近年來(lái)，ADAS不可或缺的車(chē)載攝像頭，受安裝空間的限制，對(duì)所配置部件的小型化要求越來(lái)越高。為滿(mǎn)足這些市場(chǎng)需求，在保持大電流的前提下，有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。

另一方面，對(duì)于汽車(chē)電子產(chǎn)品，為確?？煽啃裕瑫?huì)在產(chǎn)品安裝后進(jìn)行外觀檢測(cè)※1），但由于底部電極封裝在側(cè)面沒(méi)有充分形成穩(wěn)定的焊接面，因此無(wú)法確保汽車(chē)電子需要的焊料高度，并且很難確認(rèn)安裝后的焊接狀態(tài)，這是長(zhǎng)期以來(lái)存在的課題。

ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)先產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并創(chuàng)造了傲人業(yè)績(jī)。此次，通過(guò)引入ROHM獨(dú)有工藝方法的 Wettable Flank成型技術(shù)※2），底面電極封裝也能形成焊接面。作為業(yè)界首家※保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度，因此可在產(chǎn)品安裝后的外觀檢測(cè)中可以充分確認(rèn)焊接狀態(tài)。

未來(lái)，ROHM會(huì)充分運(yùn)用Wettable Flank成型技術(shù)優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)開(kāi)發(fā)小型封裝技術(shù)，并將技術(shù)優(yōu)勢(shì)從MOSFET擴(kuò)展到雙極晶體管和二極管產(chǎn)品，持續(xù)擴(kuò)充追求小型高可靠性的產(chǎn)品陣容。

※截至2019年7月23日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

＜特點(diǎn)＞

1.利用融入ROHM獨(dú)有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)，保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度

Wettable Flank成型技術(shù)是在封裝側(cè)面的引線(xiàn)框架部加入切割再進(jìn)行電鍍的技術(shù)。但是，引線(xiàn)框架切割高度越高越容易產(chǎn)生毛刺。

為此，ROHM開(kāi)發(fā)出獨(dú)有的工藝方法，在引線(xiàn)框架整個(gè)表面上設(shè)置了用來(lái)減少毛刺的阻擋層。這可以防止產(chǎn)品安裝時(shí)的傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616封裝產(chǎn)品（1.6mm×1.6mm），業(yè)界首家保證封裝側(cè)面電極部分130μm的高度。

2．替換為小型底部電極 MOSFET，削減安裝面積

以往ADAS攝像頭模塊的反接保護(hù)電路主要采用肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，隨著攝像頭的分辨率日益提高，在超大電流化方向發(fā)展的車(chē)載市場(chǎng)，由于小型底部電極MOSFET具有導(dǎo)通電阻低且可減少發(fā)熱量的特點(diǎn)，替換掉SBD已經(jīng)是大勢(shì)所趨。

例如電流2.0A、功耗0.6W時(shí)，在車(chē)載市場(chǎng)被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET，與SBD相比，可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由于是底部電極，散熱性更好，不僅可實(shí)現(xiàn)小型化，還可實(shí)現(xiàn)大電流化。因此，與傳統(tǒng)的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，其安裝面積可削減68%。